Visible photon emission from defects in hexagonal boron nitride flakes
Hekzagonal bor nitrür pullarındaki kusurlardan görünür foton ışıması
- Tez No: 473198
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SERKAN ATEŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2017
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 60
Özet
Geniş band aralığına sahip kristallerde bulunan renk merkezleri, band aralığı içerisinde kesikli enerji seviyeleri oluşturur. Bir çok kuantum optik ve kuantum bilgi uygulamaları için gerekli olan tek-fotonlar bu kesikli enerji seviyeleri kullanılarak elde edilebilir. Bu çalışmada, çok katmalı hekzagonal bor nitrür (hBN) pulları içinde, tavlama tekniği kullanılarak optik-aktif kusurlar oluşturuldu. Farklı tavlama sıcaklıklarında (500, 750 ve 850oC yedi örnek ve kıyaslama için iki tavlanmamış örnek hazırlandı. hBN geniş band aralığı sayesinde görünür bölgede ışıma yapan kusurları barındıra- bilir. hBN pulları içerisindeki noktasal kusurları bulmak için mikro-fotolüminesans ha- ritalama yapıldı. Daha sonra uyarma gücüne, polarizasyona ve sıcaklığa bağlı ölçümler yapıldı. Ölçümler sonucunda kusurların ortalama 0.5 μm boyutlarında olduğu, göreceli olarak düşük uyarma güçlerinde doyuma ulaştıkları, dipole özellik gösterdikleri, 0.8 meV kadar dar genişlikte sıfır-fonon çizgisine sahip oldukları gözlemlendi. Bu sonuçlar kesikli enerji seviyelerine sahip, optik-aktif kusurların oluştuğunu göstermektedir.
Özet (Çeviri)
Color centers in wide bandgap crystals create discrete energy levels in the bandgap. These discrete energy levels can be used for single photon generation for quantum optics and quantum information applications. In this work, we created optically active defects in multilayer hexagonal boron nitride (hBN) flakes by annealing technique. We produced seven samples at different annealing temperatures (500°C, 750°C and 850°C) and two non-annealed samples for comparison. hBN can host defects emitting at visible wavelengths because of its wide bandgap. We made micro-photoluminescence maps to find point defects in the hBN flakes and then carried out power dependent, polarization dependent and temperature dependent mea- surements to characterize the emissions. We observed highly localized point-like emitters with a size of about 0.5 µm that reach saturation at relatively low excitation powers, show dipole characteristics, have very narrow zero-phonon lines having widths as small as 0.8 meV . These results prove the presence of optically active defects with discrete energy levels.
Benzer Tezler
- Temperature dependence of zero phonon line emission from defects in hexagonal boron nitride and design of photon-pair source
Altıgen bor nitrürdeki kusur merkezlerinden sıcaklığa bağlı sıfır fonon çizgisi ışıması ve foton-çifti kaynağı tasarımı
NAHİT POLAT
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SERKAN ATEŞ
- Optical spectroscopy of single defects in hexagonal boron nitride
Altıgen bor nitrürdeki tek kusurların optik spektroskopisi
AYŞENUR BİRİNCİ
Yüksek Lisans
İngilizce
2021
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SERKAN ATEŞ
- Synthesis of ZnCdSSe, CdSSeTe quaternary and ZnCdSSeTe quinary alloy quantum dots via two phase synthesis method
ZnCdSSe, CdSSeTe dörtlü ve ZnCdSSeTe beşli alaşım kuantum noktacıklarının iki faz sentez yöntemi ile sentezlenmesi
MERVE ERKAN
- ZnO ve Sb2S3 ince film tabanlı fotosensör aygıt üretilmesi ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of ZnO and Sb2S3 thin film based photosensors
ESRA ASLAN
Doktora
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiHarran ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MAHARRAM ZARBALİ