Dört bileşenli fonksiyonel yarıiletken infrared fotodedektörlerinin üretilmesi ve elektronik özelliklerinin belirlenmesi
Fabrication of quaternary functional semiconductor infrared photodetectors and investigation of their electronic properties
- Tez No: 539155
- Danışmanlar: PROF. DR. FAHRETTİN YAKUPHANOĞLU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Fırat Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 109
Özet
Bu tez çalışmasında, Cu2CoSnS4, Cu2NiSnS4 ve Ti1-xO2CdxO (x = 0.0,0.01,0.05,0.10) malzemeleri sırasıyla hidrotermal ve sol jel yöntemleriyle sentezlenmiştir. Cd katkılı TiO2 filmler, cam substratlar üzerinde, spin kaplama yöntemi ile büyütülmüştür. Numunelerin yapısal özellikleri, XRD, SEM ve UV-Vis teknikleri kullanılarak analiz edilmiştir. Al/p-Si/Cu2CoSnS4/Al, Al/p-Si/Cu2NiSnS4/Al ve Al/n-Si/Ti1-xO2CdxO/Al diyotlarının elektriksel özellikleri akım-voltaj, kapasite-voltaj ve akım-zaman elektriksel karakterizasyon teknikleri ile analiz edilmiştir. Güneş ve IR ışıkları altındaki diyotların fotoakımı, karanlık akımdan daha yüksektir. Diyotların ışığa duyarlılığı ve fototepki özellikleri analiz edilmiştir. TiO2 esaslı diyotların fototepkileri Cd ilavesiyle değiştirildi. Güneş ışığı altında TiO2 ve %10 Cd katkılı diyotun ışığa duyarlılık değerleri sırasıyla 0,103.10-3 A/W ve 0,139.10-2 A/W olarak bulunmuştur. Elde edilen sonuçlar hazırlanan fotodedektörlerin optoelektronik uygulamalarda kullanılabileceğini göstermektedir.
Özet (Çeviri)
In this thesis study, Cu2CoSnS4, Cu2NiSnS4 and Ti1-xO2CdxO (x = 0.0,0.01,0.05,0.10) materials have been respectively synthesized by hydrothermal and sol gel methods. Cd doped TiO2 films have been grown on the glass substrates with a spin coating method. The structural properties of the samples have been analyzed using XRD, SEM and UV-Vis techniques. The electrical characteristics of Al/p-Si/Cu2CoSnS4/Al, Al/p-Si/Cu2NiSnS4/Al and Al/n-Si/Ti1-xO2CdxO/Al diodes have been analyzed by current-voltage, capacity-voltage and current-time electrical characterization techniques. The photocurrent of the diodes under solar and IR lights is higher than the dark current. The photosensitivity and photoresponse properties of the diodes have been analyzed. The photoresponse of TiO2 based diodes has been changed with the addition of Cd. The photosensitivity values of TiO2 and 10%Cd doped diode under sunlight have been found to be 0,103.10-3 A/W and 0,139.10-2 A/W, respectively. The obtained results indicate that the prepared photodetectors can be used in optoelectronic applications.
Benzer Tezler
- Dört bileşenli fonksiyonel malzeme arayüzeyli metal/yarıiletken (MS) fotodiyotların hazırlanması ve elektrik ile optik özelliklerinin incelenmesi
The fabrication of metal/semiconductor (MS) photodiodes with quaternary functional interfacial layer and investigation their electric and optic characteristics
KEVSER YILDIZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEÇKİN ALTINDAL YERİŞKİN
- Solution-processed thin film deposition and characterization of multinarychalcogenides: Towards highly efficient Cu2BaSn(S,Se)4 solar devices
Solüsyon yöntemiyle sentezlenmiş çok elementli kalkojenitlerin ince film kaplama ve karakterizasyonu: Yüksek verimli Cu2BaSn(S,Se)4 bazlı güneş soğuran cihazlara doğru
BETÜL TEYMUR
Doktora
İngilizce
2022
EnerjiDuke UniversityMalzeme Bilimi ve Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. DAVİD B.MİTZİ
- Kinolin grubu içeren bazı yeni porfirin bileşiklerinin sentezi ve yapılarının aydınlatılması
Synthesis and structures elucidation of some new porphyrin compounds containing quinoline group
MILAD NOROUZIDASTJERDI
- Al/p-Si arayüzeyinde farklı oranlarda grafen katkılanmış PVA bulunan yapının frekansa bağlı elektrik ve dielektrik özellikleri
Frequency dependent electrical and dielectric properties of the structure with different ratios of graphene-doped PVAat the Al/p-Si interface
MERVE YÜREKLİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR
- Modeling statistical variations in MOS transistors
MOS transistörlerde istatistiksel değişimlerin modellenmesi
GÜLİN TULUNAY
Yüksek Lisans
İngilizce
2001
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiPROF. DR. ATİLLA ATAMAN