Kimyasal depolama yöntemi ile cus ince filmlerinin üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of cus thin films with chemical bath deposition method
- Tez No: 633609
- Danışmanlar: PROF. DR. CEBRAİL GÜMÜŞ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2020
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Çukurova Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 161
Özet
Bu tezde, bakır sülfür (CuS, covellite) ince filmler, cam alt tabanlar üzerinde 27 °C (96 saat) ve 50 °C (7 saat) sıcaklıklarda farklı bakır tuz kaynakları kullanılarak kimyasal depolama yöntemi ile hazırlandı. Bakır sülfür ince filmlerin fiziksel özellikleri (yapısal, optik, morfolojik ve elektriksel) detaylı bir şekilde incelendi. X-ışını kırınım (XRD) analizlerinden filmlerin polikristal yapıda hekzagonal fazda oluştuğu tespit edildi. Filmlerin oda sıcaklığındaki optik geçirgenlik ve soğurma değerleri 400–1100 nm aralığında incelendi. Daha sonra bu değerler kullanılarak enerji bant aralığı Eg, yansıma R, sönüm katsayısı k, kırılma indisi n, reel ve imajiner dielektrik sabitler ε1, ε2 değerleri hesaplandı. Hall ölçümlerinden, CuS ince filmler p-tipi iletkenlik göstermiştir ve özdirenç değerleri bulunmuştur.
Özet (Çeviri)
In this thesis, copper sulfide (CuS, covellite) thin films were prepared by chemical bath deposition method on glass substrates using different copper salt sources at 27 °C (96 hours) and 50 °C (7 hours). The physical properties (structural, optical, morphological and electrical) of copper sulfide thin films were examined in detail. It was determined from the X-ray diffraction (XRD) analysis that the films were formed in the hexagonal phase in the polycrystalline structure. Optical transmittance and absorption values of the films at room temperature were examined in the range of 400–1100 nm. Then, using these values, energy band gap Eg, reflection R, extinction coefficient k, refractive index n, real and imaginary dielectric constant ε1, ε2 values were calculated. From Hall measurements, CuS thin films showed p-type conductivity and resistivity values were found.
Benzer Tezler
- Kimyasal depolama yöntemi ile hazırlanan CuS yarı iletken ince filmlerin yapısal, optik ve morfolojik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural, optical and morfological properties of CuS semiconductor thin films prepared by chemical bath deposition
CEYDA HABİBOĞLU
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CEBRAİL GÜMÜŞ
- Kimyasal depolama yöntemi ile MnS ince filmlerin eldesi ve karekterizasyonu
Preparation and characterization of MnS thin films by chemical bath deposition
CEMAL ULUTAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. CEBRAİL GÜMÜŞ
- Kimyasal depolama yöntemi ile elde edilen ZnS yarı iletken filmlerin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of structural optical and electrical properties of ZnS semiconductor films obtained by chemical bath deposition method
FATMA GÖDE
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. MUHSİN ZOR
- Kimyasal depolama yöntemi ile elde edilen PBS yarı iletken filmlerin yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi
Structural and optical properties of PBS semiconductor films produced by chemical bath deposition method
FATMA YAVUZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiMehmet Akif Ersoy ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. FATMA GÖDE
- Kimyasal depolama yöntemi ile ZnS ince film üretimi
Production of ZnS thin film by chemical bath deposition method
DERYA YALUK
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞADİ YILMAZ