Nanoscale electron transport engineering for GaN optoelectronic devices
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 508516
- Danışmanlar: Prof. SIDDHARTH RAJAN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrol, Electrical and Electronics Engineering, Computer Engineering and Computer Science and Control
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2016
- Dil: İngilizce
- Üniversite: The Ohıo State Unıversıty
- Enstitü: Yurtdışı Enstitü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Özet yok.
Özet (Çeviri)
This dissertation investigates the use of transport and heterostructure engineering for achieving more efficient III-Nitride optoelectronic devices. III-Nitride light emitting diodes (LEDs) have found a wide range of applications for general lighting, displays and automobile headlights. However, the efficiency of these devices drops at high current operation which limits the input power density and increases the cost of the emitter. In this work, unconventional emitters for reducing efficiency droop were designed and demonstrated using plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE) growth. Nitrogen (N) –polar Gallium Nitride (GaN) LEDs with reversed polarization for better efficiency droop performance were investigated and the first N-polar LED emitting in the green spectrum was demonstrated. Cascading multiples of identical active regions was proposed as a method to circumvent efficiency droop. Unlike conventional single active region LEDs, electrical input power in such cascaded structures is supplied by increasing voltage, enabling high power output at relatively low current operation. MBE growth of cascaded (In)GaN LEDs was demonstrated, and the first three-junction blue LED was demonstrated with forward voltage operation of 9.1 V under 10 A/cm2. GaN tunnel homo-junctions are investigated for improved optoelectronic device functionality, and the first GaN Esaki diode was demonstrated with repeatable I-V characteristics and negative differential resistance with a peak forward tunneling current of 350 A/cm2. GaN tunnel junctions were then integrated with PN thermionic diodes to demonstrate highly efficient Zener-based contacts to a PN diode.
Benzer Tezler
- Modeling localized heating induced size effects in semiconductor devices
Yarı iletkenlerde lokal ısınmadan kaynaklanan boyut etkilerinin modellenmesi
CANBERK DÜNDAR
Yüksek Lisans
İngilizce
2020
Makine MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ FATMA NAZLI DÖNMEZER AKGÜN
- Karmosin gıda boyasının bozunması için Ag/AgVO3@g-C3N4 nanokompozit fotokatalizörlerin geliştirilmesi
Investıgatıon of Ag/AgVO3@rGO@g-C3N4 nanocomposıtephotocatalysts for the degradatıon of carmoısıne fooddye
ESRA ÇAKAR
- Işıkla tetiklenen ters elektron gereksinimli Diels-Alder reaksiyonu ile tek zincir polimer nanoparçacıkların hazırlanması
Fabrication of single-chain polymer nanoparticles by light-induced electron demand Diels-Alder reaction
ADALET NUR ALTUNKAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUHAMMET ÜBEYDULLAH KAHVECİ
- Elektrospinning tekniği ve UV ışımasının eşzamanlı olarak uygulanması ile nanofiber membranların uygulanması hazırlanması ve kıymetli metallerin adsorpsiyonunda
Preparation of nanofiber membranes by the implementation of electrospinning technique and UV radiation simultaneously and application on adsorption of precious metals
BİHTER ZEYTUNCU
Doktora
Türkçe
2014
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN AKMAN
PROF. DR. ONURALP YÜCEL
- Production and characterization of biodegradable nanofibrous mats for food packaging applications
Gıda paketleme uygulamalari için biyolojik olarak parçalanabilir nanolifli matlarin üretimi ve karakterizasyonu
SALIH BIRHANU AHMED
Doktora
İngilizce
2025
Makine MühendisliğiKarabük ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HARUN ÇUĞ
DOÇ. DR. YASİN AKGÜL