Geri Dön

Materials and device characterization of Ag: Znse thin films

Ag: Znse ince filmlerinin malzeme ve cihaz karakterizasyonu

  1. Tez No: 714904
  2. Yazar: MERVE KARAMAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ABDULLAH YILDIZ, DOÇ. DR. HASAN HÜSEYİN GÜLLÜ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Enerji, Mühendislik Bilimleri, Energy, Engineering Sciences
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2021
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Ankara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 65

Özet

Bu tezin amacı, ZnSe ince film yapısına gümüş (Ag) kazandırarak ince filmlerin elektriksel özelliklerini geliştirmek ve yapısal, morfolojik ve optik özellikler açısından ince film özelliklerini araştırmaktır. Bu çalışmada cam yüzeylere %2, %5 ve %10 gümüş (Ag) katkı ile ZnSe ince filmler üretildi. Grup IB'de bulunan Ag, II-VI malzemelerdeki dopant katkılama ile elektrik iletkenliğini artırmak için kullanılmıştır. ZnSe ve Ag buharlaşma kaynaklarının termal buharlaşması ile elde edilen film tabakası elde edildi. Bu yöntem basit, düşük maliyetlidir ve II-VI yarı iletken filmler için yaygın olarak kullanılır. Ayrıca filmlerin yapısal, yüzey morfolojisi, pürüzlülüğü ile optik emilimi ve enerji boşluğu özellikleri araştırılmıştır. Son olarak, filmlerin cihaz özellikleri Al arka kontak ve In ön kontak ile Si alt taş üzerinden incelenmiştir Sonuçlar, Ag katkısının ZnSe ince filmlerinin elektriksel ve cihaz özelliklerinde iyileşme göstermiştir. Ag:ZnSe/ Si/ Al heteroeklem yapısı fotodiyot davranış göstermiştir.

Özet (Çeviri)

The aim of this thesis is to improve the electrical properties of ZnSe thin films by introducing silver (Ag) to the structure and investigate the thin film properties with regards to structural, morphological, and optical properties. In this work, ZnSe thin films were deposited with 2 wt%, 5 wt%, and 10 wt% silver (Ag) contribution on glass substrates. Present in group IB, Ag was used to increasing the electrical conductivity due to donor dopant in II-VI materials. The film layer was obtained by thermal evaporation of ZnSe and Ag evaporation sources. This method is simple, low cost, and widely used for II-VI semiconductor films. Furthermore, structural, surface morphology, roughness, optical absorption, and energy gap properties of the films were investigated. Finally, device properties of films using Si substrates with Al rear contact and In front contact were examined. The results indicate that Ag doping enhanced the electrical and device properties of ZnSe thin films. Ag:ZnSe/ Si/ Al heterostructure performed photodiode behavior.

Benzer Tezler

  1. SnO2 karbonmonoksit gaz sensörlerinin üretimi ve elektriksel karakterizasyonu

    Fabricationand electrical characterization of SnO2 carbonmonoxidegas sensors

    MURAT KABAKCI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla Sıtkı Koçman Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    DOÇ. DR. NEŞE KAVASOĞLU

  2. Solution-processed thin film deposition and characterization of multinarychalcogenides: Towards highly efficient Cu2BaSn(S,Se)4 solar devices

    Solüsyon yöntemiyle sentezlenmiş çok elementli kalkojenitlerin ince film kaplama ve karakterizasyonu: Yüksek verimli Cu2BaSn(S,Se)4 bazlı güneş soğuran cihazlara doğru

    BETÜL TEYMUR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    EnerjiDuke University

    Malzeme Bilimi ve Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. DAVİD B.MİTZİ

  3. Yüksek dielektrik sabitli yalıtkan filmlerin üretilmesi ve mos yapıda incelenmesi

    Fabrication and characterization of high-k dielectric films in mos structure

    AYŞE EVRİM SAATCİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KUBİLAY KUTLU

  4. Elektronik baskı uygulamalarına yönelik alaşım ve metalik nano partiküllerin üretimi

    Alloy and metallic nanoparticle production for printed electronics

    ŞERZAT SAFALTIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEBAHATTİN GÜRMEN

  5. Sol-jel yöntemi ile grafen ve bor nitrür nanotabaka ile katkılanmış tio2 nanokompozitlerin üretimi ve karakterizasyonu

    Production and characterization of tio2 nanocomposites reinforced by graphene and bor nitride nanosheet with the sol-gel method

    FATİH KESEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Metalurji MühendisliğiMersin Üniversitesi

    Nanoteknoloji ve İleri Malzemeler Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SEVAL HALE GÜLER