Investigation on ionicity and its effect on charge carrier selectivity for N-type crystalline silicon solar cells
N-tipi kristal silikon güneş hücreleri için iyoniklik ve yük taşıyıcı seçimi üzerine etkisinin incelenmesi
- Tez No: 764818
- Danışmanlar: PROF. DR. RAŞİT TURAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Optoelektronik, Schottky engelleri, Tünelleme, Optoelectronic, Schottky barriers, Tunelling
- Yıl: 2022
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Optoelektronik cihaz performansı, iki malzeme arasındaki bant hizalaması tarafından yönetilir. Metal bir kapak ile birlikte arayüzey katmanları, yük taşıyıcı seçiciliğini ve dolayısıyla yarı iletken cihaz performansını belirler. Hem deneysel hem de teorik olarak çok çeşitli katı hal yüzeyleri ve heteroeklemler üzerinde yapılan araştırmalar göz önüne alındığında, bant aralığı enerjisi ve bant genişliği ile ölçülebilen elektron yerelleştirilebilirliğinin, kurallara uyma derecesinde ayrılmaz bir rol oynadığı bulunmuştur. Schottky-Mott kuralı ve dolayısıyla arayüzlerin optoelektronik özellikleri. Alüminyum ve n-tipi silikon arasında ultra ince ara yüzey katmanları olarak yeni iyonik kristalleri (NaF ve NaCl) önererek ve kullanarak, Fermi düzeyinde sabitlemeyi ve silikon yüzeyini yoğun bir şekilde dopinge benzer bir etkiye sahip temasları gösterdik. Optimalin altında pasifleştirme ile NaF için %17,3 verimlilik elde etmeyi başardık. Düzlemsel arayüzler için, sınırlar arasında elektron taşınmasını arttırmak için temaslar için bir strateji önerilmiştir.
Özet (Çeviri)
Optoelectronic device performance is not exactly governed by the band alignment between two materials. Interfacial layers in combination with a metal cap dictate charge-carrier selectivity and hence semiconductor device performance. Considering the investigations done on a wide array of solid-state surfaces and heterojunctions done both experimentally and theoretically, it is found that the electron localizability, which is quantifiable through the bandgap energy and band width, plays an integral role in the degree of obeying the Schottky-Mott rule and hence the optoelectronic properties of interfaces. By proposing and utilizing novel ionic crystals (NaF and NaCl) as ultrathin interfacial layers between Aluminum and n-type silicon, we demonstrate Fermi-level unpinning and show contacts having an effect similar to that of heavily doping the surface of silicon. We managed to achieve 17.3% efficiency for NaF with suboptimal passivation. For planar interfaces, a strategy for contacts is proposed for enhancing electron transport across boundaries.
Benzer Tezler
- Yün yıkama atıksularının asitle emülsiyon kırma metoduyla arıtılması üzerine bir araştırma
An Investigation on the treatment of woolscouring wastewaters by acid cracking method
İSMAİL TORÖZ
- Ortorombik lityum bor kabürlerin ilk-prensiplerle incelenmesi
First-principles investigation of otrhorhombic lithium boron carbides
KÜBRA KUTAY
- Gördes ve karaçam lateritik nikel cevherlerinin YBAL sonrası CCD prosesinde çökme davranımının incelenmesi
Investigation of settling behaviour of gördes and karaçam lateritic nickel ores at CCD process after hpal
ÖYKÜ KESKİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Maden Mühendisliği ve MadencilikHacettepe ÜniversitesiMaden Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NURULLAH METİN CAN
- Investigation on the marine turtle populations distributed in Fethiye beach
Başlık çevirisi yok
OĞUZ TÜRKOZAN
Yüksek Lisans
İngilizce
1994
BiyolojiDokuz Eylül ÜniversitesiBiyoloji Eğitimi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İBRAHİM BARAN
- Investigation on the population of Lacerta danfordi (Reptilia: Lacertidae) distributed in Fethiye
Başlık çevirisi yok
MERAL MALSEVEN