Geri Dön

Düz ve ters besleme gerilimi uygulanarak omik ve omikolmayan schottky diyotların direnç değişkenlerininkarşılaştırılması

Comparison of resistance parameters of ohmic and non-ohmic schottky diodes by applying forward and reverse bias voltage

  1. Tez No: 705645
  2. Yazar: MÜSLİM TUNÇ
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. ABDULKADİR KORKUT
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2021
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 95

Özet

Yeni üretilmiş Metal/p-Si/Cu (omik) ve Metal/p-Si/Cu (non-omik), Schottky diyotların direncine ait parametrelerin nasıl değiştiği araştırılmıştır. Ters ve düz besleme durumunda Schottky diyot parametreleri hesaplanmış, parametreler omik ve nonomik olmasına göre incelenmiştir. Bu verilerden yararlanılarak diyotun toplam direnci de hesaplanmıştır. Yeni bir matematik yaklaşımla“seri direnç”incelenmiş ve ilginç sonuçlara ulaşılmıştır.

Özet (Çeviri)

Newly produced Metal/p-Si/Cu (omic) and Metal/p-Si/Cu (non-omic) investigated how the parameters for the resistance of Schottky diodes changed. Schottky diode parameters were calculated in case of reverse and forward bias, and parameters were examined according to omic and non-omic. Using this data, the total resistance of the diode was also calculated.“serial resistance”was examined with a new mathematical approach and interesting results were reached.

Benzer Tezler

  1. Metal-organik kimyasal buharlaştırma tekniği ile büyütülmüş uzun dalgaboylu lazer yapıların elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    The investigation of electrical properties of long wavelength laser structures, produced via metal-organic chemical vapor deposition technique

    NESLİHAN AYARCI KURUOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. KUTSAL BOZKURT

    PROF. DR. ORHAN ÖZDEMİR

  2. A novel rotationally oscillating micro drill for microinjection operations

    Mikroenjeksiyon operasyonları için yeni bir rotasyonel osilasyonlu mikro delici

    HANDAN NAK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrolİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kontrol ve Otomasyon Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ALİ FUAT ERGENÇ

  3. SILAR metoduyla elde edilen Cu/CuS/n-GaAs/In yapının elektriksel karakteristiklerinin numune sıcaklığına bağlı olarak incelenmesi

    Ivestigation of electrical characteristics of Cu/CuS/n-GaAs/In structure obtained by SILAR method depending on sample temperature

    EBRU KAYA DÖLEKLİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA SAĞLAM

  4. MIS yapılarda ara yüzey karakterizasyonu

    Interface characterization of MIS structures

    RIDVAN OKUR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SEMA BİLGE OCAK

  5. Al/ SnO2/ p-Si/ Al yapılarında ısısal tavlamanın yüzey durumlarına etkisi

    The Effect of thermal annealing on interface states in Al/ SnO2/ p-Si/ Al

    NURCAN YILDIRIM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TÜLAY SERİN