Geri Dön

Design and characterization of resonant cavity enhanced schottky photodiodes

Seselimli oyukla güçlendirilmiş shcottky fotodiyotların tasarım ve nitelendirilmesi

  1. Tez No: 47982
  2. Yazar: MUTLU GÖKKAVAS
  3. Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. ORHAN AYTÜR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1996
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 69

Özet

Son zamanlarda, verim-band genişliği çarpımını yükseltmek için, çok geçişli bir duyum düzeninden yararlanan fotodetektörler geliştirilmiştir. Bu tezde, bir InGaAs soğurucusu olan, AlAs/GaAs seselimli oyukla güçlendirilmiş Schottky fotodiyotlar üzerine çalışmamızı sunuyoruz. Kuvantum verimindeki artış, InGaAs soğurucuyu, aynalarını Au Schottky metal katmanı ve AlAs/GaAs çeyrek dalga dizisi (ÇDD) yansıtıcısının oluşturduğu bir Fabry- Perot mikrooyuğun içine yerleştirerek sağlanmıştır. Yapıların tasarım ve anal izinde dağılmış parametreli matrisler (S matrisleri) kullanılmıştır. Yansıma, aktarma, kuvantum verimi, ve Schottky metalindeki kayıp hesaplanmış, ve kuvantum verimini artırmak için Sİ3N4 dielektrik kaplama kullanarak ön yüzeyden yansımayı yok etmenin mümkün olduğu gösterilmiştir. Üretilen fotodiyotlar üzerinde yapılan yüksek hız ve tayf verim ölçümleri de sunulmuştur. Anahtar Kelimeler : Seselimli oyuklar, fotodiyotlar, Schottky, dağılmış parametreli matrisler (S matrisleri). iv

Özet (Çeviri)

Recently, novel photodetectors which employ a multiple-pass detection scheme to increase the efficiency-bandwidth product have been developed. In this the sis, we present our work on AlAs/GaAs resonant cavity enhanced (RCE) Schot- tky photodiodes with an InGaAs absorber. Quantum efficiency enhancement is accomplished by placing the InGaAs absorber inside a Fabry-Perot micro- cavity whose mirrors are formed by the Au Schottky layer and an AlAs/GaAs quarter wave stack (QWS) reflector. In the design and analysis of the struc tures, scattering (S) matrices are used. Reflectivity, transmissivity, quantum efficiency, and the loss in the Schottky metal are calculated, and it is shown that, it is possible to diminish the front-surface reflectivity using a Sİ3N4 di electric coating to optimize the quantum efficiency. High speed and spectral efficiency measurements on fabricated photodiodes are also presented. Keywords : Resonant cavities, photodiodes, Schottky, scattering matrices (S matrices). in

Benzer Tezler

  1. Fabrication and characterization of high speed resonant cavity enhanced schottky photodiodes

    Resonant boşluk destekli yüksek hızlı schottky fotodedektörlerinin yapımı ve karakterizasyonu

    M.SAİFUL İSLAM

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1996

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Y.DOÇ.DR. EKMEL ÖZBAY

  2. Fabrication and characterization of high-speed, hig quantum efficiency, resonant cavity enhanced schottky photodidoes

    Rezonant kavite ile güçlendirilmiş yüksek, hızlı ve yüksek verimli schottky fotodiyot üretimi ve karakterizasyonu

    ERHAN POLATKAN ATA

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1998

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. EKMEL ÖZBAY

  3. Design fabrication and characterization of high performance resonant cavity enhanced photodedectors

    Yüksek performanslı rezonant kavite katkılı fotodedektörlerin tasarımı, üretimi ve karakterizasyonu

    NECMİ BIYIKLI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1998

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ORHAN AYTÜR

  4. Long wavelength GaAs based hot electron photoemission detectors

    GaAs temelli uzun dalgaboylarında çalışan sıcak elektron fotoemisyon detektörü

    İBRAHİM KİMUKİN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1999

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. EKMEL ÖZBAY

  5. Low temperature grown GaAs based resonant cavity enhanced photodiodes

    Düşük sıcaklıkta büyütülmüş GaAs tabanlı resonant kavite arttırımlı fotodiyotlar

    BAYRAM BÜTÜN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ORHAN AYTÜR

    PROF. DR. EKMEL ÖZBAY