Fabrication and characterization of high speed resonant cavity enhanced schottky photodiodes
Resonant boşluk destekli yüksek hızlı schottky fotodedektörlerinin yapımı ve karakterizasyonu
- Tez No: 47981
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. EKMEL ÖZBAY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: yüksek hız, resonant boşluk, fotodedektör, Sckottky diyot, yüksek kuvantum verimi, Fabry-Perot boşluğu, Resonant dedektör, Schottky diyot dedektörü ııı, High Speed, Resonant Cavity, Photodetector, Schottky Diode, High Quantum Efficiency, Fabry-Perot Cavity, Resonant Detector, Schottky Diode Detector, Enhancement. n
- Yıl: 1996
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 78
Özet
Özet RESONANT BOŞLUK DESTEKLİ YÜKSEK HIZLI SCHOTTKY FOTODEDEKTÖRLERİNİN YAPIMI VE KARAKTERİZASYONU M. Saiful islam Fizik Yüksek Lisans Tez Yöneticisi: Asst. Prof. Ekmel Özbay Eylül 1996 Yüksek hızı, yüksek verimi ve dar tayf aralığı ile, rezonant boşluk destekli (RCE) Schottky (Şotki) fotodedektörleri iletişim alanında çok önemli bir konuma gelmiştir. Bu tezde yüksek hızlı, yüksek verimli Schottky fotodedektörlerinin yapımı ve bu araçların özellikleri, karakterizasyon verileri sunulmaktadır. Deneysel sonuçlar 900 nanometre dalga boyunda çalışan RCE fotodiyotları ile elde edilmiştir. Soğurulma GaAs boşluğuna yerleştirilen ince bir InGaAs tabakasında gerçekleşmektedir. Aktif bölge, yüksek yansıtıcılığa sahip GaAs/AlAs çeyrek dalgaboyu Bragg aynaları üzerinde büyütülmüştür. Üst ayna 200Â kalınlığında ince bir altın tabakadan oluşmakta ve aygıtın Schottky metali olarak rol oynamaktadır. Mikroboşluğun üst yüzeyinin aşındırılmasıyla aracın tayf özellikleri değiştirilebilir. Yüksek hız ölçümlerimize göre, fotodedektörlerimiz 30 pikosaniyelik bir hıza sahiptir.
Özet (Çeviri)
Abstract FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF HIGH SPEED RESONANT CAVITY ENHANCED SCHOTTKY PHOTODIODES M. Saiful Islam M. S. in Physics Supervisor: Asst. Prof. Ekmel Ozbay September 1996 High speed, high external quantum efficiency and narrow spectral linewidth make resonant cavity enhanced (RCE) Schottky photodetector a good candidate for telecommunication applications. In this thesis, we present our work for the design, fabrication and characterization of a RCE Schottky photodiode with high quantum efficiency and high speed. We present experimental results on a RCE photodiode having an operating wavelength of 900 nm. The absorption takes place in a thin InGaAs layer placed inside the GaAs cavity. The active region was grown above a high- reflectivity GaAs/AIAs quarter-wavelength Bragg reflector. The top mirror consisted of a 200Â thin Au layer which also acted as Schottky metal of the device. An external quantum efficiency of 55% was obtained from our devices. We demonstrate that the spectral response can be tailored by etching the top surface of the microcavity. Our high speed measurements yielded a FWHM of 30 ps, which is the record response for any RCE Schottky photodiode ever reported.
Benzer Tezler
- Fabrication and characterization of high-speed, hig quantum efficiency, resonant cavity enhanced schottky photodidoes
Rezonant kavite ile güçlendirilmiş yüksek, hızlı ve yüksek verimli schottky fotodiyot üretimi ve karakterizasyonu
ERHAN POLATKAN ATA
Doktora
İngilizce
1998
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EKMEL ÖZBAY
- Design fabrication and characterization of high performance resonant cavity enhanced photodedectors
Yüksek performanslı rezonant kavite katkılı fotodedektörlerin tasarımı, üretimi ve karakterizasyonu
NECMİ BIYIKLI
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORHAN AYTÜR
- Long wavelength GaAs based hot electron photoemission detectors
GaAs temelli uzun dalgaboylarında çalışan sıcak elektron fotoemisyon detektörü
İBRAHİM KİMUKİN
Yüksek Lisans
İngilizce
1999
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EKMEL ÖZBAY
- Low temperature grown GaAs based resonant cavity enhanced photodiodes
Düşük sıcaklıkta büyütülmüş GaAs tabanlı resonant kavite arttırımlı fotodiyotlar
BAYRAM BÜTÜN
Yüksek Lisans
İngilizce
2004
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ORHAN AYTÜR
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- MEMS scanners for spectroscopy and laser scanning systems
Spektroskopi ve lazer tarama sistemleri için MEMS tarayıcı geliştirilmesi
ÇAĞLAR ATAMAN
Doktora
İngilizce
2008
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKoç ÜniversitesiElektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HAKAN ÜREY