Safir alttaş üzerine MOCVD ile büyütülen mavi LED yapısının elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of blue LED structure growth by MOCVD on sapphire substrate
- Tez No: 530038
- Danışmanlar: PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2018
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 141
Özet
Bu çalışmada Metal Organik Kimyasal Buhar Biriktirme (MOCVD) yöntemi kullanılarak safir alttaş üzerine InGaN/GaN mavi ışık yayan diyot (LED) yapısı büyütülmüştür. Çalışmanın ilk aşamasında safir alttaş üzerine GaN tabakasının kaliteli şekilde büyütülebilmesi için iki aşamalı GaN büyütmesi yapılmıştır. Bu aşamalar düşük sıcaklık GaN (LT-GaN) tabakası ve yüksek sıcaklık GaN (HT-GaN) tabakası şeklinde yapılmıştır. Optimizasyon çalışmalarında faklı V/III oranı, toplam gaz akışı, nitridasyon süresi, LT-GaN tabakası büyütme sıcaklığı ve LT-GaN tabakası büyütme süresi çalışmaları yapılmıştır. Bu çalışma gruplarında yapısal karakterizasyon Yüksek Çözünürlüklü X Işını Kırınımı (HRXRD), Fotolüminesans (PL) ve Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) ölçümleri ile yapılmıştır. Elektriksel karaktrizasyon için ise Hall etkisi, akım-gerilim ve kapasitans-gerilim ölçümleri yapılmıştır. Ayrıca mavi ışık yayan diyot yapısı için farklı büyütme parametrelerinde InGaN/GaN çoklu kuantum kuyuları (MQW) büyütülmüş, kuyu-bariyer kalınlıklarının, MOW tekrar sayılarının ve GaN koruyucu tabakaların yapı üzerindeki etkileri araştırılmıştır.
Özet (Çeviri)
In this study, the InGaN / GaN blue light emitting diode (LED) structure was grown on the sapphire substrate using the Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) method. In the first phase of the study, two-stage GaN growth was performed in order to increase the GaN layer onto the sapphire. These steps were made in the form of low temperature GaN (LT-GaN) layer and high temperature GaN (HT-GaN) layer. In the optimization studies, different V / III ratio, total gas flow, nitridation time, LT-GaN layer growth temperature and LT-GaN layer growth time studies were performed. In these study groups, structural characterization was made by High Resolution X-ray Diffraction (HRXRD), Photoluminescence (PL) and Atomic Force Microscopy (AFM) measurements. Hall effect, current-voltage and capacitance-voltage measurements were made for electrical characterization. In addition, the InGaN / GaN multiple quantum wells (MQW) were grown in different growth parameters for the blue light emitting diode structure.
Benzer Tezler
- Inxga1-xn (x= 0,075; 0,090; 0,100) Mavi led'lerin mikroyapısal kusurlarının ters örgü uzay haritası ile incelenmesi
Investigation of Inxga1-xn (x= 0,075; 0,090; 0,100) Blue led's mi̇crostructure defects from reciprocal space mapping
YUNUS BAŞ
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA KEMAL ÖZTÜRK
DOÇ. DR. HALİT ALTUNTAŞ
- Safir alttaş üzerine mavi LED yapısının büyütülmesi ve yapısal karakterizasyonu
Growth of blue LED structure on sapphire substrate and structural characterization
İSMAİL ALTUNTAŞ
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Desenli safir alttaş üzerine farklı sıcaklık ve V/III oranı ile büyütülen AlN tabakasının optik ve yapısal özelliklerinin araştırılması
Investigation of the optical and structural properties of the AlN layer grown with different temperetures and V/III ratio on patterned sapphire substrate
FERHAN KÜBRA ÖZBAKIR
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiNanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ İSMAİL ALTUNTAŞ
- XRD ters örgü uzayı kullanılarak, Williamson Hall yöntemiyle InGaN LED'lerin elastik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of elastical properties of InGaN LEDs with Williamson Hall method by using XRD reciprocial space
GÖKÇE GÖKCE
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFAKEMAL ÖZTÜRK
DOÇ. DR. ORHAN ZEYBEK
- Grup III-V bileşik yarı iletkenlerde AFM yüzey karakterizasyonu
Afm surface characterization in group III-V compound semiconductors
SÜLEYMAN ÇÖREKÇİ