Geri Dön

Design and construction of pulse generation and signal processing units for deep level transient spectroscopy studies

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 6882
  2. Yazar: ÜNAL SOYDAN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. MÜZEYYEN SARITAŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Derinlik seviyesi, kapasitans geçişi, darbe üreteci, sinyal işlemcisi, çiftli örnekleyici, derin seviye geçiş spektroskopisi. vı
  7. Yıl: 1989
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 115

Özet

ÖZET DERİN SEVİYE GEÇİŞ SPEKTROSKOP İ S İ ÇALIŞMALARI İÇİN DARBE ÜRETECİ VE SİNYAL İŞLEMCİSİNİN TASARIMI VE GERÇEKLEŞT İ R İ LMES İ SOYDAN, Ünal Yüksek Lisans Tezi, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Müzeyyen SARITAŞ Mart 1969, 96 sahife Yarı iletkenlerin yasak band aralığında oluşan derin enerji seviyeleri kristal yapıdaki bozukluklar ve katı şık madde ler ce oluşturulur. Bu seviyeler, yarıiletken ele manların performanslarını etkiler. Bu tezde, tuzak seviyelerini belirlemek için gelişti rilen teknikler özetlendi. Darbe sinyali ile yarı iletken lerde kapasitans geçiş sinyali yaratılmasının teorisi su nuldu. Derin seviye geçiş spektroskopı s i ile ilgili tek nikler araştırıldı. Tuzakları doldurmak için kullanılacak genliği, akımı ve genişliği ayarlanabilir darbe sinyalini verecek darbe üreteci tasarlandı. Sinyal işlemcisi olarak çiftli ornekleyici metodu seçildi ve örnek alma, tutma ve karşılaştırma devrelerini içeren sinyal işleme ünitesi ta sarlandı. Boonton 72BD kapasitans metrenin kapasite geçiş sin yalini elde ederkenki performansını artırmak için bazı vdeğişiklikler yapıldı. Son olarak tasarlanan cihaz gerçekleştirildi. Perfor mansı deneysel olarak test edildi ve Polaron DLTS cihazı ile karşılaştırıldı. Gerçekleştirilen cihazın bazı özellikleri: AC/C 1ÜJ dür ve bir kapasitans köprü devresi ile 10 e kadar artırılabilir, t^ ve t2 2jjsec'dan lüOûjJsec'a kadar değiştiri lebilir ve bu aralık dışardan bağlanabilen direnç ve kapasi- torlerle nanosaniyelerden 100 milisaniyelere kadar genışle- tilebilir. Doldurma darbe sinyalinin genliği 12V'a, akımı 15 mA'e, genişliği 200 nanosaniyeden 60 raicrosanıyeye kadar a- yarlanabi 1 ir. Sinyal işleme ünitesi (5Û0jjsan) 'den büyük yayma hızları için randımanlı çalışmaktadır.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT DESIGN AND CONSTRUCTION OF PULSE GENERATION & SIGNAL PROCESSING UNITS FOR DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY STUDIES SOYDAN, Ünal M.S. in Electrical and Electronics Engineering Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Müzeyyen SARITAŞ March 1369, 96 pages Deep states appeared in the energy gap of semiconduc tor materials aire caused by impurities and defects present in the crystaJ structures. These states affect device per formances. In this thesis, the techniques developed to determine the deep levels were summarized. The theory of pulse biased capacitance transients in semiconductors were given. The deep level transient spectroscopy techniques were investi gated. A pulse generator which provides pulses with adjust able amplitudes, currents and widths to fill the traps was designed. Double boxcar method was selected as signal proc essor, then signal processor unit which includes sample, hold and comparator circuits was designed. Boon t on 72BD capacitance meter were modified to im prove its performance while obtaining capacitance tran sients. iiiFinally the designed equipment was constructed. Its performance was experimentally tested and compared with Polaron DLTS device. Specifications of constructed device -3 -5 are; AC/C is 10 and can be decreased to 10* by a capac itance bridge, t, and t2 ranges are from 2)jsec to lOOOjJsec and can be changed from nanoseconds to 100 mil i seconds by externally connecting resistances and capacitances. Injec tion pulse width is from 200 nsec to 60 jjsec, pulse ampli tude is up to 12V and pulse current is up to 15mA. Sig nal processing unit operates well for emission rates larger than (BOOysec). Keywords; Deep level, capacitance transients, pulse gener ator, double boxcar, signal processor, deep level transient spectroscopy. IV

Benzer Tezler

  1. Sönümlemeli kanallarda kafes kodlamalı sistemler için birleşik serpiştirme tekniği

    Combined interleaving technique for trellis coded systems in feding channels

    ERSİN ÖZTÜRK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ÜMİT AYGÖLÜ

  2. 1200 baud FSK tümleşik modem tasarımı

    Başlık çevirisi yok

    BARIŞ POSAT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. UĞUR ÇİLİNGİROĞLU

  3. Femtosaniye lazer ile işlenen yapıların katıhal lazerlerde uygulamaları ve üst çevrim pompalı Tm3+:KY3F10 lazerleri

    Solid-state laser applications of femtosecond laser written structures and upconversion pumped Tm3+:KY3F10 lasers

    YAĞIZ MOROVA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SEDA AKSOY ESİNOĞLU

    PROF. DR. ALPHAN SENNAROĞLU

  4. Düşük bir hızlarında konuşma kodlama ve uygulamaları

    Low bit rate speech coding and applications

    TARIK AŞKIN

  5. Deniz sismiğinde kaynak dalgacığının biçimlendirilmesi

    Shaping of the source wavelet in marine seismics

    CANER İMREN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Jeofizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Jeofizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BERKAN ECEVİTOĞLU