Geri Dön

Bazı oksit ve ııı-v yarıiletken mikro ve nano yapıların yüzey fiziği özelliklerinin incelenmesi

Investigation of surface physics properties of some oxide and iii-v semiconductor micro and nanostructures

  1. Tez No: 618716
  2. Yazar: SERKAN YILDIZ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Temas açısı, Yüzey enerjisi, Yüzey gerilimi, Contact angle, Surface energy, Surface tension
  7. Yıl: 2020
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Malzeme Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu tezde, katkısız ve katkılı n-WO3, p-NiO ile n-TiO2, n-GaAs (Te), n-InP ve SI-GaAs (Un), InP (Fe) yarıiletkenlerdeki cihaz özelliklerinin belirlenmesi ve yüzey olaylarını kontrol etmek amacıyla yüzey enerjileri ölçüldü. Ek olarak, n tipi ve p tipi yarıiletkenlerin yüzey enerjilerinin ve temas açılarının oksidasyon sonucu nasıl değiştiği gözlendi. n-tipi yarıiletkenlerin (WO3, NiO, TiO2, GaAs) temas açıları ve yüzey enerji oksitlenme öncesi ile sonrası arasında farklı sonuçlar gösterdi. p-tipi (InP, NiO) yarıiletkenlerde ise oksitleme öncesi ve sonrasındaki temas açıları ile yüzey enerji değerleri karşılaştırıldığında kayda değer bir değişme olmadığı görüldü. Oksit numuneler yüzey enerjisi bakımından n tipi ve p tipine göre zıt davranış gösteridi. Bunun sebebi yüzeydeki oksijen kansantrasyonunun tipe bağlı olmasıdır. InP ve GaAs gibi III-V numunelerde yüzey enerjisi sonuçları katkı tipine ve oksidasyona çok sıkı bir şekilde bağlıdır. Oksit ve III-V yarıiletkenlerde tavlama işlemi sonrasında numunelerin yüzey bölgesinde yapısal özellikler değişti. Bazı numunelerin tavlama öncesi hidrofobik özellik gösteriyorken tavlama sonrası hidrofilik özellik gösterdiği gözlemlendi. Yani yüzey pürüzlülüğü azalarak yüzeyin daha düzgün hale geldiği saptandı.

Özet (Çeviri)

In this thesis, in order to determine the surface properties of the device properties in n-WO3, p-NiO, n-TiO2, n-GaAs (Te), n-InP and SI-GaAs (Un), InP (Fe) semiconductors and to control surface events surface energies were measured. In addition, it was observed how the surface energies and contact angles of the n-type and p-type semiconductors changed as a result of oxidation. The contact angles of n-type semiconductors (WO3, NiO, TiO2, GaAs) and the surface energy showed different results between before and after oxidation. In p-type (InP, NiO) semiconductors, it was observed that there was no significant change when the contact angles before and after oxidation and the surface energy values were compared. Oxide samples showed opposite behavior in terms of surface energy compared to n type and p type. The reason for this is that the oxygen cancer on the surface depends on the type. In III-V samples such as InP and GaAs, surface energy results are very tightly dependent on the additive type and oxidation. After annealing in oxide and III-V semiconductors, structural properties of the samples have changed in the surface region. While some samples showed hydrophobic properties before annealing, it was observed that they showed hydrophilic properties after annealing. In other words, the surface roughness decreased and the surface became smoother.

Benzer Tezler

  1. Growth and characterization of sol-gel derived Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) thin-films and beta irradiation effect

    Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) ince filmlerin sol-jel tekniğiyle büyütülmesi, karakterizasyonu ve beta ışınlarının etkisinin incelenmesi

    ŞENGÜL AKYOL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HÜSEYİN ÇİMENOĞLU

    PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN

  2. Nano-scale chemically modified thin film characterization for chemical mechanical planarization applications

    Nano-boyutta kimyasal modifiye edilmiş ince filmlerin kimyasal-mekanik düzleştirme uygulamaları için karakterizasyonu

    AYŞE KARAGÖZ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Mühendislik BilimleriÖzyeğin Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. GÜL BAHAR BAŞIM DOĞAN

  3. Synthesis and characterization of amide containing polybenzoxazines from bio-based compounds

    Biyo bazlı bileşiklerden amid içeren polibenzoksazinlerin sentezi ve karakterizasyonu

    EMİNE YILMAZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BARIŞ KIŞKAN

  4. Atomic layer deposition of III-nitrides and metal oxides; their application in area selective ALD

    III-nitratların ve metal oksitlerin atomik katman kaplamısı; bunların alan seçici ALD`deki uygulamaları

    ALI HAIDER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)

    Assist. Prof. AYKUTLU DANA

    DR. NECMİ BIYIKLI

  5. Alüminyum (III) iyonunun bazı oksijen verici ligandlar ile oluşturduğu komlekslerin ve alüminyum oksidin çimento özelliklerine etkilerinin incelenmesi

    Research of the aluminium (III) complexes with some oxigen donor ligans and effects of aluminium oxide on cement properties

    MELEK BERKER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    KimyaUludağ Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. NACİYE TÜRKEL