Schottky metal kalınlığına bağlı olarak hazırlanan Ti/n-GaAs Schottky kontakların Sıcaklık bağımlı karakteristiklerinin belirlenmesi
Determination of temperature-dependent characteristics of Schottky metal-thickness Ti/n-GaAs Schottky contacts
- Tez No: 341659
- Danışmanlar: DOÇ. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky diyotlar, Termo-iyonik emisyon, Norde fonksiyonu, GaAs, Engel yüksekliği, Metal kalınlığı, Schottky kontakları, Schottky diodes, Thermionic emission, Norde's function, GaAs, Barrier height, Metal thickness, Schottky contacts
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tez çalışmasında, DC magnetron püskürtme yöntemi ile farklı metal kalınlıklarına sahip Ti/n-GaAs/In Schottky diyot numuneleri üretildi. Numunelerin elektriksel karakteristikleri 60-320 K derece sıcaklık aralığında incelendi. Sıcaklık 20 K derecelik basamaklarla değiştirilirken her bir numune için akım-gerilim ölçümleri yapıldı. Yapılan ölçümlerden, üretilen Schottky diyot numunelerinin idealite faktörü, potansiyel engel yüksekliği ve seri direnç gibi temel elektriksel parametreleri sıcaklığa bağlı olarak hesaplandı. Üretilen numunelerin idealite faktörleri 140-320 K sıcaklığı arasında 1,01 ile 1,10 arasında neredeyse değişmeyen değerlere sahiptir. Bu durum deneysel verilerin numune sıcaklığından bağımsız olduğuna ve 140 K üzeri sıcaklıklarda termo-iyonik emisyon modeline iyi uyduğuna yorumlanabilir. Öte yandan aynı sıcaklık aralığında numunelerin engel yükseklikleri sıcaklığın düşmesi ile az miktarda artmıştır. Aynı şekilde seri direnç için de azalan sıcaklık ile bir artış görülmüştür. Artan metal kalınlığının engel yüksekliğini azalttığı, idealite faktöründe görülür bir değişime sebebiyet vermediği, seri direnci ise arttırdığı görülmüştür. Elde edilen neticelerin literatürle uyumlu olduğu tespit edilmiştir.
Özet (Çeviri)
In this thesis we have measured the I?V characteristics of Ti/n-GaAs/In Schottky barrier diodes (SBDs) in the temperature range of 60?320 K by the steps of 20 K. The SBDs with different metal thicknesses have been prepared by DC magnetron sputtering. From the I?V characteristics of the Schottky diodes, ideality factor, barrier height and series resistance values have obtained with respect to temperature. The ideality factors of the devices have remained almost unchanged between 1.01 and 1.10 from 140 to 320 K. Therefore, it has been said that the experimental I?V data are almost independent of the sample temperature and quite well obey the thermionic emission (TE) model at temperatures above 140 K. Furthermore, the barrier height (BH) ?_b slightly increased with a decrease in temperature, 320?140 K. Series resistance values have also increased with the decreasing temperature. Barrier height values have decreased with the increasing metal thickness while ideality factor remained unchanged and series resistance values have increased. Results have been found to be consistent with those in the literature.
Benzer Tezler
- Au/TiO2/n-Si/Au Schottky engelinin diyot parametrelerinin sıcaklığa ve frekansa bağlı incelenmesi
Temperature and frequency depent investigation of diode parameters of Au/TiO2/n-Si/Au Schottky barrier
MURAT SEL
- Amorf silisyum ve alaşımları heteroeklemlerin elektronik ve optik özelliklerinin incelenmesi
Electronic and optical properties of heterostructures fabricated by using a-Si:H and its alloys
İLKER AY
- Metal/yalıtkan/n-GaAs hidrojen sensörlerinin araştırılması ve geliştirilmesi
Investigation and development of metal/insulator/n-GaAs hydrojen sensors
NEVİN UĞUR
- P-GaAs yariiletkeni ile hazırlanan metal yariiletken kontakların elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of diode properties of schottky barrier prepared with p-GaAs semiconductor
AHMET ASİMOV
- Gap yarıiletkeni ile hazırlanan metal-yarıiletken kontakların elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of electrical properties of metal-semiconductor contacts prepared with gap semiconductor
BİROL ÖNAL
