Işık yardımlı elektrodepozisyon yöntemiyle GaN/p-Si diyotların üretilmesi ve anahtarlama sürelerinin ölçümü
Fabrication of GaN/p-Si diodes by light-assisted electrodeposition and measurement of switching times
- Tez No: 782034
- Danışmanlar: PROF. DR. ABDULKADİR SERTAP KAVASOĞLU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Kimya, Electrical and Electronics Engineering, Physics and Physics Engineering, Chemistry
- Anahtar Kelimeler: Elektrodepozisyon, anahtarlama süresi, diyot, GaN, elektriksel karakterizasyon, ışık yardımlı elektrodepozisyon, Electrodeposition, switching time, diode, GaN, electrical characterization, light-assisted electrodeposition
- Yıl: 2022
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Muğla Sıtkı Koçman Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 97
Özet
Bu tez çalışmasında, ışık yardımlı ve karanlık ortamda gerçekleştirilen elektrodepozisyon yöntemi ile p-Si (100) alttaşlar üzerine GaN kaplama gerçekleştirilerek GaN/p-Si diyot yapısı üretilmiştir. Galyum Nitrat, Amonyum Nitrat ve deiyonize su karışımı kullanılarak elektrolit çözeltisi hazırlanmıştır. Tüm elektrodepozisyon işlemlerinde anot olarak Platin levha, katot olarak ise p-Si kullanılmıştır, elektrodepozisyon süresi 6 saattir ve akım 5 mA'de sabit tutulmuştur. Dış ortam parametrelerinin elektrodepozisyon işlemi boyunca değişimini incelemek amacıyla zamana bağlı olarak elektrotlara sürülen akım, dış ortam sıcaklığı, elektrolit sıcaklığı, nem ve pH gibi parametreleri ölçerek bilgisayara kaydedebilen bir sistem kurulmuştur. Işık yardımlı elektrodepozisyon yöntemiyle üretilen GaN/p-Si diyot yapısı için XRD ve SEM analizleri yapıldığında p-Si üzerine kaplanan malzemenin küresel taneciklerden oluşan (002) yönelimli GaN olduğu bulunmuştur. 293-373 K aralığında 10 K'lik adımlarla sıcaklığa bağımlı olarak gerçekleştirilen Akım-Gerilim (I-V) ölçümlerinde yapının diyot karakteristiğine sahip olduğu görülmüştür ve bu ölçümler kullanılarak iki boyutlu arayüzey durum yoğunluğu dağılımı analizi yapılmıştır. Son olarak sıcaklığa bağımlı olarak anahtarlama süresi ölçümü yapılarak analiz edilmiştir ve GaN/p-Si diyot yapısının oda sıcaklığındaki anahtarlama süresi 400 ns olarak ölçülmüştür.
Özet (Çeviri)
In this thesis, a GaN/p-Si diode structure was fabricated by coating GaN on p-Si (100) substrates using light-assisted electrodeposition and dark environment electrodeposition. The electrolyte solution was prepared using a mixture of Gallium Nitrate, Ammonium Nitrate and deionized water. In all electrodeposition processes, Platinum plate was used as anode and p-Si was used as cathode, the electrodeposition time was 6 hours and the current was kept constant at 5 mA. In order to investigate the variation of ambient parameters during the electrodeposition process, a system was installed to measure and record time dependent parameters such as current applied to the electrodes, ambient temperature, electrolyte temperature, humidity and pH. XRD and SEM analysis of the GaN/p-Si diode structure produced by light-assisted electrodeposition method revealed that the material coated on p-Si is GaN with (002) orientation consisting of spherical particles. Current-Voltage (I-V) measurements carried out in the range of 293-373 K in 10 K steps in a temperature-dependent manner showed that the structure has diode characteristics and two-dimensional interfacial state density distribution analysis was performed using these measurements. Finally, the temperature-dependent switching time was measured and analyzed, and the switching time of the GaN/p-Si diode structure at room temperature was measured as 400 ns.
Benzer Tezler
- Plazma yardımlı kimyasal buhar depolama yöntemiyle üretilen hidrojenli amorf silisyum ince filmlerde karbon ve bor atomlarının elektriksel ve optik özelliklere etkileri
Başlık çevirisi yok
IŞIK KARABAY (OFLAZER)
Doktora
Türkçe
1993
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEVKET ERK
- Ürolojik robotik cerrahide dik trendelenburg pozisyonu ve pnömoperitonyumun perfüzyon indeksi ve pleth değişkenlik indeksi üzerine etkileri
Başlık çevirisi yok
DİDEM ÖZEN
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
2023
Anestezi ve ReanimasyonEge ÜniversitesiAnesteziyoloji ve Reanimasyon Ana Bilim Dalı
PROF. DR. IŞIK ALPER
- İnsan granüloza hücrelerinde apopitozun değerlendirilmesi
Evaluation of apoptosis in human granulosa cells
MÜGE KOVALI
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Histoloji ve EmbriyolojiDokuz Eylül ÜniversitesiHistoloji ve Embriyoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÜLKER SÖNMEZ
- Görünür ışık haberleşmesinde çok yollu kanal için iç mekan konumlandırması
Indoor positioning for multipath channel in visible light communications
ABDULLAH ÇAVDAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKaradeniz Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. KADİR TÜRK
- Silicon nanowires for network photodetectors and plasmonic applications
Silisyum nanotellerin ağ yapılı ışık detektörınde kullanılması ve plazmonik uygulamaları
EMRE MÜLAZIMOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HÜSNÜ EMRAH ÜNALAN
PROF. DR. RAŞİT TURAN