The growth of SNSBSE2 crystal and the investigation ofphysical properties of thermally evaporated snsbse2 thinfilms
SNSBSE2 kristali büyütülmesi ve ısıl buharlaştırma yöntemi ile kaplanan snsbse2 ince filmlerin fizikselözelliklerinin incelenmesi
- Tez No: 740963
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET PARLAK, PROF. DR. AYŞE ÇİĞDEM ERÇELEBİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Bridgman sistemi, Buharlaştırma yöntemi, Karakterizasyon, İnce filmler, Bridgman system, Vaporization method, Characterization, Thin films
- Yıl: 2022
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışma SnSbSe kristal yapısının ve SnSbSe ince filmlerin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerini karakterize etmeyi amaçlamaktadır. Bu amaç doğrultusunda SnSbSe kristal yapısı dikey Bridgman yöntemiyle, SnSbSe ince filmler ise cam alttaş üzerine ısıl buharlaştırma yöntemiyle büyütülmüştür. SnSbSe kristalinin yapısal özellikleri, enerji dağılım X-ışını, taramalı elektron mikroskopi, X-ışını kırınımı ve Raman spektroskopi yöntemleriyle analiz edilmiştir. Ayrıca, malzemenin optik özellikleri elipsometri yöntemiyle incelenerek kırıcılık indisi, sönüm katsayısı ve yasak enerji bant aralığı elde edilmiştir. Söz konusu kristalin iletkenliğini ve bu iletkenliğin ışığa olan tepkisini incelemek amacıyla karanlık ortamda ve ışık altında akım-voltaj ölçümü yapılmıştır. Farklı tavlama sıcaklıklarının SnSbSe ince filmlerin fiziksel özelliklerine olan etkisini incelemek amacıyla ince filmler 100 ◦C, 200 ◦C, 300 ◦C and 400 ◦C sıcaklıklarda 30 dakika süreyle tavlanmıştır. Söz konusu ince film örneklerin yapısal özellikleri enerji dağılım X-ışını, taramalı elektron mikroskopi, X-ışını kırınımı, Raman spektroskopi ve atomik kuvvet mikroskopi yöntemleriyle analiz edilmiştir. SnSbSe ince filmlerin optik özellikleri Ultraviole-Görünür ışık spektoskopi yöntemiyle karakterize edilmiş, örneklerin soğurma katsayıları, yasak enerji bant aralıkları ve farklı tavlama sıcaklıklarının bant aralığına olan etkisi değerlendirilmiştir. SnSbSe ince filmlerin iletkenlikleri ve aktivasyon enerjileri sıcaklık bağımlı ışık-kondüktivite ölçümleri sonucunda hesaplanmıştır.
Özet (Çeviri)
The aim of this study is to characterize the structural, optical and electrical proper ties of both SnSbSe bulk crystal and SnSbSe thin films. For this purpose, SnSbSe crystal were grown and SnSbSe thin film were deposited on glass substrates by using vertical Bridgman and thermal evaporation methods respectively. For SnSbSe bulk crystal, Energy Dispersive X-Ray, Scanning Electron Microscopy, X-Ray Diffraction and Raman measurement were performed to investigate the structural analysis. Also, spectroscopic ellipsometry measurement carried out to obtain index of refrac tion, extinction coefficient and optical band gap for optical characterization. The I-V measurement of a crystal also performed in dark and illuminated manner for electrical characterization. To examine the effect of annealing on the physical properties of SnSbSe thin films, samples were annealed at 100 ◦C, 200 ◦C, 300 ◦C and 400 ◦C for 30 minutes and one of the samples kept as 'as grown'. The structural properties of these samples were analyzed by Energy Dispersive X-Ray, Scanning Electron Microscopy, X-Ray Diffraction, Raman and Atomic Force Microscopy analysis. For the optical caharacterization, UV-Vis spectroscopy measurement carried out for obtaining absorption coeeficients and the optical band gap of samples and observing the effect of annealing on band gap. For the electrical characterization, the temperature depen dent photoconductivity measurement performed for measuring the conductivities and activation energies of samples.
Benzer Tezler
- The growth of magnesium substituted hydroxyapatite on (Ti,Mg)N thin films and investigation of their potential as hard tissue implant material
Ti,Mg)N ince film yüzeyinde magnezyum katkılı hidroksiapatit büyütülmesi ve sert doku implant malzemesi olarak potansiyellerinin belirlenmesi
SAKİP ÖNDER
Doktora
İngilizce
2013
Biyomühendislikİstanbul Teknik ÜniversitesiMoleküler Biyoloji ve Genetik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FATMA NEŞE KÖK
DOÇ. DR. KÜRŞAT KAZMANLI
- The growth of the design disciplines in the United States, 1984-2010
Başlık çevirisi yok
ALİ OĞULCAN İLHAN
- The growth of epitaxial graphene for two-dimensional electronics
İki boyutlu elektronik aygıtlar için epitaksiyel grafen büyütülmesi
ALNAZIR IBRAHIM
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
Assist. Prof. Dr. CEM ÇELEBİ
- The effects of credits on economic growth
Kredilerin ekonomik büyümeye etkileri
NURULLAH GÜLEÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
EkonometriAnkara Yıldırım Beyazıt Üniversitesiİktisat Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ABDULKADİR DEVELİ