ZnTe/Si heteroeklem yapıların akım iletim mekanizmalarının incelenmesi
Investigation of the current transport mechanisms of ZnTe/Si heterojunction structures
- Tez No: 593924
- Danışmanlar: PROF. DR. FUNDA AKSOY AKGÜL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Niğde Ömer Halisdemir Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Yarı iletken p-n heteroeklem yapıların elektriksel özelliklerinin daha iyi anlaşılması, gelecekte ideal özelliklere sahip uzun ömürlü diyotların ve transistörlerin üretimini mümkün kılar. Bu tez çalışmasının temel amacı, ZnTe/Si yapısından oluşan p-n heteroeklemlerindeki akım-iletim mekanizmalarının ayrıntılı bir araştırmasıdır. Heteroeklemli diyotlar, p-tipi ZnTe ince filmlerinin tek tarafı parlatılmış n-tipi (100)-yönelimli kristal Si alttaşlar üzerine RF magnetron saçtırma tekniği ile kaplanmasıyla oluşturuldu. Üretilen yapıların aygıt özelliklerini ve baskın iletim mekanizmasını belirlemek için, heteroeklemlerin sıcaklık bağımlı akım-gerilim (I-V) ve frekans bağımlı kapasitans-gerilim (C-V) karakteristikleri karanlık ortamda incelendi. İdealite faktörü (n), doyum akımı (I0) ve bariyer yüksekliği (B) gibi temel diyot parametreleri 20 K sıcaklık adımlarıyla 220-360 K sıcaklık aralığında belirlendi. Elektriksel ölçümler yapıların oda sıcaklığında iyi tanımlı doğrultucu davranış sergilediğini ve ±2 V gerilim değerlerinde 2,4104 doğrultma oranına ve n = 2,13 değerinde küçük idealite faktörüne sahip olduğunu gösterdi. Elde edilen n, I0 and B değerleri sırasıyla 2,76–1,93, 1,1310-117,5610-10 A ve 0,6–0,91 eV aralığında bulundu.
Özet (Çeviri)
Better understanding of the electrical properties of semiconductor p-n heterojunction structures enables the fabrication of long-lasting diodes and transistors with ideal characteristics in future. The main goal of this thesis is a detailed investigation of the current transport mechanisms in p-n heterojunctions composed of ZnTe/Si structure. Heterojunction diodes were constructed by depositing of p-type ZnTe thin films on one-side polished n-type (100)-oriented crystalline Si substrates through RF magnetron sputtering technique. Temperature dependent current-voltage (I-V) and frequency dependent capacitance-voltage (C-V) characteristics of the heterojunctions were investigated under dark conditions to determine the device properties and dominant conduction mechanism in the fabricated structures. Important diode parameters such as ideality factor (n), dark saturation current (I0) and barrier height (B) were evaluated in the temperature interval of 220-360 K with 20 K temperature steps. Electrical measurements revealed that the structures have a well-defined rectifying behavior with a good rectification ratio of 2,4104 at ±2 V and a relatively small ideality factor of n = 2,13 at room temperature. The estimated values of the n, I0 and B were found to be between 2.76–1.93, 1.1310-117.5610-10 A and 0.6–0.91 eV, respectively.
Benzer Tezler
- (2) de kuadratik bir transformasyon ile perspektif-harmonik (1) in inşası
Başlık çevirisi yok
TEVFİK TURGUT
- Bolkardağı altın-gümüş-kurşun-çinko cevherlerinin değerlendirilme olanaklarının araştırılması
Başlık çevirisi yok
NEŞET ACARKAN
Doktora
Türkçe
1984
Maden Mühendisliği ve Madencilikİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF. DR. TURGUT C. BAYRAKTAR
