Organik tabanlı fotodiyotların hazırlanması ve aydınlatma altında optoelektronik özelliklerinin incelenmesi
Preperation of organic based photodiodes and examination of optoelectronic properties under illumination
- Tez No: 563167
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SERKAN EYMUR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Enerji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Kimya, Energy, Physics and Physics Engineering, Chemistry
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Giresun Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 59
Özet
Yapılan bu çalışmada, spin kaplama yöntemi kullanılarak n-tipi Si altlık üzerine BOD-Pyr organik malzemesi ince film olarak büyütülmüştür. Üretilen Au/BOD-Pyr/n-Si/In Schottky diyotunun oda sıcaklığında, karanlıkta ve aydınlatma altında I-V ölçümleri alınarak ana elektriksel karakteristikleri ve Cheung&Cheung metodundan yararlanılarak seri direnç değerleri incelenmiştir. Yapılan incelemeler sonucunda karanlık ve 100 mW/cm2 aydınlatma şiddeti altında idealite faktörü ve engel yüksekliği sırasıyla, 2,84 ve 0,751eV, 1,55 ve 0,871eV bulunmuştur. Aydınlatma şiddetindeki artışın idealite faktöründe azalmaya, engel yükseliğinde ise artışa sebep olmaktadır. Seri direnç değerleri ise karanlık ve 100 mW/cm2 aydınlatma şiddeti altında sırsıyla 5019 Ω ve 2671 Ω olarak bulunmuştur. Son olarak diyotun 100 mW/cm2 aydınlatma şiddeti altında açık devre voltajı ve kısa devre akımı değerleri 0,26 V ve 0,017 mA bulunmuştur. Bulduğumuz bu sonuçlar dikkate alındığında üretmiş olduğumuz Au/BOD-Pyr/n-Si/In Schottky diyotunun ışığa duyarlı olup fotovoltaik davranış gösterdiği görülmüştür.
Özet (Çeviri)
In this study, BOD-Pyr organic material was grown as thin film on the n-type Si substrate by using the spin coating method. The main electrical characteristics of the produced Au/BOD-Pyr/n-Si/In Schottky diode at room temperature, in the dark and under illumination, examined by I / V measurements and the series resistance values were examined by using the Cheung & Cheung method. As a result of the investigations, the ideality factor and barrier height were found as 2,84 and 0,751eV, 1,55 and 0,871eV respectively under darkness and 100 mW/cm2 illumination intensity. The increase in illumination intensity leads to a decrease in the ideality factor and an increase in the barrier height. Series resistance values were found as 5019 Ω and 2671 Ω under darkness and 100 mW/cm2 illumination intensity, respectively. Finally, the diode has open circuit voltage and short circuit current values of 0,26 V and 0,017 mA under 100 mW/cm2 illumination intensity. When these results were taken into consideration, it was observed that the produced Au/BOD-Pyr/n-Si/In Schottky diode was photovoltaic and sensitive to light.
Benzer Tezler
- Organik tabanlı fotodiyotların üretimi ve opto-elektronik uygulamalar için elektriksel özelliklerinin tayini
Production of organic based photodiodes and determination of electrical properties for opto-electronic applications
AYTEN MENTEŞE
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
EnerjiGiresun ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERDAR KARADENİZ
- Fotokromik organik ligandlar kullanılarak elde edilen fotodiyotların fabrikasyonu ve elektriksel karakterizasyonu
Factory and electrical characterization of photodiodes using photochromic organic ligands
EVİN YİĞİT
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiBingöl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İKRAM ORAK
- N, n′-dioktil-3,4,9,10-perilendikarboksiimid organik yarı iletken katkılı n-zno/p-si heteroeklem fotodiyotun ışığaduyarlılık performansının araştırılması
Investigation photosensitivity performance of n,n′-dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide organicsemiconductor doped n-zno/p-si heterojunction photodiode
EMRECAN EMEKSİZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
BiyoteknolojiSelçuk ÜniversitesiBiyoteknoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT YILDIRIM
- Silisyum tabanlı Alq3 arayüzeyli fotodiyotların elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrical and optical properties of Alq3 interface photodiots silicium based
SERDAL CANLI
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBingöl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NEZİR YILDIRIM
- Si tabanlı Ru(II) kompleks yapısına Alq3 organik bileşiğinin elektriksel ve fotovoltaik özelliklerini arttırmadaki etkisi
The effect of the Alq3 organic compound on increasing the electrical and photovoltaic properties of the Si based Ru (II) complex structure
MEHMET AKİF ŞAHİNKAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiBingöl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NEZİR YILDIRIM