Geri Dön

ZnTe/Si heteroeklem yapıların akım iletim mekanizmalarının incelenmesi

Investigation of the current transport mechanisms of ZnTe/Si heterojunction structures

PDF İndir

  1. Tez No: 593924
  2. Yazar: MEHMET KALKAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. FUNDA AKSOY AKGÜL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Niğde Ömer Halisdemir Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 86

Özet

Yarı iletken p-n heteroeklem yapıların elektriksel özelliklerinin daha iyi anlaşılması, gelecekte ideal özelliklere sahip uzun ömürlü diyotların ve transistörlerin üretimini mümkün kılar. Bu tez çalışmasının temel amacı, ZnTe/Si yapısından oluşan p-n heteroeklemlerindeki akım-iletim mekanizmalarının ayrıntılı bir araştırmasıdır. Heteroeklemli diyotlar, p-tipi ZnTe ince filmlerinin tek tarafı parlatılmış n-tipi (100)-yönelimli kristal Si alttaşlar üzerine RF magnetron saçtırma tekniği ile kaplanmasıyla oluşturuldu. Üretilen yapıların aygıt özelliklerini ve baskın iletim mekanizmasını belirlemek için, heteroeklemlerin sıcaklık bağımlı akım-gerilim (I-V) ve frekans bağımlı kapasitans-gerilim (C-V) karakteristikleri karanlık ortamda incelendi. İdealite faktörü (n), doyum akımı (I0) ve bariyer yüksekliği (B) gibi temel diyot parametreleri 20 K sıcaklık adımlarıyla 220-360 K sıcaklık aralığında belirlendi. Elektriksel ölçümler yapıların oda sıcaklığında iyi tanımlı doğrultucu davranış sergilediğini ve ±2 V gerilim değerlerinde 2,4104 doğrultma oranına ve n = 2,13 değerinde küçük idealite faktörüne sahip olduğunu gösterdi. Elde edilen n, I0 and B değerleri sırasıyla 2,76–1,93, 1,1310-117,5610-10 A ve 0,6–0,91 eV aralığında bulundu.

Özet (Çeviri)

Better understanding of the electrical properties of semiconductor p-n heterojunction structures enables the fabrication of long-lasting diodes and transistors with ideal characteristics in future. The main goal of this thesis is a detailed investigation of the current transport mechanisms in p-n heterojunctions composed of ZnTe/Si structure. Heterojunction diodes were constructed by depositing of p-type ZnTe thin films on one-side polished n-type (100)-oriented crystalline Si substrates through RF magnetron sputtering technique. Temperature dependent current-voltage (I-V) and frequency dependent capacitance-voltage (C-V) characteristics of the heterojunctions were investigated under dark conditions to determine the device properties and dominant conduction mechanism in the fabricated structures. Important diode parameters such as ideality factor (n), dark saturation current (I0) and barrier height (B) were evaluated in the temperature interval of 220-360 K with 20 K temperature steps. Electrical measurements revealed that the structures have a well-defined rectifying behavior with a good rectification ratio of 2,4104 at ±2 V and a relatively small ideality factor of n = 2,13 at room temperature. The estimated values of the n, I0 and B were found to be between 2.76–1.93, 1.1310-117.5610-10 A and 0.6–0.91 eV, respectively.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    855274

    P-ZnTe/n-Si nanodiyotların üretimi ve aygıt karakterizasyonu

    Fabrication and device characterization of p-ZnTe/n-Si nanodiodes

    AKIN ABA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde Ömer Halisdemir Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FUNDA AKSOY AKGÜL

  2. Tez No

    488098

    ZnTe kuantum nokta katkılı camların geliştirilmesi ve kuantum kısıtlama özelliklerinin incelenmesi

    Development of ZnTe quantum dot-doped glasses and investigation of quantum confinement properties

    İPEK TUNÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Metalurji MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. MİRAY ÇELİKBİLEK ERSUNDU

  3. Tez No

    202895

    CdTe kristalinde taşıyıcı yük yoğunluğunun etkin iki-seviye modeli ile sıcaklığa bağlı incelenmesi

    Investigation of carrier concentration as a function of temperature by two-level affective model in CdTe crystals

    CEYLAN ÖRDEK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. MURAT BAYHAN

  4. Tez No

    376327

    ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe'ün elektrokimyasal yöntemle sentezi ve karakterizasyonu

    Synthesis and characterization of ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe by electrochemical method

    FATMA BAYRAKÇEKEN NİŞANCI

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    KimyaAtatürk Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÜMİT DEMİR

  5. Tez No

    286175

    Applications in broadband THz spectroscopy towards material studies

    Geniş bantlı THz spektroskopisinin maddeler üzerindeki uygulamaları

    ZEYNEP TÜRKŞEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    YRD. DOÇ. DR. HAKAN ALTAN

Geri Dön