Geri Dön

GaN-temelli ultraince bariyerli yüksek elektron devingenlikli transistörlerinin benzetimi ve optimizasyonu

Simulation and optimation of GaN-based ultrathin barrier high electron mobility transistors

  1. Tez No: 441876
  2. Yazar: JANGEEZ MOSTAFA M JAMEEL AL ABBAS
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2016
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 115

Özet

Bu çalıĢmada AlN, AlGaN ve AlInN ultraince bariyerli GaN temelli yüksek elektron devingenlikli transistör (HEMT) çoklu yapılarının 2-Boyutlu Elektron Gazı (2DEG) özellikleri bir boyutlu kendini-eĢleyebilen Schrödinger-Poisson denklemlerinin çözümleri kullanılarak incelendi. AlN, AlGaN ve AlInN ultraince bariyerli toplam 10 farklı yapı için farklı GaN kapak katman ve farklı bariyer katman kalınlıklarının ve katkı yoğunluklarının iletkenlik bant profili, elektron bulunma olasılığı ve taĢıyıcı yoğunluğu üzerine etkileri incelenmiĢtir. Ayrıca bazı çoklu yapılar farklı InGaN kanal kalınlıklarına ve katkı tipine göre de incelenmiĢtir. Elde edilen verileri kullanılarak en yüksek taĢıyıcı yoğunluğuna sahip olan ve elektron bulunma olasılığı cinsinden saçılma mekanizmalarından en az etkilenebilecek özelliklere sahip en iyileĢtirilmiĢ ultraince bariyerli GaN temelli HEMT çoklu yapıları gelecek aygıt araĢtırmaları için öne sürülmüĢtür.

Özet (Çeviri)

In this study, 2-Dimensional Electron Gas (2DEG) properties of GaN-based high electron mobility transistor (HEMT) heterostructures with ultrathin AlN, AlGaN and AlInN barriers were investigated by using the solutions of one-dimensional self-consistent SchrödingerPoisson equations. For each heterostructures with ultrathin AlN, AlGaN and AlInN barriers, the effects of different GaN cap layer and barrier layer thicknesses and doping concentrations on the conduction band profile, electron probability densities and sheet carrier densities were examined. In addition, some of these heterostructures were evaluated according to different InGaN channel thicknesses and doping concentrations. Using the obtained results, optimized GaN-based HEMT heterostructures with ultrathin barrier, which have the highest sheet carrier density and 2DEG carriers less affected from scattering mechanisms, were suggested for future device investigations

Benzer Tezler

  1. Ultraince bariyerli GaN-temelli yüksek elektron hareketliliğine sahip transistörlerin elektriksel özellikleri ve saçılma analizleri

    Electrical characteristics and scattering analysis of ultrathin barrier GaN-based high electron mobility transistors

    MEHMET ÖZTÜRK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN

  2. Ultraince Bariyerli GaN Temelli Çoklu yapılarda 2- Boyutlu Elektron Gazının Elektron Ve Manyeto İletim Özellikleri

    Electron And Magnetotransport Investıgatıon Of 2- Dimensional Electron Gas In Ultrathin Barrier Gan- Based Heterostructures

    CEM GÜNEŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN

  3. A comprehensive analysis of GaN HEMTs: Electro-mechanical behavior, defect generation, and drain lag reduction with HfO2 layers

    GaN YEMT'lerin kapsamlı bir analizi: Elektro-mekanik davranış, kusur oluşumu ve HfO2 katmanları ile elektriksel kararlılığın iyileştirilmesi

    BURAK GÜNEŞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EKMEL ÖZBAY

    DR. BAYRAM BÜTÜN

  4. GaN temelli yüksek elektron mobiliteli transistör (HEMT) tasarımı, fabrikasyonu ve karakterizasyonu

    Design, fabrication and characterization of GaN based high electron mobility transistors (HEMT)

    ÖZGÜR KELEKÇİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK

  5. AlGaN/GaN temelli yüksek elektron hareketlilikli transistörlerin (HEMT) elektron ve manyeto iletim özellikleri

    Electron and magneto transport properties of AlGaN/GaN based high electron mobility transistors (HEMT)

    SEFER BORA LİŞESİVDİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF. DR. MEHMET KASAP