Mikroelektronik uygulamalar için düşük sıcaklıklarda oksitlenme yöntemlerinin irdelenmesi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 66212
- Danışmanlar: DOÇ. DR. AYTEN KUNTMAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1997
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 52
Özet
ÖZET MİKROELEKTRONİK UYGULAMALAR İÇİN DÜŞÜK SICAKLIKLARDA OKSİTLEME YÖNTEMLERİNİN İRDELENMESİ Yarıiletken teknolojisinde oksit büyütme değişik yöntemlerle değişik amaçlar için yaygın olarak kullanılmaktadır. Kullanımının yaygınlığı nedeniyle bu çalışmada önce yüksek sıcaklıkta oksit büyütme yöntemleri incelendi. Bu yöntem kullanıldığında yeterince kalın oksit elde etmek silisyumun ancak yeterince uzun süre bekletmekle mümkün olmaktadır. Kalın oksit elde edilmesini zorlaştıran en önemli etki silisyum pul üzerindeki oksit tabakası kalınlaştıkça oksijenin difüzyonunun zorlaşmasıdır. Yüksek : sıcaklık uygulamaları ise daha önceden yapılmış katkılamaların üzerinde etkili olmaktadır. Daha da önemlisi yüksek sıcaklıkta oksit büyütme metalizasyon aşamasından sonra mümkün değildir. Metalizasyon aşamasından sonra CVD veya silisyum pulun üzerini oksit çözeltisi ile kaplama kullanılabilir. CVD yaygın olarak kullanılmasına rağmen cihazların karmaşıklığı ve de yüksek vakum ortamının elde edilmesinin uzun sürmesi nedeniyle sorunları olan bir tekniktir. Silisyum pulu oksit çözeltisi ile kaplama ise kullanılan maddeler nedeniyle oksit filmde çatlama ve karbon kirliliği olabilmektedir. Bu çalışmada oksit çözeltisi karbon kirliliği ve oksit filminin çatlama risklerini azaltacak şekilde hazırlanmış ve elde edilen oksit filminin karakterizasyonu yapılmıştır 42
Özet (Çeviri)
SUMMARY ANALYSIS OF LOW TEMPERATURE OXIDE GROWTH TECHNIQUES FOR MICROELECTRONICS APPLICATIONS Oxide growth in semiconductor inddustry used for different purposes, by using different techniques. Because of their wide use oxide growth techniques at high temperatures are discussed first. In order to have enough thick oxides by using this technique, the wafer should be kept in hot environment for a quite a long time. But oxygen diffusion through the oxide film gets more difficult with increasing oxide thickness. Besides high temperatures, also effect the diffusion profile and after metalization any kind of high temperature process is impossible. Techniques, which are used after metalization, are CVD or covering the wafer surface with oxide solution. Despite CVD is used widely, it has problems because of equipment complexity and required time for high vacuum. At the other hand covering the wafer surface with oxide solution generally suffers from cracks on oxide film and carbon contamination. In this work silicium wafer is coverd with silicide acide solution and then oxide characteristics are investigated. 43
Benzer Tezler
- Mechanochemical synthesis and characterization investigations of some refractory metal silicides
Bazı refrakter metal silisitlerin mekanokimyasal yöntemle sentezlenmesi ve karakterizasyonu
DİDEM OVALI DÖNDAŞ
Doktora
İngilizce
2018
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA LUTFİ ÖVEÇOĞLU
- LED and visible light-induced metal free ATRP using reducible dyes in the presence of amines
İndirgenebilir boyar madde/amin sistemi ile LED ve görünür bölge ışığıyla başlatılmış metal içeriksiz ATRP
CEREN KÜTAHYA
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YUSUF YAĞCI
- Cerium oxide thin film growth using pulsed electron deposition method
Darbeli elektron biriktirme yöntemiyle seryum oksit ince film büyütülmesi
THEKRA ABDELQADER RADWAN ALQUTAMY
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA TOLGA YURTCAN
- CeO2 katkılı Ca3Co4O9 termoelektrik malzemelerde faz dengeleri
Phase equilibria for CeO2 doped Ca3Co4O9 thermoelectric materials
BEYZA BAKKAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ NURİ SOLAK
- A cryogenic cmos low dropout regulator design for space applications
Uzay uygulamaları için kriyojenik cmos alçak gerilim düşümlü regülatör tasarımı
HALİL İBRAHİM KAYIHAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ MUSTAFA BERKE YELTEN