Geri Dön

The Admittance analysis of the PECVD deposites silicon nitride thin films

PECVD tekniği kullanılarak büyütülmüş silisyum nitrür ince filmlerin admittans analizleri

  1. Tez No: 75977
  2. Yazar: SELMA MUŞABAK
  3. Danışmanlar: Belirtilmemiş.
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: MİS, Arayüz Düzeyleri, İletkenlik, Tünelleme Modeli. iv, MIS, Interface Trap, Conductance, Tunneling Model. HI
  7. Yıl: 1998
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 118

Özet

oz PECVD TEKNİĞİ KULLANILARAK BÜYÜTÜLMÜŞ SİLİSYUM NİTRÜR İNCE FİLMLERİN ADMİTTANS ANALİZLERİ MUŞABAK,Selma Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Bayram KATIRCIOĞLU Ocak 1998, 110 sayfa Plazmayla hızlandırılmış kimyasal buhar depolama (PECVD) tekniği ile hazırlanmış silisyum nitrür ince filmlerin elektriksel özellikleri belirlenmiştir, a- SiNx:H/Si arayüzündeki yerel düzeylerin, silisyum yasak enerji aralığı içindeki yoğunluk, ve etkin kesit dağılımları iletkenlik tekniğinin üç farklı yaklaşımı kullanılarak belirlenmiştir. (Nicollian yaklaşımı, Brews yaklaşımı ve Yadava tarafından yapılan analitiksel yaklaşım) ve bu farklı yaklaşımlardan elde edilen sonuçlar arasmda karşılaştırmalar yapılarak tutarlılıkları saptanmıştır. Metal Silisyum-Nitrür Silisyum (MİS) yapının yığılma kapasitansının frekansa bağımlılığı gözlenmiştir ve bu olayı açıklayan, arayüz düzeylerinin tünelleme modeli analiz edilmiştir. Başka bir deyişle, MİS yapılar için, yığılma evresine ait geçit voltaj aralığında elde edilmiş olan, arayüz düzeylerinin frekansa bağımlı admittansı gözden geçirilmiş ve sonucunda Mui ve çalışma arkadaşları tarafından çıkarılmış olan ilgili ifadelerde bulunmayan bir çarpım katsayısı gözlenmiştir.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT THE ADMITTANCE ANALYSIS OF THE PECVD DEPOSITED SDLICON NITRIDE THIN FILMS MUŞABAK,Selma M.S., Department of Physics SupervisonProf. Dr. Bayram KATIRCIO?LU January 1998, 110 pages Hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiNx:H) thin films, prepared by PECVD technique was electrically characterized. a-SiNx:H/Si interface trap parameters like the interface trap density and capture cross section distributions in the silicon bandgap were determined by using three different approaches of conductance method based on statistical model (Nicollian-Goetzberger approach, Brews' approach and analytical approach due to Yadava) and the consistency has been investigated. The frequency dispersion of the accumulation capacitance of MIS structure was observed and tunneling model of interface traps which explains this phe nomenon was analyzed. In other words, the frequency dependent trap admittance derived for MIS structure at gate voltage range corresponding to accumulation regime was revised and outlined in order to carry out that an influent multiplying factor (tunneling distance xt over insulator thickness 2x7 ) is missed out in the relevant expressions adapted by Mui and coworkers.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    75878

    Object oriented graphical editor based power system analysis package implementation

    Güç sistemleri analizleri için nesneye yönelik modelleme ile grafiksel editor tabanlı uygulama geliştirilmesi

    OĞUZ ONAY

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1998

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NEZİH GÜVEN

  2. Tez No

    2161

    Çift diyodlu simetrik olmayan bir gunn osilatörünün çalışma karakteristiklerinin teorik ve deneysel incelenmesi

    Theoretical and experimental analysis of an asymmetrically loaded two-diode gunn oscillator

    CEVDET IŞIK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1985

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. BİNGÜL YAZGAN

  3. Tez No

    115675

    Uludağ Üniversitesi Meme Cerrahisi Polikliniği'ne başvuran hastaların başvurma nedenleri ve kendi kendine meme muayenesi yapma durumlarının incelenmesi

    Analysis of the reasons of patients breast,self examinations and their admittance to breast surgery clinics in Uludağ University

    GANİME FIRAT (ARABACI)

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    HemşirelikMarmara Üniversitesi

    Cerrahi Hastalıkları Hemşireliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. FATMA ETİ ASLAN

  4. Tez No

    881799

    Toraks travması nedeniyleacil servise başvuran hastalarınbaşvuru süreleri ve travma şekli ile morbidite ve mortalite arasındaki ilişki

    The relationship between the application time and type of trauma and morbidity and mortality of patients applied to the emergency servicedue to thoracic trauma

    AHMET ACIPAYAM

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Göğüs CerrahisiRecep Tayyip Erdoğan Üniversitesi

    Göğüs Cerrahisi Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HASAN TÜRÜT

  5. Tez No

    29621

    Analysis of flange-mounted finite rectangular waveguide arrays

    Toprak yüzeye açılan sonlu sayıda dikdörtgen dalga kılavuzu dizisi analizi

    HÜSEYİN YAVUZ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1993

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. O. MERİH BÜYÜKDURA

Geri Dön