Geri Dön

Si-ZnO tabanlı hetero-eklem fotodiyot üretimi ve karakterizasyonu

Si-ZnO based heterojunction photodiode fabrication andcharacterization

  1. Tez No: 770548
  2. Yazar: MOHAMMED JABER AHMED ALI ALRAWBAH
  3. Danışmanlar: PROF. DR. EYÜP FAHRİ KESKENLER
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Enerji, Energy
  6. Anahtar Kelimeler: n-Zno, Sol-Jel, Döndürme Kaplama, Fotodiyot, P-N Eklem, Yarı İletken, n-Zno, Sol-Gel, Spin Coating, Photodiode, P-N Junction, Semiconductor
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi
  10. Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 63

Özet

Fotodiyot teknolojisi, elektronik endüstrisinde birçok uygulamaya sahiptir. Fotodiyotlar, CD / DVD sürücülerden optik haberleşmeye ve hırsız alarmlarından genel ışık algılamaya kadar birçok uygulamada ışık algılamalı fotoğraf dedektörleri olarak kullanılır. Bu çalışmada Si altlık üzerinde Sol-jel döndürerek kaplama yöntemiyle kaplamadan önce ZnO ince filmi üretildi, kullanılan başlangıç malzemesi olarak Çinko asetat dihidrat, bir çözücü olarak ve stabilizatör olarak işlev görmesi için methaoxyethanol ve monoetanolamin sırasıyla ilave edildi. Bu çalışmada, sol-jel yöntemi ile p-Si substrat üzerine ZnO ince film kaplanarak Si-ZnO heteroeklem tabanlı fotodiyot üretimi ve karakterizasyonu gerçekleştirilmiştir. Özellikle karanlıkta ve ışık altında yapılan ölçümlerin grafikleri incelenerek elektriksel parametreleri hesaplanmış, idealite faktörü, seri direnç, ters doyma akım değeri ve bariyer yüksekliği sırasıyla 6.6, 8.09 Ω, 1.6×10-6 A, 0.084 eV bulunmuştur.

Özet (Çeviri)

Photodiode technology has many applications in the electronics industry. Photodiodes are used as light sensing photo detectors in many applications, from CD/DVD drives to optical communications and from burglar alarms to general light detection. In this study, ZnO thin film was produced before coating by Sol-gel spin coating method on Si substrate, Zinc acetate dihydrate used as starting material, methaoxyethanol and monoethanolamine were added respectively to act as a solvent and stabilizer. In this study Si-ZnO heterojunction based photodiode production and characterization were performed by coating ZnO thin film on p-Si substrate by sol-gel method. Especially the electrical properties were calculated by analyzing the graphs of the measurements taken in the dark and under the light, the ideality factor, series resistance, reverse saturation current value and barrier height were respectively. 6.6, 8.09 Ω, 1.6 ×10-6 A, 0.084 eV.

Benzer Tezler

  1. N, n′-dioktil-3,4,9,10-perilendikarboksiimid organik yarı iletken katkılı n-zno/p-si heteroeklem fotodiyotun ışığaduyarlılık performansının araştırılması

    Investigation photosensitivity performance of n,n′-dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide organicsemiconductor doped n-zno/p-si heterojunction photodiode

    EMRECAN EMEKSİZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    BiyoteknolojiSelçuk Üniversitesi

    Biyoteknoloji Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MURAT YILDIRIM

  2. Zn tabanlı heteroeklemlerin kapasitans-voltaj karakterizasyonu

    Capacitance-voltage characterization of Zn based heterojunctions

    AYDIN YILDIRIMLAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMehmet Akif Ersoy Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. TAYYAR GÜNGÖR

  3. Geniş bant aralıklı ZnO'nun, elektrokimyasal olarak büyütülmesi, karakterizasyonu ve mümkün elektronik uygulamalarının araştırılması

    Electrochemical growth and characterization of wide bandgap and investigation of its possible electronic applications

    HATİCE ASIL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CEVDET COŞKUN

  4. Elektrokimyasal büyütme tekniği ile elde edilen ZnO tabanlı homoeklemlerin elektrolüminesansının incelenmesi

    Investigation of electroluminescence of ZnO based p-n homojunctions obtained by electrochemical deposition technique

    ALİ BALTAKESMEZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN

  5. ZnO tabanlı seyreltik manyetik yarıiletkenlerin üretimi ve bazı yapısal, optik ve manyetik özelliklerinin incelenmesi

    The production and investigation of some structural, optical and magnetic properties of ZnO-based diluted magnetic semiconductors

    SALİH YILMAZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKaradeniz Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. EMİN BACAKSIZ