Fe katkılı ve katkısız TlGaS2 tek kristallerinin büyütülmesi XRD ve Raman spektrumlarının incelenmesi
Undoped and Fe doped TlGaS2 single crystal growth investigation of XRD and Raman spectrums
- Tez No: 559075
- Danışmanlar: DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 87
Özet
Katkısız TlGaS2 ve Fe katkılı TlGaS2 üçlü yarıiletkenler, modifiye edilmiş Bridgman - Stockbarger kristal büyütme yöntemi ile elde edilmiştir. Büyütülen numuneler tabakalı yapıya sahip olup, çatlak ve noktasal kusuru oldukça az olan, ayna gibi parlak yüzeylere sahip olduğu gözlenmiştir. Oksitlenme ve element kaybının olması gibi etkenler göz önüne alınarak ilgili elementler tek bir ampulde ve tek bir seferde büyütülmüştür. TlGaS2 ve Fe katkılı TlGaS2 üçlü yarıiletken kristallerinin büyütme işlemi ön reaksiyonla birlikte 16 günde tamamlanmıştır. Üçlü bileşiklerin XRD spektrumları oda sıcaklığında alınmıştır. TlGaS2 ve Fe katkılı TlGaS2 yarıiletkenlerinin, en şiddetli pikinden (004) bazı kristal özellikleri hesaplanmıştır. Bu kristal özelliklerinden yansıma düzlemleri arasındaki mesafe (d), tanecik büyüklüğü (D), zorlanma derecesi (ε), dislokasyon yoğunluğu (δ), birim alan başına kristal sayısı (N) ve mikro gerinim veya mikro zorlanma (σ) değerleri bulunmuştur. Örgü parametreleri ve elektriksel iletkenliği elde edilmiştir. X-ışınları kırınımı bulguları incelendiğinde katkısız TlGaS2 ve Fe katkılı TlGaS2 yarıiletkenlerin monoklinik yapıya sahip olduğu bulunmuştur. TlGaS2 yarıiletkenine (%0,02) Fe katkılama sonucu pik şiddetlerinde iki kat artışın olduğu ve piklerin yarı genişliğinin (FWHM) daraldığı gözlemlenmiştir. TlGaS2 yarıiletkeninin Raman spektrumu alınmış, altı tipik titreşim tepesi bulunmuş ve Fe katkılı olan numunelerle kıyaslanmıştır.
Özet (Çeviri)
TlGaS2 and Fe doped TlGaS2 triple semiconductors were obtained by modified Bridgman - Stockbarger crystal magnification method. The specimens have a stratified structure and have a glossy and mirror-like surface. Considering factors such as oxidation and loss of elements, the relevant elements were enlarged in a single light bulb and in a single time. TlGaS2 and Fe-doped TlGaS2 triple semiconductor crystals were grown with pre-reaction in 16 days. The XRD spectra of the triple compounds were taken at room temperature. Some crystalline properties of the TlGaS2 and Fe doped TlGaS2 semiconductors were calculated from the most severe peak (004). From these crystal properties, the distance (d), particle size (D), the degree of strain (ε), the density of dislocation (δ), the number of crystals per unit area (N), and micro-strain or micro-strain (σ) values were found. Lattice parameters and electrical conductivity were obtained. When X-ray diffraction findings were examined, it was found that TlGaS2 and Fe added TlGaS2 semiconductors had monoclinic structure. TlGaS2 semiconductor (%0,02) Fe as a result of the contribution of the increase in the peak intensity of the peak and the half-width of the peaks were observed to decrease. The Raman spectrum of TlGaS2 semiconductor was taken, six typical vibration peaks were found and compared to those with Fe additives.
Benzer Tezler
- Fe3+ atomları ile katkılandırılmış TIInS2 ve TIGaSe2 ferroelektrik kristallerinin dielektik özellikleri
Dielectric specialities of TIInS2 and TIGaSe2 crystals which are doped with Fe3+ atoms
CEMALETTİN BALTA
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. FAİK MİKAİLOV
- Fabrication and characterization of undoped and doped PNN-PZT ceramics and composites
Katkısız ve katkılı PNN-PZT seramiklerin ve kompozitlerin üretimi ve karakterizasyonu
EZGİ YALÇIN
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Bilim ve TeknolojiGebze Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EBRU MENŞUR ALKOY
- Fotovoltaik uygulamalarda kullanılmak üzere katkılı ve katkısız yarıiletken ince filmlerin üretilmesi
Deposition of doped and un-doped semiconductor thin films for use in photovoltaic applications
ONUR ÖZDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiBilecik Şeyh Edebali ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SİNAN TEMEL
DR. ÖĞR. ÜYESİ FATMA ÖZGE GÖKMEN
- Metal/ametal katkılı ZnO nano taneciklerin sentezleri, fotokatalitik aktivitedeki ve boya duyarlı güneş hücrelerindeki performansları
Synthesis of metal/nonmetal doped ZnO nanoparticles, their performances in photocatalytic activity and in dye sensitized solar cells
MOHAMMAD SUTAIF
- Fe katkılı CuO/ZnO kompozit ince filmlerin yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural and optical properties of metal doped CuO/ZnO composite thin films
SERRA SOĞAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiHatay Mustafa Kemal ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ERSİN YÜCEL