Ultraince bariyerli GaN-temelli yüksek elektron hareketliliğine sahip transistörlerin elektriksel özellikleri ve saçılma analizleri
Electrical characteristics and scattering analysis of ultrathin barrier GaN-based high electron mobility transistors
- Tez No: 511558
- Danışmanlar: PROF. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2018
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 67
Özet
Bu çalışmada MOCVD tekniği ile büyütülmüş ultraince bariyerli AlN/GaN ve In0,17Al0,83N/GaN yüksek elektron hareketlilikli transistör (HEMT) yapılarının Hall etkisi ve taşıyıcı yoğunluğu ölçümleri 15-300 K sıcaklıkları aralığında ve 0,5 T sabit manyetik alan altında yapıldı. Ölçümler sonucunda 2-Boyutlu elektron gazı (2DEG) taşıyıcı yoğunlukları ve hareketlilikleri hesaplandı. Sıcaklığa bağlı Hall etkisi ölçüm sonuçları kullanılarak her bir numune için elektron hareketliliğini etkileyen saçılma mekanizmalarının analizleri yapıldı. Saçılma analizleri sonucunda, deformasyon potansiyeli, korelasyon uzunluğu ve kuyu genişliği gibi numuneler ile ilgili parametreler belirlendi.
Özet (Çeviri)
In this study, Hall effect and sheet carrier density measurements of ultrathin barrier AlN/GaN and In0.17Al0.83N/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structures by MOCVD technique were performed at a temperature of 15-300K and 0.5T magnetic field. As a result of measurements, 2-dimensional electron gas (2DEG) sheet carrier densities and mobility were calculated. Analysis of scattering mechanisms affecting electron mobility for each sample was made using Hall effect measurement results based on temperature. As a result of the scattering analysis, the parameters related to the samples as deformation potential, correlation length and quantum well width were determined.
Benzer Tezler
- Ultraince Bariyerli GaN Temelli Çoklu yapılarda 2- Boyutlu Elektron Gazının Elektron Ve Manyeto İletim Özellikleri
Electron And Magnetotransport Investıgatıon Of 2- Dimensional Electron Gas In Ultrathin Barrier Gan- Based Heterostructures
CEM GÜNEŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- GaN-temelli ultraince bariyerli yüksek elektron devingenlikli transistörlerinin benzetimi ve optimizasyonu
Simulation and optimation of GaN-based ultrathin barrier high electron mobility transistors
JANGEEZ MOSTAFA M JAMEEL AL ABBAS
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- Tunnelling induced photon emission from surface/interface systems of graphene on copper
Tünelleme akımıyla indüklenen bakır üstü grafen yüzey/arayüz sistemlerinin foton emisyonu
HAKKI TUNÇ ÇİFTÇİ
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. OĞUZHAN GÜRLÜ
- Development of interlayer based thin-film nanofibrous composite membranes adjusted by functionalized carbon nanotubes for effectual water purification
Etkili su arıtma için fonksiyonelleştirilmiş karbon nanotüplerle ayarlanan iç tabaka bazlı ince film nanolifli kompozit membranların geliştirilmesi
SEYEDEHNEGAR ARABI
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Çevre Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BİHTER ZEYTUNCU GÖKOĞLU
DOÇ. DR. HÜLYA CEBECİ
- Nanokompozit yapılı lif tasarımı ve geliştirilmesi
Design and development of nanocomposite fibers
NURAY KIZILDAĞ
Doktora
Türkçe
2017
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NURAY UÇAR