Metal etkileşimli kristalleşme yöntemi ile polikristal silisyum ince film üretimi ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Production of polycrystalline silicon thin films by metal induced crystallization method and investigating their electrical properties
- Tez No: 527994
- Danışmanlar: DOÇ. DR. AKIN BACIOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Enerji, Energy
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2018
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Temiz Tükenmez Enerjiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 74
Özet
Elektron demeti buharlaştırma tekniğiyle 14 nm kalınlığında alüminyum (Al) metali atılmış cam alttaban üzerine, Plazma Destekli Kimyasal Buhar Biriktirme (PECVD) sisteminde, 100 nm kalınlığında hidrojenlendirilmiş amorf silisyum (a-Si:H) kaplanmıştır. Kaplama işlemi sonunda oluşan cam / Al / a-Si:H yapısında ki örnekler, 250 - 500 °C ve 1 - 24 saat aralığında değişen tavlama sıcaklığı ve sürelerinde, atmosfer ortamında tavlanarak pc-Si yapısı üretilmiştir. Polikristal silisyum örneklerin, Raman Spektroskopisi ve Taramalı Elektron Mikroskobu ile yapısal analizleri yapılarak, kristal oluşumu incelenmiştir. Deneysel sonuçlara göre 400°C'nin altındaki tavlama sıcaklıklarında kristalleşmeye rastlanmamıştır. 400°C ve üzeri sıcaklıklarda yapılan tavlamalarda ise farklı kristalizasyon oranlarında kristalleşmenin oluştuğu gözlenmiştir. Ayrıca tavlama sıcaklığı ve süresi kadar dış ortam koşullarının, özellikle basıncın da kristalizasyonun başlaması üzerinde önemli etkisi olduğu sonucuna varılmıştır. Kristal oluşumunun, elektriksel dirence etkisi de araştırılmıştır. Doğru akım IV ölçüm sonuçlarından, polikristal oluşumuna paralel olarak, örneklerin özdirençlerinin tavlama süresi ve sıcaklığı ile keskince arttığı gözlenmiştir.
Özet (Çeviri)
A 14 nm - thick aluminum film is coated on a glass substrate by using an e-Beam Evaporation system, Then onto the top of the aluminum layer, hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin film is deposited by using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) method, at a thickness of 100 nm. The deposited samples with the structure of glass / Al / a-Si:H are annealed in ambient conditions to grow polycrystalline silicon (pc-Si) structure, at different temperatures ranging from 250 to 500 °C and at different durations, from 1 to 24 hours. To evaluate the crystal ratio and polycrystalline formation, mainly Raman Spectroscopy and Scanning Electron Microscopy are carried out. The results show that none of the annealed samples below 400°C exhibits crystal formation. The crystallization is observed to start for the samples annealed at and above 400°C. It is also concluded that not only the temperature and annealing periods are critical but also the ambient conditions, particularly pressure, has an important effect on the onset of the crystal formation. The change of electrical resistivity by poly-crystal formation is also studied. From the direct current IV measurements, it is found that the resistivity of the samples is increased sharply by both annealing temperature and time, which is parallel to the observation on the onset of the polycrystal formation.
Benzer Tezler
- Amorf silisyumun alüminyum ve altın etkileşimli kristalleştirilmesi, elektriksel ve soğurma özelliklerinin incelenmesi
Aluminum and gold induced crystallization of amorphous silicon, investigation of electrical and absorption properties
ADNAN MÜSLİM MENEVŞE
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AKIN BACIOĞLU
- Geçiş metali alaşımlarında amorf yapıdan kristal yapıya dönüşümün moleküler dinamik yöntemi ile incelenmesi
Investigation of transformation from amorphous state to crystalline state for transition metal alloys by molecular dynamics method
FATİH AHMET ÇELİK
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULKADİR YILDIZ
- Controlled release of tetracycline hydrochloride from silica based polycaprolactone nanohybrides
Silika esaslı polikaprolakton nanohibritlerden tetrasiklın hidroklorürün kontrollü salınımı
AYBUKE CENGİZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Biyoteknolojiİstanbul Teknik ÜniversitesiMoleküler Biyoloji-Genetik ve Biyoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FATOŞ YÜKSEL GÜVENİLİR
- Development of antibacterial coatings on titanium based biomaterials
Titanyum esaslı biyomalzemeler üzerinde antibakteriyel kaplamalar geliştirilmesi
DİLEK TEKER AYDOĞAN
Doktora
İngilizce
2022
Biyomühendislikİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSEYİN ÇİMENOĞLU
- 2,4,5-trimetilfeniletinil sübstitüye ftalosiyaninlerin sentezi elektrokimyasal, spektroelektrokimyasal ve elektrokromik özelliklerinin incelenmesi
Synthesis and investigation of electrochemical, spectroelectrochemical and electrochromic properties of 2,4,5-trimethylphenylethynyl substituted phthalocyanines
SEVGİ ÖZCAN