InGaAs epitaksiyel tabakaların optik ve elektriksel karakterizasyonu
Optical and electrical characterization of InGaAs epitaxial layers
- Tez No: 739973
- Danışmanlar: PROF. DR. AYŞE EROL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2022
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 85
Özet
InGaAs alaşımı büyütme süreçlerinde In alaşım kompozisyonunun kontrollü olarak değiştirilmesi ile bant aralığı yaklaşık 0,75eV olarak ayarlanarak, kırmızı ötesi (IR) bölgede çalışan dedektörlerde kullanılan bir yarıiletken malzemedir. Oda sıcaklığında bant aralığı 1,65 µm dalgaboyu civarına karşılık gelmekte olup, bu dalgaboyu civarında ışıma yapan optoelektronik aygıt olarak kullanılma potansiyeli bulunmaktadır. Bu çalışmada, Metal Organik Buhar Faz Epitaksisi (Metal Organic Vapour Phase Epitaxy¸ MOVPE) yöntemi kullanılarak yarı yalıtkan InP üzerinde büyütülen, farklı kalınlık ve taşıyıcı konsantrasyonlarına sahip In0,53GaA0,47As epitaksiyel tabakaların optik ve elektriksel karakterizasyonu yapılarak, bant aralıkları, taşıyıcı konsantrasyonları, taşıyıcı mobiliteleri ve bu parametrelerin sıcaklığa bağlılığı belirlendi. Bu malzemenin sıcaklığa bağlı enerji bant aralığı¸ 33 K ve 300 K aralığında¸ fotolüminesans (Photoluminescence¸ PL) yöntemi kullanılarak incelendi ve sıcaklığa bağlı taşıyıcı konsantrasyonu ve taşıyıcı mobilitesi¸ 77 K ve 300 K aralığında Hall olayı yöntemi kullanarak belirlendi. İncelenen yapılar n-tipi olup, farklı taşıyıcı konsantrasyonlarına sahip oldukları için¸ bant aralığında farklı taşıyıcı konsantrasyonu olması durumunda¸ oluşacak bant aralığı daralması veya bant kuyruğu oluşumu gibi etkilerin de varlığı incelenmiştir.
Özet (Çeviri)
InGaAs alloy is a semiconductor material that is used in detectors operating in the infrared (IR) region by changing the In alloy composition in controlled growth processes by adjusting the band gap to about 0,75eV. The band gap at room temperature corresponds to around 1,65 µm, and it has the potential to be used as an optoelectronic device that radiates around this wavelength. In this work¸ In0,53GaA0,47As alloy with different thickness and carrier concentrations grown on semi-insulating InP by using Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) method were studied and energy band gaps, carrier concentrations, carrier mobilities, and temperature dependence of these parameters were determined. The energy band gap of this material, depending on the temperature, in the range of 33 K and 300 K, was investigated using the photoluminescence (PL) method and the temperature dependent carrier concentration and carrier mobility between 77 K and 300 K were determined using Hall effect method. The investigated structures are n-type and since they have different carrier concentrations¸ so the existence of effects such as band gap narrowing or band tail formation in case of different carrier concentration in the band gap were also investigated.
Benzer Tezler
- 9xx-10xx nm dalga boyunda ışıyan yüksek güçlü lazer diyot yapısının tasarımı ve mocvd yöntemi kullanılarak epitaksiyel tabakaların büyütülmesi
Design and epitaxial layer growth of 9xx-10xx nm wavelenght high power laser diodes by using mocvd system
ALİYE ALEV KIZILBULUT
Doktora
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- InAlAs/InGaAs metal-yarıiletken-metal fotodedektörlerin aygıt simülasyonu, epitaksiyel büyütülmesi ve karakterizasyonu
Device simulation, epitaxial growth, and characterization of the metal-semiconductor-metal photodetectors based on InAlAs/InGaAs
DUDU HATİCE ÜNAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Bilim ve TeknolojiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiNanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İLKAY DEMİR
- Düşey kovuklu yüzey ışımalı lazer yapılarının büyütülmesi ve karakterizasyonu
Growth and characterization of vertical cavity surface emitting lasers
BEHÇET ÖZGÜR ALAYDİN
Doktora
Türkçe
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EBRU ŞENADIM TÜZEMEN
- Yüksek verimli ince film güneş hücresi uygulamaları için GaAs epikatmanların si alttaş üzerine büyütülmesi
Growth of GaAs epilayers on si substrate for high efficiency thin film solar cell application
MUHAMMED AKTAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
EnerjiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA KULAKCI
- Metal oksit inorganik malzemelerin GaAs hücre teknolojisine elektron seçici yayıcı katman olarak entegrasyonu
Integration of metal oxide inorganic materials into GaAscell technology as electron selective emitter layer
ELİF YILMAZ
Doktora
Türkçe
2024
EnerjiEskişehir Teknik ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA KULAKCI