InAlAs/InGaAs metal-yarıiletken-metal fotodedektörlerin aygıt simülasyonu, epitaksiyel büyütülmesi ve karakterizasyonu
Device simulation, epitaxial growth, and characterization of the metal-semiconductor-metal photodetectors based on InAlAs/InGaAs
- Tez No: 881330
- Danışmanlar: DOÇ. DR. İLKAY DEMİR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Bilim ve Teknoloji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Science and Technology, Physics and Physics Engineering, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 136
Özet
Bu tez çalışmasında, Silvaco TCAD simülasyon programı ile MSM fotodedektör yapısındaki soğurma tabakası, bariyer tabakası ve dijital dereceli süperörgü tabakasının kalınlıklarının aygıt üzerindeki etkisi araştırılmıştır. MSM fotodedektör yapısındaki her tabakanın aygıtın karanlık akımı, fotoakımı ve foto-karanlık akım oranı üzerindeki etkisi detaylı bir şekilde gösterilmiş ve optimize yapılar oluşturulmuştur. Optimize edilen yapılar Metal Organik Buhar Fazı Epitaksi (MOVPE) sistemi ile büyütülmüştür. MSM fotodedektör yapılarının konsantrasyon oranları, süperörgü tabakalarının kalınlıkları ve büyüme oranları üzerine optimizasyon yapılmıştır. Büyütülen yapıların yapısal karakterizasyonları için Yüksek Çözünürlüklü X-Işını Kırınımı (HRXRD) sistemi kullanılmıştır. Bu sayede MSM fotodedektör yapılarında kullanılacak tabakaların kalınlıkları ve akışları hassas bir şekilde optimize edilmiştir. Optimizasyon çalışmasından sonra MSM fotodedektör yapıları büyütülmüş, HRXRD sistemi yapısal özellikleri ve Fotolüminesans (PL) sistemi ile optik özelliklerini araştırılmıştır. Ayrıca büyütülen yapının fabrikasyonu yapılmış ve MSM fotodedektörün aygıt performansı gösterilmiştir.
Özet (Çeviri)
In this thesis, the effect of the absorption layer, barrier layer, and digital-grade superlattice layer thicknesses in the MSM photodetector structure on the device is investigated with the Silvaco TCAD simulation program. The effect of each layer in the MSM photodetector structure on the device's dark current, photocurrent, and photocurrent-dark current ratio is demonstrated in detail and optimized structures are created. The optimized structures are grown by the Metal Organic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE) system. Concentration ratios, thicknesses of superlattice layers, and growth rates of MSM photodetector structures are optimized. High-resolution X-ray diffraction (HRXRD) system is used for the structural characterization of the grown structures. In this way, the thicknesses and flows of the layers used in MSM photodetector structures are sensitively optimized. After the optimization study, MSM photodetector structures were grown and investigated structural properties were by the HRXRD system, and optical properties were by the Photoluminescence (PL) system. The fabrication of the grown structure is also performed and the device performance of the MSM photodetector is demonstrated.
Benzer Tezler
- Örgü uyumsuz (x≠0.53, y≠0.52) InxGa1-xAs/InyAl1-yAs kuantum heteroyapılarının movpe ile büyütülmesi ve optik karakterizasyonu
Growth and optical characterization of lattice mismatch (x≠0.53, y≠0.52) InxGa1-xAs/InyAl1-yAs quantum heterostructures by movpe
İZEL PERKİTEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Bilim ve TeknolojiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiNanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İLKAY DEMİR
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- Electrical characterization of GaInP/InGaAs/GaAs modulation doped field effect transistor structures
GaInP/InGaAs/GaAs modüle katkılı alan etkili transistör yapılarının elektriksel karakterizasyonu
YAVUZ CİVAN
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- The Electronic and transport properties of modulation doped heterostructures
Modülasyon katkılı bhetero-yapıların elektronik ve transport özellikleri
MOHAMED AYMAN MOGDY ELDENGİ
Doktora
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET TOMAK
- High performance InP-based HEMTs with dry etched gate recess
Başlık çevirisi yok
HALİT CELALEDDİN DURAN
Doktora
İngilizce
1998
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolEidgenössische Technische Hochschule Zürich (ETH)Prof. WERNER BäCHTOLD
Prof. H. MELCHIOR
- Barrier engineering for high-performance nBn infrared photodetectors
Yüksek performanslı nBn kızılötesi fotodedektörler için bariyer mühendisliği
FATİH UZGUR
Doktora
İngilizce
2020
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SERDAR KOCAMAN
DOÇ. DR. ALPAN BEK