Geri Dön

250 NM CMOS teknolojisi ile SRAM birim hücre optimizasyonu ve 2 Kb SRAM tasarımı

SRAM unit cell optimization with 250 NM CMOS technologyand 2 Kb SRAM design

  1. Tez No: 611230
  2. Yazar: HASAN KAYDIRMA
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ALİ TANGEL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Kocaeli Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmanın amacı, SRAM birim hücre transistör boyutlarını belirlerken SRAM'in alan ve kararlılık özellikleri dikkate alınarak bir yöntem geliştirmektir. Ayrıca birim hücrelerin alanını en çok etkileyen tasarım kuralını belirlemek ve üretim bölümüne geri bildirim yapmaktır. Son olarak birim hücreleri kullanarak 2 Kb CMOS SRAM tasarımı gerçekleştirmektir. İlk olarak, 6 transistörlü SRAM birim hücresinin bekleme, okuma ve yazma modlarında kararlılıkları analitik olarak analiz edilerek, transistör boyutları için kısıtlar elde edilmiştir. Daha sonra 3 mod için statik gürültü toleransları MATLAB ortamında kodlanan algoritmalar kullanılarak hesaplanmıştır. Daha önce bulunan kısıtlar da hesaba katılarak bir fonksiyon geliştirilmiş ve transistör boyutları belirlenmiştir. Ayrıca 6 transistörlü birim hücre için 6 farklı serim tipi incelenerek en küçük alana sahip serim tipi seçilmiştir. 2 Kb CMOS SRAM tasarımın alt bileşenleri ayrı ayrı belirtilerek devreler ayrıntılı bir biçimde incelenmiştir. İncelenen devrelerin şekilleri, serim görüntüleri ve benzetim sonuçları gösterilmiştir. Ayrıca bu devrelerin nasıl seçildikleri anlatılmıştır. Son olarak da tüm tasarımı oluşturan kısımlar alan ve güç yönünden karşılaştırılmış ve tüm tasarımın alan, güç sonuçları belirtilmiştir.

Özet (Çeviri)

The aim of this study is to develop a method to determine the dimensions of SRAM unit cell transistors by considering SRAM area and unit cell stability characteristics. In addition, the most effective design rule on the area of unit cell is determined to give feedback to the production unit. Finally a 2 Kb CMOS SRAM design is made using these unit cells. Initially, constraints for transistor dimensions are obtained by analyzing the stability of the 6 transistor SRAM unit cells in stand-by, read and write modes. Then the static noise margins for the 3 modes are calculated using the algorithms coded in MATLAB. Taking into account the determined constraints, a function is derived and transistor dimensions are choosen. In addition, 6 different layout types for the 6 transistor unit cell are studied and the one with the smallest area is choosen. The sub blocks of the SRAM design are described separately and the circuits were examined in detail. Figures, layouts and simulation results of the examined circuits are shown. Also the reasoning behind the topology selections is described. Finally, the parts that constitute the whole design are compared in terms of area and power dissipation. The area and power consumption of the whole design are listed.

Benzer Tezler

  1. Design of a cmos feedforward automatic gain control system for optical front-ends

    Optik ön alıcılar için cmos ileri beslemeli otomatik kazanç kontrol sistemi tasarımı

    İREM CÖMERTOĞLU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2025

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA BERKE YELTEN

  2. A novel current reuse low noise amplifier design operating in 10-18 ghz

    10-18 ghz frekans aralığında özgün bir akım yeniden kullanımlı düşük gürültülü yükselteç tasarımı

    YAVUZHAN YAVUZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2026

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA BERKE YELTEN

  3. Design of an OPAMP-RC lowpass filter in 22 NM FDSOI technology

    22 NM FDSOI teknolojisinde OPAMP-RC alçak geçiren filtre tasarımı

    ÖMER TAHA KELEŞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. METİN YAZGI

  4. Design of an inverter-based variable gain amplifier for PAM-4 optical receivers

    PAM-4 optik alıcılar için evirici tabanlı kazancı ayarlanabilen kuvvetlendirici tasarımı

    HALİL KIRĞIL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2025

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA BERKE YELTEN

  5. The behoavioral modeling and an application of SAR ADC

    SAR ADC'nin davranışsal modeli ve uygulaması

    MERİÇ ECE ZEDELİ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ TOKER