Geri Dön

InGaAs epitaksiyel tabakaların optik ve elektriksel karakterizasyonu

Optical and electrical characterization of InGaAs epitaxial layers

  1. Tez No: 739973
  2. Yazar: SALEH MOHAMMAD AMINI
  3. Danışmanlar: PROF. DR. AYŞE EROL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 85

Özet

InGaAs alaşımı büyütme süreçlerinde In alaşım kompozisyonunun kontrollü olarak değiştirilmesi ile bant aralığı yaklaşık 0,75eV olarak ayarlanarak, kırmızı ötesi (IR) bölgede çalışan dedektörlerde kullanılan bir yarıiletken malzemedir. Oda sıcaklığında bant aralığı 1,65 µm dalgaboyu civarına karşılık gelmekte olup, bu dalgaboyu civarında ışıma yapan optoelektronik aygıt olarak kullanılma potansiyeli bulunmaktadır. Bu çalışmada, Metal Organik Buhar Faz Epitaksisi (Metal Organic Vapour Phase Epitaxy¸ MOVPE) yöntemi kullanılarak yarı yalıtkan InP üzerinde büyütülen, farklı kalınlık ve taşıyıcı konsantrasyonlarına sahip In0,53GaA0,47As epitaksiyel tabakaların optik ve elektriksel karakterizasyonu yapılarak, bant aralıkları, taşıyıcı konsantrasyonları, taşıyıcı mobiliteleri ve bu parametrelerin sıcaklığa bağlılığı belirlendi. Bu malzemenin sıcaklığa bağlı enerji bant aralığı¸ 33 K ve 300 K aralığında¸ fotolüminesans (Photoluminescence¸ PL) yöntemi kullanılarak incelendi ve sıcaklığa bağlı taşıyıcı konsantrasyonu ve taşıyıcı mobilitesi¸ 77 K ve 300 K aralığında Hall olayı yöntemi kullanarak belirlendi. İncelenen yapılar n-tipi olup, farklı taşıyıcı konsantrasyonlarına sahip oldukları için¸ bant aralığında farklı taşıyıcı konsantrasyonu olması durumunda¸ oluşacak bant aralığı daralması veya bant kuyruğu oluşumu gibi etkilerin de varlığı incelenmiştir.

Özet (Çeviri)

InGaAs alloy is a semiconductor material that is used in detectors operating in the infrared (IR) region by changing the In alloy composition in controlled growth processes by adjusting the band gap to about 0,75eV. The band gap at room temperature corresponds to around 1,65 µm, and it has the potential to be used as an optoelectronic device that radiates around this wavelength. In this work¸ In0,53GaA0,47As alloy with different thickness and carrier concentrations grown on semi-insulating InP by using Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) method were studied and energy band gaps, carrier concentrations, carrier mobilities, and temperature dependence of these parameters were determined. The energy band gap of this material, depending on the temperature, in the range of 33 K and 300 K, was investigated using the photoluminescence (PL) method and the temperature dependent carrier concentration and carrier mobility between 77 K and 300 K were determined using Hall effect method. The investigated structures are n-type and since they have different carrier concentrations¸ so the existence of effects such as band gap narrowing or band tail formation in case of different carrier concentration in the band gap were also investigated.

Benzer Tezler

  1. 9xx-10xx nm dalga boyunda ışıyan yüksek güçlü lazer diyot yapısının tasarımı ve mocvd yöntemi kullanılarak epitaksiyel tabakaların büyütülmesi

    Design and epitaxial layer growth of 9xx-10xx nm wavelenght high power laser diodes by using mocvd system

    ALİYE ALEV KIZILBULUT

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ

  2. InAlAs/InGaAs metal-yarıiletken-metal fotodedektörlerin aygıt simülasyonu, epitaksiyel büyütülmesi ve karakterizasyonu

    Device simulation, epitaxial growth, and characterization of the metal-semiconductor-metal photodetectors based on InAlAs/InGaAs

    DUDU HATİCE ÜNAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Bilim ve TeknolojiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. İLKAY DEMİR

  3. Düşey kovuklu yüzey ışımalı lazer yapılarının büyütülmesi ve karakterizasyonu

    Growth and characterization of vertical cavity surface emitting lasers

    BEHÇET ÖZGÜR ALAYDİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EBRU ŞENADIM TÜZEMEN

  4. Yüksek verimli ince film güneş hücresi uygulamaları için GaAs epikatmanların si alttaş üzerine büyütülmesi

    Growth of GaAs epilayers on si substrate for high efficiency thin film solar cell application

    MUHAMMED AKTAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    EnerjiEskişehir Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA KULAKCI

  5. Metal oksit inorganik malzemelerin GaAs hücre teknolojisine elektron seçici yayıcı katman olarak entegrasyonu

    Integration of metal oxide inorganic materials into GaAscell technology as electron selective emitter layer

    ELİF YILMAZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    EnerjiEskişehir Teknik Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA KULAKCI