Au/p-CuO/n-Si/Ag yapıların sıcaklık bağımlı elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of temperature dependent electrical properties of Au/p-CuO/n-Si/Ag structures
- Tez No: 483477
- Danışmanlar: DOÇ. DR. FUNDA AKSOY AKGÜL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2017
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Niğde Ömer Halisdemir Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 102
Özet
Solüsyon-bazlı işlemler, aygıt uygulamaları için malzeme sentezlenmesinde üretim maliyetini indirgemek için kullanılır. Bu çalışmada, p/n heteroeklemli yapılar oluşturmak için p-tipi küprik oksit ince filmleri uygun maliyetli kimyasal depolama metodu ile n-tipi (100)-yönelimli kristal silisyum üzerine büyütüldü. Elde edilen yapıların sıcaklık bağımlı akım-gerilim (I-V) karakteristikleri, karanlık ortamda 220-360 K sıcaklık aralığında incelendi. İdealite faktörü (n), doyum akımı (I0) ve bariyer yüksekliği (B) gibi temel diyot parametreleri sıcaklığın bir fonksiyonu olarak belirlendi. Elektriksel ölçümler yapıların oda sıcaklığında iyi tanımlı doğrultucu davranış sergilediğini ve ±2 V gerilim değerlerinde 102 doğrultma oranına ve n = 2,06 değerinde küçük idealite faktörüne sahip olduğunu gösterdi. Elde edilen n, I0 and B değerleri sırasıyla 3,02 –1,79, 2,0610-9 6,2110-8 A ve 0,62 – 0,9 eV aralığında bulundu.
Özet (Çeviri)
Solution-based processes are used to synthesize materials for device applications to reduce material production and device fabrication costs. In this work, p-type cupric oxide thin films were deposited onto n-type (100)-oriented crystalline silicon wafer through cost-effective chemical bath deposition method in order to construct p/n heterojunction structures. Temperature dependent current-voltage (I-V) characteristics of the fabricated structures were investigated in the range of 220-360 K under dark conditions. Important diode parameters such as ideality factor (n), dark saturation current (I0) and barrier height (B) were evaluated as a function temperature. Electrical measurements revealed that the structures have a well-defined rectifying behavior with a good rectification ratio of 102 at ±2 V and a relatively small ideality factor of n = 2,06 at room temperature. The estimated values of the n, I0 and B were found to be between 3,02 – 1,79, 2,0610-9 6,2 10-8 A and 0,62 – 0,9 eV, respectively.
Benzer Tezler
- Au/(cu2o-cuo-pva)/n-si metal-polimer-yarıiletken yapının elektriksel parametreleri üzerine sıcaklık ve frekans etkisi
The effect of temperture and frequency on electrical parameters of au/(cu2o-cuo-pva)/n-si metal-polymer-semiconductor structure
AYSEL BÜYÜKBAŞ ULUŞAN
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ADEM TATAROĞLU
- Al/ZnO/p-Si ve Au/CuO/p-Si Schottky yapıların farklı metotlarla elde edilmesi ve karakterizasyonu
Production and characterizations of Al/ZnO/p-Si and Au/CuO/p-Si Schottky structures by different methodes
SAMED ÇETİNKAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiMustafa Kemal ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. H. ALİ ÇETİNKARA
- Nano-fotokatalitik malzeme üretimi, karakterizasyonu ve fotokatalitik performans incelemesi
The production and characterization of nano-photocatalytic materials and investigation of their photocatalytic performances
EMRE ALP
Doktora
Türkçe
2019
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHAMMET KÜRŞAT KAZMANLI
DOÇ. DR. AZİZ GENÇ
- Kuru incirlerde küf florası ve aflatoksigenik küflerin saptanması
Başlık çevirisi yok
SİBEL BÜYÜKŞİRİN
- Bir fazlı asenkron motorun dinamik davranışları
Başlık çevirisi yok
ALKAN DEMİRCİOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EMİN TACER