Nanoscale electron transport engineering for GaN optoelectronic devices
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 508516
- Danışmanlar: Prof. SIDDHARTH RAJAN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrol, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Computer Engineering and Computer Science and Control, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2016
- Dil: İngilizce
- Üniversite: The Ohio State University
- Enstitü: Yurtdışı Enstitü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 169
Özet
Özet yok.
Özet (Çeviri)
This dissertation investigates the use of transport and heterostructure engineering for achieving more efficient III-Nitride optoelectronic devices. III-Nitride light emitting diodes (LEDs) have found a wide range of applications for general lighting, displays and automobile headlights. However, the efficiency of these devices drops at high current operation which limits the input power density and increases the cost of the emitter. In this work, unconventional emitters for reducing efficiency droop were designed and demonstrated using plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE) growth. Nitrogen (N) –polar Gallium Nitride (GaN) LEDs with reversed polarization for better efficiency droop performance were investigated and the first N-polar LED emitting in the green spectrum was demonstrated. Cascading multiples of identical active regions was proposed as a method to circumvent efficiency droop. Unlike conventional single active region LEDs, electrical input power in such cascaded structures is supplied by increasing voltage, enabling high power output at relatively low current operation. MBE growth of cascaded (In)GaN LEDs was demonstrated, and the first three-junction blue LED was demonstrated with forward voltage operation of 9.1 V under 10 A/cm2. GaN tunnel homo-junctions are investigated for improved optoelectronic device functionality, and the first GaN Esaki diode was demonstrated with repeatable I-V characteristics and negative differential resistance with a peak forward tunneling current of 350 A/cm2. GaN tunnel junctions were then integrated with PN thermionic diodes to demonstrate highly efficient Zener-based contacts to a PN diode.
Benzer Tezler
- Modeling localized heating induced size effects in semiconductor devices
Yarı iletkenlerde lokal ısınmadan kaynaklanan boyut etkilerinin modellenmesi
CANBERK DÜNDAR
Yüksek Lisans
İngilizce
2020
Makine MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ FATMA NAZLI DÖNMEZER AKGÜN
- Investigation of the effect of graphene layers on magnon polariton spectrum in magnetic superlattices
Manyetik süperörgülerde grafen katmanlarının magnon polariton spektrumu üzerindeki etkisinin araştırılması
HIBA ELHARKATI
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiKarabük ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. REHİLE ASKERBEYLİ
- Synthesis of yellow-emissive carbon dots and observation of their interaction with aflatoxin B1
Sarı ışıma yapan karbon noktalarının sentezi ve aflatoksin B1 ile etkileşimlerinin gözlemlenmesi
ÖZGE ERGÜDER
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Bilim ve Teknolojiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CANER ÜNLÜ
- Computational design and analysis of nanostructured materials for neuromorphic engineering
Neuromorfik mühendislik için nano yapılı malzemelerin hesaplamalı tasarımı ve analizi
AYKUT TURFANDA
Doktora
İngilizce
2024
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HİLMİ ÜNLÜ
- Utilization of Titanium-silicalite-1 (TS-1) as inorganic filler in mixed matrix membrane formation for CO2 separation
CO2 ayırımı için karışık matrisli membranlarda (KMM) inorganik katkı maddesi olarak Titanyum-silikalit-1 (TS-1) kullanımı
ÖZLEM HAVAL DEMİREL
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞERİFE BİRGÜL ERSOLMAZ