P-ZnTe/n-Si nanodiyotların üretimi ve aygıt karakterizasyonu
Fabrication and device characterization of p-ZnTe/n-Si nanodiodes
- Tez No: 855274
- Danışmanlar: PROF. DR. FUNDA AKSOY AKGÜL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Niğde Ömer Halisdemir Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 84
Özet
Bu tezde ZnTe/Si p-n heteroeklem yapısından oluşan nanodiyotların üretimi ve aygıt karakteristiklerinin incelenmesi amaçlanmıştır. MACE yöntemi ile önceden temizlenmiş (110) yönelimli n-tipi tek kristal Si dilimlerinin yüzeyinde dikey olarak sıralanmış ortalama 1 µm uzunluklu Si nanoteller sentezlendi. Daha sonra, ~ 750 nm kalınlığında ZnTe ince filmi Si nanotel kümeleri üzerine RF magnetron saçtırma yoluyla direkt olarak depolandı. Elektriksel ölçümler, üretilen aygıtın karanlıkta ve oda sıcaklığında yüksek doğrultma oranına (~ 10^4), düşük idealite faktörüne (n = 2,3), düşük ters sızıntı akımına (~ 10^-7) ve düşük seri dirence (Rs = 0,93 kΩ) sahip olduklarını ortaya koydu. AM 1.5G aydınlatma şartları altında 300 mV'luk açık devre gerilimi ölçüldü ve 1 saniyeden daha küçük zamanda ışığa karşı tepki gözlendi. Spektral ışık duyarlılığı ölçümleri, nanodiyotların özellikle elektromanyetik spektrumun NIR bölgesindeki fotonlara oldukça iyi tepki verdiğini gösterdi. ZnTe ince filmi ve dikey olarak dizilmiş Si nanotel kümelerinin bir araya gelmesiyle oluşan heteroeklem nanodiyotların gözlenen performansı, üretilen aygıtların özellikle NIR fotodetektörler olmak üzere gelecekteki optoelektronik cihaz uygulamaları için umut verici olduğunu ortaya koymaktadır.
Özet (Çeviri)
In this thesis, it is aimed to fabricate nanodiodes consisting of ZnTe/Si p-n heterojunction structure and examine their device characteristics. Using the MACE method, vertically aligned Si nanowires with an average length of 1 µm were synthesized on the surface of pre-cleaned (110) oriented n-type single crystal Si wafers. Then, ~ 750 nm thick ZnTe thin film was directly deposited onto Si nanowire arrays via RF magnetron sputtering. Electrical measurements show that the fabricated device has high rectification ratio (~ 10^4), low ideality factor (n = 2.3), low reverse leakage current (~ 10^-7) and low series resistance (Rs = 0.93 kΩ) in the dark and at room temperature. Under AM 1.5G illumination conditions, an open circuit voltage of 300 mV was measured and the response to light was observed in less than 1 second. Photoresponsivity measurements showed that the device responded quite well to photons, especially in the NIR region of the electromagnetic spectrum. The observed performance of heterojunction nanodiodes formed by combining ZnTe thin film and vertically aligned Si nanowire arrays reveals that the fabricated devices are promising for future optoelectronic device applications, especially NIR photodetectors.
Benzer Tezler
- ZnTe/Si heteroeklem yapıların akım iletim mekanizmalarının incelenmesi
Investigation of the current transport mechanisms of ZnTe/Si heterojunction structures
MEHMET KALKAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde Ömer Halisdemir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FUNDA AKSOY AKGÜL
- CdTe kristalinde taşıyıcı yük yoğunluğunun etkin iki-seviye modeli ile sıcaklığa bağlı incelenmesi
Investigation of carrier concentration as a function of temperature by two-level affective model in CdTe crystals
CEYLAN ÖRDEK
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MURAT BAYHAN
- Fabrication and investigation of extremely thin CdTe absorber layer solar cells
Çok ince CdTe soğurucu tabakalı güneş hücrelerinin üretimi ve incelenmesi
AREZOO HOSSEİNİ
Doktora
İngilizce
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞE ÇİĞDEM ERÇELEBİ
- CdTe ince filmlerin soğuk altlık yöntemiyle üretilmesi ve karakteristik özelliklerin incelenmesi
Production of CdTe thin films by cold backing method and investigation of characteristic properties
BÜŞRA TOPCU
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
EnerjiRecep Tayyip Erdoğan ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. VAGİF NEVRUZOĞLU
- 3,4-Dihidro-2-hidroksi-3-okso-2H-1,4-benzoksazin, 3,4-dihidro-3-okso-2H-1,4-benzoksazin-2-asetik asit ve bazı etil 3,4-dihidro-6 ve/ veya 7-sübstitüe-3-okso-2H-1,4-benzoksazin-2-asetat yapısındaki bileşiklerin...
Başlık çevirisi yok
P. BETÜL TEKİNER
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Eczacılık ve FarmakolojiAnkara ÜniversitesiFarmasötik Kimya Ana Bilim Dalı
PROF.DR. İSMAİL YALÇIN