Trasparan oksit yarıiletken ince filmlerin yapımı ve karakterizasyonu
Deposition and charactarization of transparent oxide semiconducting thin films
- Tez No: 776378
- Danışmanlar: DOÇ. DR. İLBEYİ AVCI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2022
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ege Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 57
Özet
Bu tez çalışmasında, magnetron püskürtme tekniği ile transparan yarıiletken amorf IGZO ince filmler oda sıcaklığı koşullarında üretilmiş ve elektriksel olarak karakterize edilmiştir. İnce filmler 30 W ile 70 W arasında değişen rf (radyo frekansı) güç uygulanarak farklı Argon basınçları altında (2.5, 5 ve 7.5) mTorr yapılmıştır. Bu filmlerin Van der Pauw ve Hall etkisi ölçümleriyle elektriksel karakterizasyonu gerçekleştirilmiştir. Mobilite (µ) ve yük taşıyıcı konsantrasyonu (n_s) değerlerinin rf güçle doğru orantılı olarak arttığı, ancak levha direncinin (R_s) rf güçle ters orantılı olarak değiştiği gözlenmiştir. Öte yandan, Argon basıncı arttıkça R_s artmakta, ancak µ ve n azalmaktadır. Bulduğumuz maksimum mobilite değeri 19.7 cm^2 V^(-1) s^(-1) olup, bu değer uygulanan maksimum rf güç (70 W) ve minimum Ar basıncında (2.5 mTorr) elde edilmiştir. IGZO ince filmlerin yukarıda verilen üretim parametrelerine bağlı olarak optik özellikleri de araştırılmış ve görünür bölgedeki geçirgenlikleri incelenmiştir. Tüm IGZO ince filmlerinin transmitans ölçümleri 200 nm – 1100 nm aralığında ölçülmüş ve bu değerler içerisinden görünür bölgedeki geçirgenlik referans olarak alınmıştır. Yapılan örnekler arasında maksimum transmitans değeri görünür bölgede ortalama olarak %91 olup, bu değer 70 W rf güç ve 2.5 mTorr Ar basıncında yapılan örnekten elde edilmiştir.
Özet (Çeviri)
In this thesis, transparent semiconductor amorphous IGZO thin films were deposited under room temperature conditions and electrically characterized. IGZO thin films were deposited under different Argon pressures (2.5, 5 and 7.5) mTorr by applying different rf (radio frequency) powers in the range 30 W to 70 W. Electrical characterization of these films was carried out using Van der Pauw technique and Hall effect measurement. It was found that the mobility (μ) and the surface charge carrier concentration (n_s) increased in direct proportion to the rf power, while the sheet resistance (R_s) changed inversely with the rf power. On the other hand, as Ar pressure increased, μ and n_s decreased while R_s increased. The maximum value of the mobility (μ= 19.7 cm^2 V^(-1) s^(-1)) was obtained at the maximum applied rf power (70 W) and the minimum applied Ar pressure (2.5 mTorr). The optical properties of IGZO thin films were also investigated with respect to the deposition conditions mentioned above. The transmittance measurements of thin films were measured in the wavelength range of 200 nm – 1100 nm, and the visible region was used as a reference for the transparency. The maximum average transmittance was 91% in this region which was obtained from the sample prepared at rf power of 70 W and Ar pressure of 2.5 mTorr.
Benzer Tezler
- Synthesis of nanocomposites thin films and characterization of mechanical properties
Nanokompozi̇t i̇nce fi̇lmleri̇n sentezi̇ ve mekani̇k özelli̇kleri̇ni̇n karakteri̇zasyonu
İSMAİL HAKKI CENGİZHAN KARBAY
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ESRA ÖZKAN ZAYİM
- Transparan ince film transistörlerde kullanılan kanal yarıiletkeninin özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the properties of channel semiconductor used in the transparent thin film transistors
ÖZKUR KURAN
Doktora
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiEge ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İLBEYİ AVCI
- Preparation of transparent and conductive thin films of single walled carbon nanotubes
Transparan ve iletken tek duvarlı karbon nanotüp ince filmlerin hazırlanması
İPEK ÇAKMAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN YAVUZ
- Hydrothermally grown zinc oxide nanowires and their utilization in light emitting diodes and photodetectors
Çinko oksit nanotellerin hidrotermal yöntemle üretilmesi ve ışık yayan diyotlarda ve fotodedektörlerde kullanılması
ELİF SELEN ATEŞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. HÜSNÜ EMRAH ÜNALAN
- Hydrothermal method for doping of zinc oxide nanowires and fabrication of ultraviolet photodetectors
Çinko oksit nanotellerin hidrotermal yöntemle aşılanması ve ultravİyole fotodedektör üretimi
AYŞEGÜL AFAL
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAŞİT TURAN
YRD. DOÇ. DR. HÜSNÜ EMRAH ÜNALAN