Geri Dön

The Admittance analysis of the PECVD deposites silicon nitride thin films

PECVD tekniği kullanılarak büyütülmüş silisyum nitrür ince filmlerin admittans analizleri

  1. Tez No: 75977
  2. Yazar: SELMA MUŞABAK
  3. Danışmanlar: Belirtilmemiş.
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: MİS, Arayüz Düzeyleri, İletkenlik, Tünelleme Modeli. iv, Buhar biriktirme, Elektriksel özellikler, Silisyum nitrür, Tünelleme, İnce filmler, MIS, Interface Trap, Conductance, Tunneling Model. HI, Vapour deposition, Electrical properties, Silicon nitride, Tunelling, Conductivity, Thin films
  7. Yıl: 1998
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

oz PECVD TEKNİĞİ KULLANILARAK BÜYÜTÜLMÜŞ SİLİSYUM NİTRÜR İNCE FİLMLERİN ADMİTTANS ANALİZLERİ MUŞABAK,Selma Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Bayram KATIRCIOĞLU Ocak 1998, 110 sayfa Plazmayla hızlandırılmış kimyasal buhar depolama (PECVD) tekniği ile hazırlanmış silisyum nitrür ince filmlerin elektriksel özellikleri belirlenmiştir, a- SiNx:H/Si arayüzündeki yerel düzeylerin, silisyum yasak enerji aralığı içindeki yoğunluk, ve etkin kesit dağılımları iletkenlik tekniğinin üç farklı yaklaşımı kullanılarak belirlenmiştir. (Nicollian yaklaşımı, Brews yaklaşımı ve Yadava tarafından yapılan analitiksel yaklaşım) ve bu farklı yaklaşımlardan elde edilen sonuçlar arasmda karşılaştırmalar yapılarak tutarlılıkları saptanmıştır. Metal Silisyum-Nitrür Silisyum (MİS) yapının yığılma kapasitansının frekansa bağımlılığı gözlenmiştir ve bu olayı açıklayan, arayüz düzeylerinin tünelleme modeli analiz edilmiştir. Başka bir deyişle, MİS yapılar için, yığılma evresine ait geçit voltaj aralığında elde edilmiş olan, arayüz düzeylerinin frekansa bağımlı admittansı gözden geçirilmiş ve sonucunda Mui ve çalışma arkadaşları tarafından çıkarılmış olan ilgili ifadelerde bulunmayan bir çarpım katsayısı gözlenmiştir.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT THE ADMITTANCE ANALYSIS OF THE PECVD DEPOSITED SDLICON NITRIDE THIN FILMS MUŞABAK,Selma M.S., Department of Physics SupervisonProf. Dr. Bayram KATIRCIO?LU January 1998, 110 pages Hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiNx:H) thin films, prepared by PECVD technique was electrically characterized. a-SiNx:H/Si interface trap parameters like the interface trap density and capture cross section distributions in the silicon bandgap were determined by using three different approaches of conductance method based on statistical model (Nicollian-Goetzberger approach, Brews' approach and analytical approach due to Yadava) and the consistency has been investigated. The frequency dispersion of the accumulation capacitance of MIS structure was observed and tunneling model of interface traps which explains this phe nomenon was analyzed. In other words, the frequency dependent trap admittance derived for MIS structure at gate voltage range corresponding to accumulation regime was revised and outlined in order to carry out that an influent multiplying factor (tunneling distance xt over insulator thickness 2x7 ) is missed out in the relevant expressions adapted by Mui and coworkers.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    297047

    Amorf silisyum katkılı schottky diyotların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigation optical and electrical properties of amorphous silicon doped schottky diodes

    GİZEM ÇELİKOK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KUBİLAY KUTLU

  2. Tez No

    75878

    Object oriented graphical editor based power system analysis package implementation

    Güç sistemleri analizleri için nesneye yönelik modelleme ile grafiksel editor tabanlı uygulama geliştirilmesi

    OĞUZ ONAY

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1998

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NEZİH GÜVEN

  3. Tez No

    115675

    Uludağ Üniversitesi Meme Cerrahisi Polikliniği'ne başvuran hastaların başvurma nedenleri ve kendi kendine meme muayenesi yapma durumlarının incelenmesi

    Analysis of the reasons of patients breast,self examinations and their admittance to breast surgery clinics in Uludağ University

    GANİME FIRAT (ARABACI)

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    HemşirelikMarmara Üniversitesi

    Cerrahi Hastalıklar Hemşireliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. FATMA ETİ ASLAN

  4. Tez No

    426689

    Acil servise başvuran zehirlenme olgularının değerlendirilmesi

    An analysis of intoxicated patients admitted to the emergency department

    YÜCEL CANSU ÜNALDI

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    İlk ve Acil YardımÇukurova Üniversitesi

    Acil Tıp Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AHMET SEBE

  5. Tez No

    452232

    Çocuk yoğun bakım ünitemizde izlenen hastalarda mortaliteyi etkileyen faktörlerin incelenmesi

    Analysis of the factors affecting mortality in patients followed in our pediatric intensive care unit

    MERVE MISIRLIOĞLU

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Çocuk Sağlığı ve HastalıklarıAbant İzzet Baysal Üniversitesi

    Çocuk Sağlığı ve Hastalıkları Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NİMET KABAKUŞ

    YRD. DOÇ. DR. MERVAN BEKDAŞ

Geri Dön