Geri Dön

Fe katkılı ve katkısız TlGaS2 tek kristallerinin büyütülmesi XRD ve Raman spektrumlarının incelenmesi

Undoped and Fe doped TlGaS2 single crystal growth investigation of XRD and Raman spectrums

PDF İndir

  1. Tez No: 559075
  2. Yazar: KAZİM YASİN ÖZBEY
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 87

Özet

Katkısız TlGaS2 ve Fe katkılı TlGaS2 üçlü yarıiletkenler, modifiye edilmiş Bridgman - Stockbarger kristal büyütme yöntemi ile elde edilmiştir. Büyütülen numuneler tabakalı yapıya sahip olup, çatlak ve noktasal kusuru oldukça az olan, ayna gibi parlak yüzeylere sahip olduğu gözlenmiştir. Oksitlenme ve element kaybının olması gibi etkenler göz önüne alınarak ilgili elementler tek bir ampulde ve tek bir seferde büyütülmüştür. TlGaS2 ve Fe katkılı TlGaS2 üçlü yarıiletken kristallerinin büyütme işlemi ön reaksiyonla birlikte 16 günde tamamlanmıştır. Üçlü bileşiklerin XRD spektrumları oda sıcaklığında alınmıştır. TlGaS2 ve Fe katkılı TlGaS2 yarıiletkenlerinin, en şiddetli pikinden (004) bazı kristal özellikleri hesaplanmıştır. Bu kristal özelliklerinden yansıma düzlemleri arasındaki mesafe (d), tanecik büyüklüğü (D), zorlanma derecesi (ε), dislokasyon yoğunluğu (δ), birim alan başına kristal sayısı (N) ve mikro gerinim veya mikro zorlanma (σ) değerleri bulunmuştur. Örgü parametreleri ve elektriksel iletkenliği elde edilmiştir. X-ışınları kırınımı bulguları incelendiğinde katkısız TlGaS2 ve Fe katkılı TlGaS2 yarıiletkenlerin monoklinik yapıya sahip olduğu bulunmuştur. TlGaS2 yarıiletkenine (%0,02) Fe katkılama sonucu pik şiddetlerinde iki kat artışın olduğu ve piklerin yarı genişliğinin (FWHM) daraldığı gözlemlenmiştir. TlGaS2 yarıiletkeninin Raman spektrumu alınmış, altı tipik titreşim tepesi bulunmuş ve Fe katkılı olan numunelerle kıyaslanmıştır.

Özet (Çeviri)

TlGaS2 and Fe doped TlGaS2 triple semiconductors were obtained by modified Bridgman - Stockbarger crystal magnification method. The specimens have a stratified structure and have a glossy and mirror-like surface. Considering factors such as oxidation and loss of elements, the relevant elements were enlarged in a single light bulb and in a single time. TlGaS2 and Fe-doped TlGaS2 triple semiconductor crystals were grown with pre-reaction in 16 days. The XRD spectra of the triple compounds were taken at room temperature. Some crystalline properties of the TlGaS2 and Fe doped TlGaS2 semiconductors were calculated from the most severe peak (004). From these crystal properties, the distance (d), particle size (D), the degree of strain (ε), the density of dislocation (δ), the number of crystals per unit area (N), and micro-strain or micro-strain (σ) values were found. Lattice parameters and electrical conductivity were obtained. When X-ray diffraction findings were examined, it was found that TlGaS2 and Fe added TlGaS2 semiconductors had monoclinic structure. TlGaS2 semiconductor (%0,02) Fe as a result of the contribution of the increase in the peak intensity of the peak and the half-width of the peaks were observed to decrease. The Raman spectrum of TlGaS2 semiconductor was taken, six typical vibration peaks were found and compared to those with Fe additives.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    150230

    Fe3+ atomları ile katkılandırılmış TIInS2 ve TIGaSe2 ferroelektrik kristallerinin dielektik özellikleri

    Dielectric specialities of TIInS2 and TIGaSe2 crystals which are doped with Fe3+ atoms

    CEMALETTİN BALTA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. FAİK MİKAİLOV

  2. Tez No

    767080

    Fabrication and characterization of undoped and doped PNN-PZT ceramics and composites

    Katkısız ve katkılı PNN-PZT seramiklerin ve kompozitlerin üretimi ve karakterizasyonu

    EZGİ YALÇIN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Bilim ve TeknolojiGebze Teknik Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EBRU MENŞUR ALKOY

  3. Tez No

    835318

    Fotovoltaik uygulamalarda kullanılmak üzere katkılı ve katkısız yarıiletken ince filmlerin üretilmesi

    Deposition of doped and un-doped semiconductor thin films for use in photovoltaic applications

    ONUR ÖZDEMİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBilecik Şeyh Edebali Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SİNAN TEMEL

    DR. ÖĞR. ÜYESİ FATMA ÖZGE GÖKMEN

  4. Tez No

    767902

    Metal/ametal katkılı ZnO nano taneciklerin sentezleri, fotokatalitik aktivitedeki ve boya duyarlı güneş hücrelerindeki performansları

    Synthesis of metal/nonmetal doped ZnO nanoparticles, their performances in photocatalytic activity and in dye sensitized solar cells

    MOHAMMAD SUTAIF

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    EnerjiEge Üniversitesi

    Güneş Enerjisi Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ BİRCAN DİNDAR

  5. Tez No

    873636

    Fe katkılı CuO/ZnO kompozit ince filmlerin yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of structural and optical properties of metal doped CuO/ZnO composite thin films

    SERRA SOĞAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHatay Mustafa Kemal Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ERSİN YÜCEL

Geri Dön