Metal-yalıtkan-metal ve metal-yalıtkan-yarıiletken yapılar için ince yalıtkan tabakaların üretilmesi, karakterizasyonu ve uygulaması
Fabrication, characterization and application of thin insulator films for metal-insulator-metal and metal-insulator-semiconductor devices
- Tez No: 729322
- Danışmanlar: PROF. DR. UĞUR SERİNCAN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2022
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Eskişehir Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 78
Özet
Yüksek frekans elektroniği ve GHz-THz bölgede enerji çevrimi uygulamalarında arkma (tünelleme) temelli aygıtlar önem arz eder. Arkma olasılığının yüksek olması için bu aygıtlardaki yalıtkan tabakaların kalınlıkları 10 nm altında üretilmek durumundadır; bu da yaygın kullanımlarına engel teşkil eden çeşitli sorunları beraberinde getirir. Çalışmada bu engellerin neler oldukları ve nasıl ölçülebilecekleri üzerine bilgi verilmiştir. Bu aygıtların işleyişinin anlaşılması için bir benzetim (simulasyon) hazırlanmıştır. Malzemenin özündeki ve aygıt yapısı içerisinde bulunmasından kaynaklı sorunlar açıklanmış; üretim kusurları ve aygıt davranışı incelenmiş; başarılı aygıtlardan GHz bölgede enerji çevrimi uygulaması hazırlanmıştır. Ark diyotun yaygın kullanımı için üretim sorunlarına çözüm önerileri belirtilirken, farklı bir aygıt düşüncesi de sunulmuştur.
Özet (Çeviri)
In high frequency electronics and GHz-THz regime energy conversion applications, tunneling mechanism-based devices have high significance. To achieve high tunneling probability, insulating layers in these devices should be produced under 10 nm thicknesses; that, though, brings several obstacles whence prevent their widespread usage. In this work, information was given on what those problems are and how they ought to be measured. Simulation for understanding the mechanism of these devices was performed. Problems induced by material itself and its presence inside the structure of the device were explained; fabrication deficiencies and device characteristics were investigated; with efficient devices, energy harvesting application in GHz regime was prepared. While solutions were suggested on fabrication problems to widen the tunneling diode usage, a new device concept was presented.
Benzer Tezler
- Yüksek dielektrik sabitli yalıtkan filmlerin üretilmesi ve mos yapıda incelenmesi
Fabrication and characterization of high-k dielectric films in mos structure
AYŞE EVRİM SAATCİ
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU
- Instability studies in amorphous silicon based alloys
Amorf silisyum tabanlı alaşımlardaki kararsızlık çalışmaları
ORHAN ÖZDEMİR
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- PECVD yöntemiyle büyütülmüş BN filmlerin opto-elektronik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of PECVD grown BN thin films opto-electronic properties
BORA BOZKURT
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORHAN ÖZDEMİR
- Color generation and enhancement using large-scale compatible metamaterial design architectures
Büyük ölçekli üretime uygun metamalzeme tasarım mimarisi kullanarak renk üretme ve iyileştirmesi
ALİ CAHİT KÖŞGER
Doktora
İngilizce
2022
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- Fabrication and characterization of P3HT-WO3 hybrid thin films and device applications
P3HT-WO3 hibrit ince filmlerin üretimi, karakterizasyonu ve cihaz uygulamaları
FATMA BEYZA YEDİKARDEŞ ER
Doktora
İngilizce
2024
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ESRA ZAYİM
PROF. DR. MUSTAFA ALTUN