Amorf silisyum bazlı diyotlarda negatif sığa etkisi
Negative capacitance effect in amorphous silicon based diodes
- Tez No: 495164
- Danışmanlar: PROF. DR. GÖKHAN GÖKOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Admitans ölçümü, Amorf silisyum, Fizik, Yarı iletken ince filmler, Admittance measurement, Amorphous silicon, Physics, Semiconductor thin films
- Yıl: 2017
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Karabük Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (PECVD) yöntemiyle hidrojenlenmiş amorf silisyum (a-Si:H) katkılanmamış tabakanın p- ve n-tipi katkılanmış hidrojenlenmiş nanokristal silisyum (nc-Si:H) tabakalar arasında üretilmesiyle elde edilmiş olan p-i-n diyotun elektriksel özellikleri incelenmiştir. Akım-gerilim ölçümleriyle diyottaki eklemleri oluşturan yapıların kaliteleri hakkında fikir sahibi olunmuştur. Diyot ideallik faktörü, doğrultma faktörü ve akımın gerilime göre üstel davranışı p-i-n eklem yapısının standart kalitede olduğunu göstermiştir. Yarıiletken malzemelerdeki kusur seviyeleri hakkında nicel bilgi sunan admitans yöntemi, p-i-n diyot yapısında ileri besleme altında kullanılmıştır. Sığa-frekans-gerilim tayfında gözlenmiş olan negatif sığa etkisi makul bir eşdeğer devre ile matematiksel olarak MATLAB yazılımında altprogram yapısı kullanılarak modellenmiştir. Negatif sığa etkisinin eşdeğer devrede bobin kullanılarak benzetim yapılabildiği gösterilmiştir. Aynı zamanda, başarılı bir benzetim için eşdeğer empedans değerine yüklenmesi gereken frekans bağımlılığı AC hopping iletimi ile bağdaştırılmıştır.
Özet (Çeviri)
The electrical properties of the p-i-n diode, obtained by producing hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) undoped layer between p- and n-type doped hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), were investigated. By means of current-voltage measurements, an idea about the qualities of the structures that make up the junctions in the diode was obtained. The diode ideality factor, the rectification factor, and the exponential behavior of the current with respect to stress have been shown to be the standard quality of the p-i-n joint structure. The admittance method, which provides quantitative information about the defect levels in semiconductor materials, has been used under forward bias in the p-i-n diode structure. The negative capacitance effect observed in the capacitance-frequency spectrum is modeled using a mathematical subprogram structure in MATLAB software with a reasonable equivalent circuit. It has been shown that the negative capacitance effect can be simulated using the coil in the equivalent circuit. At the same time, the frequency dependency, which must be loaded into equivalent impedance for a successful simulation, is correlated with AC hopping conduction.
Benzer Tezler
- Amorf silisyum katkılı schottky diyotların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation optical and electrical properties of amorphous silicon doped schottky diodes
GİZEM ÇELİKOK
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU
- Analysis of boron doped hydrogenated amorphous silicon carbide thin film for silicon heterojunction solar cells
Bor katkılı hidrojene amorf silisyum karbür katmanının silisyum heterojunction güneş pilleri için analizi
ARGHAVAN SALIMI
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Mühendislik BilimleriOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
PROF. DR. RAŞİT TURAN
YRD. DOÇ. DR. SELÇUK YERCİ
- Demir bazlı Fıscher-Tropsch katalizörüne promotörlerin etkisinin incelenmesi
Effect of promoters on iron based Fischer-Tropsch catalyst
OĞUZHAN KONUŞ
- Alternative surface texturing, passivation and charge selective contacts for crystalline silicon solar cells
Kristal silisyum güneş hücreleri için alternatif yüzey dokulandırma, pasivasyon ve yük seçici kontaklar
ELİF SARIGÜL DUMAN
Doktora
İngilizce
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
PROF. DR. RAŞİT TURAN
DOÇ. DR. SELÇUK YERCİ
- Designing nanostructured silicon frameworks from zintl precursors for high-energy density lithium-ion batteries
Yüksek enerji yoğunluklu lityum-iyon piller için zintl fazlarından nanoyapılı silisyum iskeletlerin tasarlanması
ASLI CEREN CAN