Investigation of electricity properties of metal oxidesemiconductor doped lead oxide
Kurşunoksit katkılı metal-oksit-yarı iletken yapıların elektriksel özelliklerinin incelenmesi
- Tez No: 472733
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SEMA BİLGE OCAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Electrical and Electronics Engineering, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2017
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 60
Özet
Bu çalışmada Al/PbO/p-Si (MOS) yapıların fabrikasyonu yapıldı. Al/PbO/p-Si yapıların akım-voltaj, kapasitans-voltaj ve iletkenlik-voltaj karakteristikleri oda sıcaklığında ve karanlık ortamda ölçüldü. Al/PbO/p-Si yapıların satürasyon akımı, ideallik faktörü, bariyer yüksekliği ve seri direnç gibi diyot parametreleri düz besleme akım-voltaj (I-V) karakteristiklerinden termoiyonik emisyon teorisi kullanılarak hesaplandı. Al/PbO/p-Si yapıların kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G-V) ölçümleri oda sıcaklığında 10kHz-1MHz frekans aralığında ölçüldü. Deneysel sonuçlar, C ve G değerlerinin frekans arttıkça azaldığını gösterdi. C ve G değerlerinde düşük frekanslarda görülen bu davranışın Si/PbO arayüzeyinde meydana gelen arayüzey durumlarından kaynaklandığı tespit edildi.
Özet (Çeviri)
In this study, Al/PbO/p-Si structures were fabricated. Their current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) characteristics of these structures were measured at room temperature and in the dark. Ideality factor, series resistance, barrier height and flat band barrier height of Al/PbO/p-Si structures were calculated from the forward bias I-V characteristics by using thermionic emission theory. The C-V and G-V measurements of the Al/PbO/p-Si structures were measured in the frequency range of 10 kHz - 1 MHz at room temperature. Experimental results showed that both the values of C and G decreased as the frequency increased. Such behavior of C and G at low frequencies resulted from the existence of interface states at Si/PbO interface.
Benzer Tezler
- Akridin esaslı boyaların ortak duyarlaştırıldığı güneş hücrelerinin fotovoltaik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of photovoltaic properties of solar cells sensitized by acridine-based dyes
MELİHA GİZEM BEKMEZ
- Elektron ışın kaynağı yöntemi ile kaynatılan ınconel 718 malzemesi üzerinde seçili değişkenlerin etkisinin incelenmesi
Investigation of the effect of selected variables on the inconel 718 material welded by electron beam welding
BARIŞ BÖYÜKER
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MURAT VURAL
- Elektromik malzemede yapı ve optik özelliklerinin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
N.KEMAL KARA
Doktora
Türkçe
1996
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÜLKÜ CANTÜRK
- Vakumda metalotermik yöntem ile kalsiyum redüksiyonuna etki eden parametrelerin incelenmesi
Investigation of the parameters that affect the vacuum metalothermic method parameters and the calcium reduction
KEREM CAN TAŞYÜREK
Doktora
Türkçe
2018
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ONURALP YÜCEL
- Havacılık kompozitlerinde elektrik iletkenliğinin incelenmesi
Investigation of electrical conductivity in aerospacecomposites
SERRA EFNAN GENÇ ÜSTÜNER
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Tekstil ve Tekstil Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UMUT KIVANÇ ŞAHİN