Geri Dön

Design and Implementation of a Low-power SOI CMOS Receiver

Düşük Güç Tüketen Bir SOI CMOS Alıcının Tasarımı ve Gerçeklenmesi

  1. Tez No: 713167
  2. Yazar: ERTAN ZENCİR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ERCÜMEND ARVAS
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2003
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Syracuse University
  10. Enstitü: Yurtdışı Enstitü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 231

Özet

Bu tez, bir UHF düşük IF alıcı ön ucunun tasarımı ve simülasyonu ve alıcının RF ön uç bloklarının 0,35 μm'lik bir SOI (Silicon on Insulator) CMOS teknolojisinde uygulanması hakkındadır. UHF frekanslarda düşük IF mimarisi kullanarak yüksek düzeyde tümleşik bir alıcının uygulanmasında karşılaşılan çeşitli sorunlar ve zorluklar tanımlanmıştır. Temel banttaki gürültüyü azaltmak için düşük güçlü tasarımlara uygun düşük IF mimarisi benimsenmiştir. Tek uçlu ve diferansiyel LNA'lar, pasif ve aktif karıştırıcılar ve değişken kazançlı karmaşık filtreler dahil olmak üzere alıcı yapı taşlarının tasarım konuları tartışılmıştır. Alıcı, 70 dB imaj işaret reddi ve 2.5-V beslemeden 45 mW güç tüketimi ile 100 dB'den fazla değişken dönüştürme kazancına sahip olacak şekilde tasarlanmıştır. Tasarımlar olarak LNA'ların, mikserin, aktif kompleks filtrenin ve tüm alıcı devresinin simülasyonları sunulmaktadır. Düşük güç tüketimine sahip alıcının kazanç, gürültü ve doğrusallık performansları, SOI CMOS teknolojisinde tüm entegre bir alıcının uygulanabilirliğini kanıtlamaktadır. Tek uçlu bir diferansiyel LNA ve çift dengeli bir mikser ile birlikte bir diferansiyel LNA içeren RF ön uç bloklarının ölçüm sonuçları, SOI CMOS teknolojisinde RF ön uç devrelerinin düşük güç tüketimiyle gerçeklenebilirliğini göstermektedir.

Özet (Çeviri)

This dissertation reports on the design and simulation of a UHF low-IF receiver front-end and implementation of the RF front-end blocks of the receiver in a 0.35-μm SOI (Silicon on Insulator) CMOS technology. Various problems and challenges in implementing a highly integrated receiver at UHF using a low-IF architecture are identified. Low-IF architecture, suitable for low-power designs, has been adopted to mitigate the noise at the baseband. Design issues of the building blocks including single-ended and differential LNA's, passive and active mixers, and variable gain complex filters are discussed. The receiver is designed to have a variable conversion gain of more than 100 dB with 70 dB image rejection and a power dissipation of 45 mW from a 2.5-V supply. Designs and simulations of the LNA's, mixer, active complex filter, and the full receiver circuit are presented. Gain, noise and linearity performances of the receiver with low power dissipation prove the viability of a fully integrated receiver in SOI CMOS technology. Measurement results of RF front-end blocks including a single-ended, and a differential LNA together with a double-balanced mixer demonstrate the low power realizability of RF front-end circuits in SOI CMOS technology.

Benzer Tezler

  1. RF integrated circuits for UHF transceivers in bulk and SOI CMOS

    UHF alıcı vericileri için standart ve SOI CMOS RF entegre devreleri

    AHMET TEKİN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiNorth Carolina A&T State University

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NUMAN S. DOĞAN

  2. System implementation of a 4x1 mimo T/R module and Ka-band low noise amplifiers for 5G applications

    4x1 mimo alıcı verici modüllerinin sistem entegrasyonu ve 5G uygulamaları için Ka bant düşük gürültülü yükselticiler

    ŞERAFETTİN SERHAN ÖZBOZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı Üniversitesi

    Mühendislik ve Doğa Bilimleri Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ

  3. Design and implementation of a single-phase cascaded H-bridge multi-level converter based statcom

    Tek-faz kaskat H-köprü çok seviyeli çevirgeç tabanlı statcom tasarımı ve gerçekleştirilmesi

    HAMED ATYIA SOODI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGaziantep Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AHMET METE VURAL

  4. Design of real-time monitoring and alarming system with low power consumption for patient health

    Başlık çevirisi yok

    ALI ADIL MANHAL AL JANABI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolAltınbaş Üniversitesi

    Elektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ÇAĞATAY AYDIN

  5. A low power integrated temperature sensor with digital outputsfor on-chip temperature monitoring applications

    Sıcaklık gözlemleme uygulamaları için düşük güç tüketimli sayısal çıkışlı tümleşik sıcaklık sensörü

    ÖZGE TURAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. TAYFUN AKIN