III-V nitrit yarıiletkenlerde yük taşınımının monte carlo simülasyonu ile incelenmesi
Investigation of particle transportation in III-V nitrite semiconductors by monte carlo simulation
- Tez No: 689091
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MUSTAFA AKARSU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2021
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 68
Özet
Elektronik dünyası, yarı iletkenlere ihtiyaç duydukça, yarı iletken teknolojisindeki çalışmalarda büyük gelişmeler olmaktadır. Bu çalışmada, yarı iletken sahasında büyük öneme sahip III-V yarı iletkenlerin üçlü alaşımlarından elde edilen AlxIn(1-x)N yarı iletkeninde elektrik alan ile elektron sürüklenme hızının nasıl etkilendiği araştırılmıştır. Çünkü, bu yarı iletken 0,7 eV ile 6,2 eV arasında değiştirilebilir geniş yasak enerji aralığına sahiptir. Bu özelliği optoelektronik sahası için gerçekten dikkat çekicidir. Bunun yanı sıra sürüklenme hızını etkileyebilecek saçılma mekanizmaları hesaba katılarak hesaplamalar yapılmış, hesaplamalarda kullanılan parametrelerin etkisi araştırılmış ve elde edilen veriler sonuç ve tartışma bölümünde ele alınmıştır.
Özet (Çeviri)
As the world of electronics needs semiconductors, there are great advances in the work of semiconductor technology. In this study, the effect of electric field and electron drift velocity on AlxIn(1-x)N semiconductor obtained from triple alloys of III-V semiconductors of great importance in semiconductor field was investigated. Because, the first oportunities about this alloy is its variable bantgap energy which can be changed from 0,7 to 6,2 eV. So it is so attractive for optoelectronic tecnology. In this study, calculations were made taking into account scattering mechanisms that may affect drift velocity. The effect of the parameters used in thecalculations was investigated and the data obtained were discussed in the conclusion and discussion section.
Benzer Tezler
- Nitrit tabanlı III-V grubu yarıiletkenlerle oluşturulan çoklu kuantum kuyularının yapısal, morfolojik ve bazı optik özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi
Investigation of structural, morphological and some opticalproperties of multi-quantum wells, formed by nitrite based III-Vgroup semiconductors, dependent on temperature
AHMET KÜRŞAT BİLGİLİ
Doktora
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KEMAL ÖZTÜRK
- Band-offset ratio calculations of nitrogen containing III-V quantum wells
Nitrojen içeren III-V kuantum kuyularının bant-derinlik oranının hesaplanması
FATMA KOÇAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BEŞİRE GÖNÜL
- Üçlü alaşım wurtzite AlxGa1-xN malzemenin band yapısı hesabı
Band structure calculation of the wurtzite phase material, ternary alloy, AlxGa1-xN
DİLEK KURALI
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiDokuz Eylül ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. İSMAİL SÖKMEN
- Üçlü alaşım wurtzite InxGa1-xN malzemenin band yapısı hesabı
Band structure calculation of the wurtzite phase material, ternary alloy, InxGa1-xN
SEVİL SARIKURT
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiDokuz Eylül ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. İSMAİL SÖKMEN
- Silikon ve safir alttaşlar üzerine epitaksiyel büyütülmüş aln ince filmlerin elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of epitaxially grown ain thin films on silicon and sapphire substrates
KAĞAN MURAT PÜRLÜ
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiNanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İLKAY DEMİR