Geri Dön

InGaAs Gunn diyodu tabanlı ışık yayan aygıt üretimi ve karakterizasyonu

Fabrication and characterisation of InGaAs Gunn diode-based light emitting device

  1. Tez No: 775248
  2. Yazar: GÖKSENİN KALYON
  3. Danışmanlar: PROF. DR. AYŞE EROL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 89

Özet

Bu çalışmada, Gunn olayına dayalı olarak 1600 nm dalgaboyunda ışıma yapan n-tipi InGaAs-tabanlı Gunn aygıtlarının ışıma mekanizmaları ve Gunn osilasyonları incelenmiştir. InxGa1-xAs (x=0,53) alaşım yarıiletkeni InP alttaş üzerinde 5µm kalınlığında örgü uyumlu olarak Metal Organik Buhar Fazlı Epitaksi (Metal Organic Vapour Phase Epitaxy, MOVPE ) yöntemiyle büyütülmüş, Taramalı elektron mikroskopisi (Scanning Electron Microscope, SEM) ve Enerji Dağılımlı X-Işını Spektroskopisi (EDS) kullanılarak yapısal karakterizasyonları yapılmıştır. InxGa1-xAs-dayalı Gunn aygıtları farklı geometrilerde fotolitografi ve elektron demeti litografisi yöntemleriyle farklı şekil ve farklı kanal uzunluklarında üretilmiştir. Işıma dalgaboyu fotoışıma ölçümlerinin analizlerinden belirlenmiştir. Elektron yoğunluğu ve elektron mobilitesinin belirlenmesi için Hall olayı, Negatif Diferansiyel Rezistans (Negative Differential Resistance, NDR) bölgesinin belirlenmesi için ve Gunn osilasyonlarını gözlemlemek için yüksek hızlı akım-voltaj ölçümleri, ışıma spektrumunu ölçmek için elektrolüminesans (Electroluminescence, EL) ve ışıma şiddetinin elektrik alana bağlı değişimini incelemek için ışıma şiddeti-elektrik alan ölçümleri yapılmıştır. Gunn diyodundan NDR eşik değeri civarında uygulanan elektrik alanlarda domain içindeki yüksek elektrik alanla yaratılan impakt iyonizasyonla üretilen taşıyıcıların banttan banda rekombinasyonundan kaynaklanan ışıma gözlenmiştir. Işıma şiddeti eşik elektrik alan değerinin üzerinde elektrik alanlarda hızlı bir artış göstermiştir ve voltaj polaritesinden bağımsız olarak yüzeyden ışıma gözlenmiştir. 1605 nm'de gözlenen spektral EL piki şiddeti NDR eşik elektrik alanı üzerinde uygulanan elektrik alanla artmıştır. NDR koşulları sağlandığında gözlenen kararlı Gunn osilasyonlarının frekansı 1 GHz olarak belirlenmiştir

Özet (Çeviri)

In this study, light emission mechanism and Gunn oscillations of n-type InGaAs-based Gunn devices emitting at a wavelength of 1605 nm based on the Gunn effect were investigated. A 5µm thick InxGa1-xAs (x=0.53) epilayer was grown on lattice-matched semi-insulating InP using Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE). Structural characterizations were made by Scanning Electron Microscope (SEM) and Energy Dispersive X- Ray Spectroscopy (EDS) InxGa1-xAs-based Gunn devices have been fabricated in different geometries with a various channel lengths by photolithography and electron beam lithography methods. The emission wavelength of the diode was determined from the analyses of the photoluminescence measurements. Hall effect was utilised to find electron density and electron mobility. High-speed current-voltage measurement was conducted to determine the Negative Differential Resistance (NDR) region and to observe Gunn oscillations. Electroluminescence (EL) was ussed to measure the emission spectrum, and the integrated EL versus electric field were carried out to determine threshold electric field of the light emission. The device defined in simple bar with stepped anode region exhibits NDR characteristic and stable Gunn oscillations. The frequency of stable Gunn oscillations originated from intervalley transfer of hot electrons is determined as 1 GHz when NDR condition is satisfied. Light emission originating from the band-to-band recombination of excess carriers generated by impact ionization in Gunn domain is observed at electric fields around the NDR threshold. And its intensity drastically increases above NDR thereshold regardless of voltage polarity. The intensity of the spectral EL peak observed at 1605 nm increases with the applied electric field above NDR threshold electric field.

Benzer Tezler

  1. InGaAs gunn diyodu tabanlı ışık yayan aygıt yapılarının yapısal ve elektriksel karakterizasyonu

    Structural and electrical characterization of InGaAs gunn diode based light emitting device structures

    MERYEM DEMİR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ

  2. Characterization of InGaAs detectors for non-contact radiation temperature measurements

    Temassız radyasyon sıcaklığı ölçümleri için InGaAs detektörlerin karakterizasyonu

    SEMİH YURTSEVEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEVLÜT KARABULUT

    DR. SEDA OĞUZ AYTEKİN

  3. InGaAs epitaksiyel tabakaların optik ve elektriksel karakterizasyonu

    Optical and electrical characterization of InGaAs epitaxial layers

    SALEH MOHAMMAD AMINI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYŞE EROL

  4. Electrıcal characterısatıon of InGaAs/GaAs quantum well and graphene semıconductor structures

    InGaAs/GaAs kuantum kuyusu ve grafen yarıiletken yapıların elektriksel karakterizasyonu

    ADAL. AB. MA. RAJHI ADAL. AB. MA. RAJHI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYŞE EROL

  5. Development of ligand exchange and coating strategies for the colloidal quantum dot based high-resolution short-wave infrared imaging sensors

    Koloidal kuantum nokta tabanlı yüksek çözünürlüklü kısa dalga kızılötesi görüntüleme sensörleri için ligand değişimi ve kaplama stratejilerinin geliştirilmesi

    BATUHAN UZUN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ DEMET ASİL ALPTEKİN

    PROF. DR. TAYFUN AKIN