Geri Dön

Fabrication and characterization of doped metal-oxide thin film gas sensors

Katkılı metal oksit yarı iletken ince film gaz sensörlerinin üretimi ve karakterizasyonu

  1. Tez No: 571381
  2. Yazar: SİNAN ÖZTEL
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ERCAN YILMAZ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 62

Özet

Kalay oksit bazlı ince film gaz sensörleri Elektron Demeti Buharlaştırma (e-beam) yöntemi ile üretildi ve 600oC de tavlandı. SnO2/SiO2 ince filmlerin yapısal, morfolojik, kimyasal ve elektriksel özellikleri detaylı bir şekilde çalışıldı. Yapısal analizler X-Işını Kırınımı (XRD) ile elde edildi ve ince filmlerin morfolojik özellikleri Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) ile analiz edildi. Ayrıca SnO2/SiO2 ince filmlerin kimyasal bağ yapıları Fourier Dönüşüm Kızıl Ötesi Spektroskopi (FTIR) üzerinden analiz edildi ve elektriksel özellikleri akım-voltaj (I-V) karakteristiği kullanılarak araştırıldı. Daha sonrasında üretilen ince filmlere sırasıyla 1 saniye, 3 saniye ve 5 saniye Platin (Pt) kopartma (sputtering) yöntemi ile katkılandı. Pt katkılanmış ince filmlerin aynı şekilde yapısal, morfolojik, kimyasal ve elektriksel özellikleri araştırıldı ve tartışıldı. Son olarak, bu çalışmada üretilen tüm SnO2/SiO2 ince filmlerin oksijen algılama özelliği ve Pt katkılanmasının gaz duyarlılığına etkisi araştırıldı ve tartışıldı.

Özet (Çeviri)

Tin-oxide based thin film gas sensors were produced by Electron Beam Evaporation (e-beam) method and annealed at 600oC. The structural, morphological, chemical and the electrical properties of SnO2/SiO2 thin films were studied in detail. The structural analysis were obtained by X-Ray Diffraction (XRD) and Scanning Electron Microscopy (SEM) was used for analyzing the morphological properties of the thin film. Also chemical bonding structures were analyzed via Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR) and electrical properties of the SnO2/SiO2 thin films were investigated by using current-voltage (I-V) characteristics measurement. Then, by using sputtering technique the Platinum (Pt) was doped onto the produced thin film in 1 second, 3seconds, and 5 seconds respectively. The same structural, morphological, chemical, and the electrical properties of the Pt doped thin films were investigated and discussed. Finally, the Oxygen sensing property of the each fabricated SnO2/SiO2 thin films and the effect of Pt doping on gas sensitivity were investigated and discussed in this study.

Benzer Tezler

  1. MEMS ile entegre mikro ısıtıcı ve IDE mikro sistemlerin fabrikasyonu ve nano kompozit yarı iletken gaz sensör uygulaması

    Fabrication of integrated micro heater and ide micro systems with MEMS and application of nano composite semiconductor GAS sensor

    HALİME İLBEYİİLİNGİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ BERNA MOROVA

    DOÇ. DR. CİHAT TAŞALTIN

  2. Saf ve rutenyum (Ru) katkılı transparan iletken oksit yapılı ince filmlerin üretimi, elektriksel, optiksel, yapısal karakterizasyonu ve nem sensörü uygulamaları

    Fabrication and characterization of the electrical, optical and structural properties of the pure and ruthenium doped transparent conducting oxides thin films and humidity sensors applications

    HANDE SÖZBİLEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiEge Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ÖMER MERMER

  3. Organik lif tabanlı metal oksit kaplanmış biyo-sensör geliştirilmesi

    Development of organic fiber based metal oxide coated bio-sensor

    GÖZDE KONUK EGE

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Mekatronik MühendisliğiMarmara Üniversitesi

    Mekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. GARİP GENÇ

    DR. ÖĞR. ÜYESİ HÜSEYİN YÜCE

  4. Capacitance-voltage and current-voltage characteristic properties of ZnO:Al/p-Si heterojunction

    ZnO:Al/p-Si heterokavşakların kapasitans-voltaj ve akım-voltaj karakteristik özellikleri

    YELİZ KÖSE

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MURAT BAYDOĞAN

  5. Metal katkılı ZnO nanoyapılarının üretilmesi ve karakterize edilmesi

    Fabrication and characterization of metal doped ZnO nanostructures

    HALİL İBRAHİM MERCAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    KimyaÇankırı Karatekin Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HAKAN ÇOLAK