Geri Dön

Determination of trap levels of MOS structure semiconductor devices at cryogenic temperatures

MOS yapılı yarı iletken devre elemanlarının tuzak seviyelerinin düşük sıcaklıklarda tespiti

PDF İndir

  1. Tez No: 65956
  2. Yazar: NURAN DOĞRU
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SADETTİN ÖZYAZICI
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1997
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Gaziantep Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 124

Özet

ABSTRACT DETERMINATION OF TRAP LEVELS OF MOS STRUCTURE SEMICONDUCTOR DEVICES AT CRYOGENIC TEMPERATURES DOĞRU, Nuran M.S. in Electrical and Electronics Eng. Supervisor: Prof. Dr. Sadettin ÖZYA2ICI July 1997, 105 pages In this thesis, trap levels which effect the characteristics and efficiency of the semiconductor devices in MOS (metal-oxide- semiconductor) structure solar cells must have been determined at cryogenic temperatures. For this reason MOS solar cells are designed and fabricated in the form of Al- oxide- p type silicon crystals. In laboratory work, solar cells are produced by creating natural oxide layer and then depositing Aluminum metal contacts by vacuum evaporation technique. Since trap levels in semiconductors can quickly charge and discharge at room temperatures, all measurements must be carried out in a cryostat which uses liquid nitrogen gas (77 K). Using Photocapacitance technique these levels in cells can be determined. Trap levels, l-V, dl/dV,and Capacitance of each solar cell must have been measured by using Monochromator, Capacitance meter and l-V characteristics measurement. But during experimental study, l-V, C-V and C-X characteristics were not obtained, because cryostat was not run. Therefore, some physical parameters such as quantum efficiency, absorption coefficient, lp (photocurrentH and Vp (photovoltage)- X were measured. IllMOS güneş pillerinin veriminin maximum olabilmesi için açık-devre voltajı (Voc), kısa-devre akım» (U) ve düzeltme faktörünün (FF) mümkün olduğunca yüksek olması gerekir. Oksit kalınlığının piller üzerindeki etkisini belirleyebilmek için, oksit kalınlığı farklı piller üretilmiştir. İnce bir oksit tabakasının kısa-devre akımını etkilemeden açık-devre voltajını artırdığı bilinmektedir. Alüminyum kalınlığının pil üzerindeki etkisini gözlemlemek için, siliconun ön yüzü farklı kalınlıklarda Alüminyum ile kaplanmıştır. Tuzak seviyeleriyle ilgili elde edilen bilgiler sadece güneş pillerinin verimini artırabilmek için değil yarı iletken malzeme kullanan diğer devre elemanlarının veriminin artırılmasına da yardımcı olabilecektir. Anahtar Kelimeter: MOS güneş pilleri, tuzak seviyeleri, fotoakım, verim, çok düşük sıcaklık. VI

Özet (Çeviri)

ÖZET MOS YAPILI YARI İLETKEN DEVRE ELEMANLARININ TUZAK SEVİYELERİNİN DÜŞÜK SICAKLIKLARDA TESBİTİ DO?RU, Nuran Yüksek Lisans Tezi, Elk. Elektr. Müh. Böl. Tez Yöneticisi; Prof. Dr. Sadettin ÖZYA21CI Temmuz 1997, 105 sayfa Bu tezde, MOS yapılı güneş pillerindeki yarı iletken devre elemanlarının karakteristiğini ve verimini etkileyen tuzak seviyelerinin çok düşük sıcaklıkta tesbitinin yapılması gerekiyordu. Bu nedenle AI«oksit-p- tipi silicon kristaller şeklinde MOS yapılı güneş pilleri tasarlanmış ve üretilmiştir. Laboratuvar çalışmasında, güneş pilleri doğal yöntemle oksit tabakası yaratılarak ve vakuum buharlaştırma yöntemi ile Alüminyum metal kontaklar yaparak elde edilmiştir. Yarı iletken devre elemanlarındaki tuzak seviyelerinin oda sıcaklığında çabucak dolup ve boşalmalarından dolayı bütün ölçümler sıvı azot (77 K) gazı kullanan kriyostat içinde yapılmalıdır. Fotokapasitans tekniği kullanılarak bu tuzak seviyeleri belirlenebilir. Güneş pillerinin, tuzak seviyeleri, l-V, dl/dV ve kapasitansı Işık ayrıştırıcı, Kapasitans metre ve l-V karakteristik ölçüm düzeneği ile ölçülmesi gerekiyordu. Fakat deney süresince, l-V, C-V ve C-X karakteristikleri elde edilememiştir, çünkü kriyostat çalıştırılamamıştır. Bu nedenle, kuantum verimi, emme katsayısı, lp (fotoakim)-X ve Vp (fotovoltaj)- 2ı gibi bazı fiziksel parametreler ölçülmüştür.ABSTRACT DETERMINATION OF TRAP LEVELS OF MOS STRUCTURE SEMICONDUCTOR DEVICES AT CRYOGENIC TEMPERATURES DO?RU, Nuran M.S. in Electrical and Electronics Eng. Supervisor: Prof. Dr. Sadettin ÖZYA2ICI July 1997, 105 pages In this thesis, trap levels which effect the characteristics and efficiency of the semiconductor devices in MOS (metal-oxide- semiconductor) structure solar cells must have been determined at cryogenic temperatures. For this reason MOS solar cells are designed and fabricated in the form of Al- oxide- p type silicon crystals. In laboratory work, solar cells are produced by creating natural oxide layer and then depositing Aluminum metal contacts by vacuum evaporation technique. Since trap levels in semiconductors can quickly charge and discharge at room temperatures, all measurements must be carried out in a cryostat which uses liquid nitrogen gas (77 K). Using Photocapacitance technique these levels in cells can be determined. Trap levels, l-V, dl/dV,and Capacitance of each solar cell must have been measured by using Monochromator, Capacitance meter and l-V characteristics measurement. But during experimental study, l-V, C-V and C-X characteristics were not obtained, because cryostat was not run. Therefore, some physical parameters such as quantum efficiency, absorption coefficient, lp (photocurrentH and Vp (photovoltage)- X were measured. Ill

Benzer Tezler

  1. Tez No

    100744

    Mos tranzistorlarda kanal katkılama yönteminin oksit ve arayüzey tuzakları üzerine etkisi

    The Channel doping method's effect on oxide and interface traps in mos transistors

    ENGİN KONUR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. UĞUR ÇİLİNGİROĞLU

  2. Tez No

    754264

    Ülseratif kolit tanılı hastalarda, serum soluble B7-H4, TNF-ALFA ve IL-6 kan seviyeleri ile hastalık aktivitesi arasındaki ilişki

    The relationship between serum soluble B7-H4, TNF-ALFA and il-6 BLOOD levels and disease activity in patients with ulcerative colitis

    DİCLE YURDATAP

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    İç HastalıklarıÇanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi

    İç Hastalıkları Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. FATİH KAMIŞ

  3. Tez No

    735799

    Şanlıurfa ilinde Antepfıstığında Agonoscena pistaciae Burc.&Laut. (Hemiptera; Psyllidae)'nın ergin populasyon değişiminin farklı örnekleme yöntemleri ile belirlenmesi

    Determination of adult population density of Agonoscena pistaciae Burc.&Laut. (Hemiptera:Psyllidae) on pistachio trees in Şanlıurfa province by different methods

    MEHMET ALİ SAĞIROĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    ZiraatHatay Mustafa Kemal Üniversitesi

    Bitki Koruma Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. KAMURAN KAYA

  4. Tez No

    134724

    Kanserli insan dokularındaki eser metal düzeylerinin tayini

    Determination of trace metals levels in cancerous human tissues

    DEMET ATICI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    KimyaFırat Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET YAMAN

  5. Tez No

    135580

    CaF2:Dy,CaSO4:Dy,LiF:MgTi ve Al2O3:C kristallerinin tuzak parametrelerinin termolüminesans ışınma eğrileri analiziyle belirlenmesi

    Determination of trap parameters of CaF2:Dy,CaSO4:Dy,LiF:MgTi and Al2O3:C crystalls by analyzing thermoluminescence glow curves

    SEMRA SOLAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ZEHRA YEĞİNGİL

Geri Dön