Geri Dön

Yarı iletken CdX (X =S, Se, Te, O) B bileşiklerinin yüksek basınç altında yapısal ve elektronik özelliklerinin incelenmesi

The investigation of structural and electronic properties of semiconductor CdX (X =S, Se, Te, O) B compounds under high pressure

PDF İndir

  1. Tez No: 559078
  2. Yazar: ÇAĞATAY YAMÇIÇIER
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ZİYA MERDAN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada, CdX (X = S, Se, Te, O) bileşiklerinin kristal yapısı yüksek hidrostatik basınç altında genelleştirilmiş grandyant yaklaşımı (GGY) ile yoğunluk fonksiyonel teori (YFT) kullanarak çalışıldı. CdX bileşiklerinin yapısal faz geçişleri, basınç hacim ilişkileri ve elektronik yapıları ab initio program SIESTA kullanarak araştırıldı. Normal koşullarda CdX hegzagonal wurtzite tipi yapıda kristalleşir. GGY yöntemi kullanarak, CdS, CdTe ve CdO bileşikleri 10 GPa' da ve CdSe bileşiği 5 GPa'da uzay grubu P63mc olan hegzagonal wurtzite tipi yapıdan uzay grubu Fm3 ̅m olan kübik NaCl tipi yapıya faz geçişi meydana geldi. CdS ve CdSe için sırasıyla 165 GPa ve 130 GPa 'da NaCl tipi yapıdan uzay grubu Pmmn olan ortorombik yapıya faz geçişi elde edildi. CdTe için 140 GPa' da diğer bir faz geçişi NaCl tipi yapıdan uzay grubu Cmmm olan ortorombik yapı elde edildi ve CdO için 90 GPa' da NaCl tipi yapıdan uzay grubu Pm3 ̅m olan kübik CsCl tipi yapıya faz geçişi elde edildi. Bu faz geçişleri toplam enerji ve entalpi hesaplamaları kullanarak elde edildi. Ayrıca, wurtzite tipi CdX bileşiklerinin bant aralığı sırasıyla 2,28 eV, 1,74 eV, 2,10 eV ve 0,19 eV olarak bulundu. CdS ve CdSe'nin NaCl yapısı için sırasıyla 1,23 eV, 0,32 eV bulundu. Elde edilen sonuçlar mevcut deneysel ve teorik verilerle karşılaştırıldı.

Özet (Çeviri)

In this study, the crystal structure of the CdX (X = S, Se, Te, O) compounds are studied under high hydrostatic pressure using density functional theory with the generalized gradient approximation (GGY). Structural phase transitions, pressure – volume relationships and electronic structure in CdX compounds are investigated by using ab initio program SIESTA. CdX crystallizes in the hexagonal wurtzite type structure in ambient conditions. By using the GGY method, CdS, CdTe, CdO compounds undergo a phase transition from the hexagonal wurtzite type structure with space group P63mc to cubic NaCl type structure with space group Fm3 ̅m at 10 GPa and CdSe compound at 5 GPa. For CdS and CdSe, another phase transition is obtained from NaCl type structure to orthorhombic structure with space group Pmmn at 165 GPa and 130 GPa, respectively. For CdTe, another phase transition is obtained from NaCl type structure to orthorhombic structure with space group Cmmm at 140 GPa and for CdO, another phase transition is obtained from NaCl type structure to CsCl type structure with space group Pm3 ̅m at 90 GPa. These phase transitions are obtained using the total energy and enthalpy calculations. In addition, wurtzite type CdX (X = S, Se, Te, O) compounds band gap were found to be 2,28 eV, 1,74 eV, 2,10 eV and 0,19 eV, respectively. CdS and CdSe band gaps were found for NaCl structure as 1 ,23 eV, 0,32 eV, respectively. The obtained results are compared with the available experimental and theoretical data

Benzer Tezler

  1. Tez No

    46232

    Blood flow and measurement techniques

    Kan akışı ve ölçüm teknikleri

    AYŞE KANDEMİR AKALIN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1995

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. OSMAN F. GENCELİ

  2. Tez No

    473031

    Evaluation of CdX (X = S, Se) as photoinitiator in free radical polymerizations

    CdS ve CdSe kuantum noktacıklarının serbest radikal polimerizasyonlarında fotobaşlatıcı olarak değerlendirilmesi

    ENES BUZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    KimyaKoç Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HAVVA YAĞCI ACAR

  3. Tez No

    93096

    CdZnTe A6 high energy ploton detector

    CdZnTe yüksek enerji foton dedektörü

    BURÇİN DÖNMEZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2000

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AKİF ESENDEMİR

  4. Tez No

    387794

    The phase behaviour and synthesis of mesostructured coupled semiconductor thin films: Meso-CdS-TİO2

    İki yarı iletken içeren mezoyapılı ince filmlerin faz davranışı ve sentezi: Meso-CdS-TİO2

    HALİL İBRAHİM OKUR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2009

    Kimyaİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Kimya Bölümü

    PROF. DR. ÖMER DAĞ

  5. Tez No

    301802

    Investigation of optical, structural, and electrical properties of semiconducting films produced by different chemical techniques

    Değişik kimyasal tekniklerle üretilen yarı iletken filmlerin optiksel, yapısal ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    SERAP SÜR ÇELİK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep Üniversitesi

    Fen Bilimleri Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ZİHNİ ÖZTÜRK

Geri Dön