Mo/n-Si Schottky yapılarında engel yüksekliği dağılımının ısıl işlem ile değişimi
Barrier height distrubition dependence Toof Mo/n-Si Schottky structures annealing temperature
- Tez No: 324748
- Danışmanlar: PROF. DR. HASAN EFEOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Gauss dağılımı, Schottky engelleri, Gaussian distribution, Schottky barriers
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Metal yarıiletken kontakların doğrultucu özelliğinin bir asrı aşkın kullanımı ve 20. yy ın ortalarında akım iletim mekanizmasının modellenmesi ile bu yapılarının elektronikteki kullanımı yaygınlaşmıştır. Fabrikasyonun basitliği bu yaygınlaşmada en önemli etkenlerden biridir. Teorinin öngördüğü basit akım-gerilim ilişkisine karşın deneysel gözlemler bu ilişkinin ideallikten saptığını göstermektedir. Burada önerilen model yalnızca ideal durum için geçerlidir. Paralel prosesten sonra farklı engel yüksekliklerinin elde edilmesi Schottky modelinin yeniden güncellenmesini gerektirmiştir. Bu çalışmada RF sputter tekniği ile n-Si üzerinde mxn boyutlu matris formunda oluşturulan Schottky diyotların I-V ölçümleri yapılarak engel yüksekliği ve idealite faktörlerinin dağılımları analiz edildi. Termiyonik model ve Cheung yöntemi ile yapılan analizlerde proses sonrası ortalama engel yüksekliği 0,63 ve 0,62 eV elde edilirken dağılım aralığı (FWHM) 17 ve 4,2 meV olarak elde edildi. TE modele göre en iyi dağılım homojenliği 300oC'de ısıl işleme tabi tutulmuş numunede 0,64 eV engel yüksekliği ve 3,6 meV dağılım aralığı ile elde edildi.
Özet (Çeviri)
Rectification behaviors of metal semiconductor junctions are known property over one century. The model which explain the current voltage relation in this structures are proposed in the mid of last century and after that wide application in electronics appeared in industry. Instead of simplicity of current voltage relation, experimental data do not support the proposed model where we know the proposed model is only valid in case of ideal conditions. The experimental data after parallel process required updating the classical Schottky model for real world. In this study Schottky diodes with mxn matrix form fabricated using RF sputter technique and barrier height and ideality factor distributions are analyzed. The application of thermionic model and Cheung method to as processed Mo/n-Si structures, barrier heights 0,63 and 0,62 eV and FWHM calculated as 17 and 4,2 meV, respectively. The best distribution according to TE model is obtained after annealing at 300oC where barrier height was 0,64 eV and FWHM 3,6 meV.
Benzer Tezler
- İki katlı pamuk ipliklerinden dokunan kumaşlarda örgüye bağlı olarak maksimum atkı sıklığının değişimi üzerinde bir araştırma
Başlık çevirisi yok
MELTEM ASLI NARTER
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Tekstil ve Tekstil MühendisliğiEge ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÜNGÖR BAŞER
- Ege bölgesi keçi liflerinin bazı önemli fiziksel, kimyasal özellikleri ve değerlendirme imkanları
Başlık çevirisi yok
NİLÜFER ERDEM
Doktora
Türkçe
1985
Tekstil ve Tekstil MühendisliğiEge ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜLSEREN YAZICIOĞLU
- 1,3-difenil-4,5-bis(hidroksiimino)-imidazolidin ve Ni(II), Cu(II), Pd(II), UO2(VI) komplekslerinin sentezi
Başlık çevirisi yok
VEFA AHSEN
Doktora
Türkçe
1984
Kimya MühendisliğiUludağ ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖZER BEKAROĞLU
- Effect of chymotrypsin on M1 type pyruvate kinase from rabbit muscle and L-type from sheep liver
Başlık çevirisi yok
NİLAY BAŞARAN
Yüksek Lisans
İngilizce
1987
BiyokimyaOrta Doğu Teknik ÜniversitesiBiyokimya Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MERAL YÜCEL