GaN-temelli ultraince bariyerli yüksek elektron devingenlikli transistörlerinin benzetimi ve optimizasyonu
Simulation and optimation of GaN-based ultrathin barrier high electron mobility transistors
- Tez No: 441876
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2016
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 115
Özet
Bu çalıĢmada AlN, AlGaN ve AlInN ultraince bariyerli GaN temelli yüksek elektron devingenlikli transistör (HEMT) çoklu yapılarının 2-Boyutlu Elektron Gazı (2DEG) özellikleri bir boyutlu kendini-eĢleyebilen Schrödinger-Poisson denklemlerinin çözümleri kullanılarak incelendi. AlN, AlGaN ve AlInN ultraince bariyerli toplam 10 farklı yapı için farklı GaN kapak katman ve farklı bariyer katman kalınlıklarının ve katkı yoğunluklarının iletkenlik bant profili, elektron bulunma olasılığı ve taĢıyıcı yoğunluğu üzerine etkileri incelenmiĢtir. Ayrıca bazı çoklu yapılar farklı InGaN kanal kalınlıklarına ve katkı tipine göre de incelenmiĢtir. Elde edilen verileri kullanılarak en yüksek taĢıyıcı yoğunluğuna sahip olan ve elektron bulunma olasılığı cinsinden saçılma mekanizmalarından en az etkilenebilecek özelliklere sahip en iyileĢtirilmiĢ ultraince bariyerli GaN temelli HEMT çoklu yapıları gelecek aygıt araĢtırmaları için öne sürülmüĢtür.
Özet (Çeviri)
In this study, 2-Dimensional Electron Gas (2DEG) properties of GaN-based high electron mobility transistor (HEMT) heterostructures with ultrathin AlN, AlGaN and AlInN barriers were investigated by using the solutions of one-dimensional self-consistent SchrödingerPoisson equations. For each heterostructures with ultrathin AlN, AlGaN and AlInN barriers, the effects of different GaN cap layer and barrier layer thicknesses and doping concentrations on the conduction band profile, electron probability densities and sheet carrier densities were examined. In addition, some of these heterostructures were evaluated according to different InGaN channel thicknesses and doping concentrations. Using the obtained results, optimized GaN-based HEMT heterostructures with ultrathin barrier, which have the highest sheet carrier density and 2DEG carriers less affected from scattering mechanisms, were suggested for future device investigations
Benzer Tezler
- Ultraince bariyerli GaN-temelli yüksek elektron hareketliliğine sahip transistörlerin elektriksel özellikleri ve saçılma analizleri
Electrical characteristics and scattering analysis of ultrathin barrier GaN-based high electron mobility transistors
MEHMET ÖZTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- Ultraince Bariyerli GaN Temelli Çoklu yapılarda 2- Boyutlu Elektron Gazının Elektron Ve Manyeto İletim Özellikleri
Electron And Magnetotransport Investıgatıon Of 2- Dimensional Electron Gas In Ultrathin Barrier Gan- Based Heterostructures
CEM GÜNEŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- A comprehensive analysis of GaN HEMTs: Electro-mechanical behavior, defect generation, and drain lag reduction with HfO2 layers
GaN YEMT'lerin kapsamlı bir analizi: Elektro-mekanik davranış, kusur oluşumu ve HfO2 katmanları ile elektriksel kararlılığın iyileştirilmesi
BURAK GÜNEŞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
DR. BAYRAM BÜTÜN
- GaN temelli yüksek elektron mobiliteli transistör (HEMT) tasarımı, fabrikasyonu ve karakterizasyonu
Design, fabrication and characterization of GaN based high electron mobility transistors (HEMT)
ÖZGÜR KELEKÇİ
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- AlGaN/GaN temelli yüksek elektron hareketlilikli transistörlerin (HEMT) elektron ve manyeto iletim özellikleri
Electron and magneto transport properties of AlGaN/GaN based high electron mobility transistors (HEMT)
SEFER BORA LİŞESİVDİN