Ultraince Bariyerli GaN Temelli Çoklu yapılarda 2- Boyutlu Elektron Gazının Elektron Ve Manyeto İletim Özellikleri
Electron And Magnetotransport Investıgatıon Of 2- Dimensional Electron Gas In Ultrathin Barrier Gan- Based Heterostructures
- Tez No: 330685
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, ultraince bariyerli AlInN/GaN ve ultraince bariyerli AlInN/AlN/GaN/AlN yapılarına sahip 4 numunenin elektron iletim ve manyeto iletim özellikleri incelendi. Özdirençleri 30 ? 300 K sıcaklığı arasında, Hall hareketliliği ve Hall taşıyıcı yoğunlukları aynı sıcaklık aralıklarında 0 ? 1.4 T manyetik alan altında ölçülmüştür. Hall ölçüm sonuçlarında 2- boyutlu elektron gazı taşıyıcı yoğunlukları ve ilgili hareketlilikler hesaplandı. Sıcaklığa bağımlı Hall ölçüm sonuçları kullanılarak her bir numunenin saçılma analizleri yapıldı. Yapılan saçılma analizleri sonucunda; korelasyon uzunluğu, deformasyon potansiyeli ve kuyu genişliği gibi malzeme ile ilgili parametreler belirlendi.
Özet (Çeviri)
In this study, electron and magneto transport properties of 4 different ultrathin barrier AlInN/GaN and AlInN/AlN/GaN/AlN structures were investigated. Resistivities were measured at a temperature of 30 ? 300 K, Hall mobilities and Hall carrier densities were measured at the same temperature range with magnetic field intensities 0 ? 1.4 T. 2 ? dimensional electron gas (2DEG) carrier densities and mobilities are calculated from these measurements. Results of Hall measurements were used to investigate scattering mechanisms of each structure. Also, material related parameters named well width of the quantum well, correlation length and deformation potential were determined with the help of scattering analyses.
Benzer Tezler
- GaN-temelli ultraince bariyerli yüksek elektron devingenlikli transistörlerinin benzetimi ve optimizasyonu
Simulation and optimation of GaN-based ultrathin barrier high electron mobility transistors
JANGEEZ MOSTAFA M JAMEEL AL ABBAS
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- Ultraince bariyerli GaN-temelli yüksek elektron hareketliliğine sahip transistörlerin elektriksel özellikleri ve saçılma analizleri
Electrical characteristics and scattering analysis of ultrathin barrier GaN-based high electron mobility transistors
MEHMET ÖZTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- Reliability measurements and analysis of gallium nitride on silicon carbide high electron mobility transistors (gan-on-sic hemts)
Silisyum karbür üzerinde galyum nitrat yüksek elektron hareketliliğine sahip transistörlerin (gan-on-sic hemt) güvenilirlik ölçümleri ve analizi
MAHMUT CAN SOYDAN
Doktora
İngilizce
2025
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- Improvement in performance and reliability of gallium nitride based high electron mobility transistor (HEMT)
Galyum nitrür tabanli yüksek elektron hareketliliğine sahip transistörün (HEMT) performans ve güvenilirliğinde iyileştirme.
AMIR ALI JOYA
Yüksek Lisans
İngilizce
2026
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
PROF. DR. CEYHUN BULUTAY
PROF. DR. ALİ BOZBEY
- Atomik katman biriktirme (ALD) film kaplı polimer gıda ambalajlarının bariyer özellikleri
Barrier properties of atomic layer deposition (ALD) film coated food packaging polymers
ESMA KORKMAZ
Doktora
Türkçe
2025
Polimer Bilim ve TeknolojisiBursa Uludağ ÜniversitesiPolimer Malzemeler Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HALİL İBRAHİM AKYILDIZ