Düşük boyutlu AlxGa1,xAs/GaAs sistemlerin elektronik özellikleri
Electronic perties of low mansion AlxGaı-xAs/GaAs systems
- Tez No: 78917
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET TOMAK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1998
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Trakya Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 85
Özet
ÖZET Güncel teknolojik uygulamalarda önemli bir yer tutan kuantum kuyularının fiziksel özellikleri incelenmiştir. Temel olarak GaAs/AlxGaı-xAs kuantum kuyuları alınmıştır. Bu tür kuyuların kristal yapışma eklenen sığ donor ve akseptör olarak isimlendirilen yabancı atomların, elektrik veya manyetik alan uygulanmasıyla ve yabancı atom konumunun değiştirilmesi ile meydana gelen fiziksel değişimler incelenmiştir. Ayrıca yabancı atomun elektronlarla etkileşmesi sabit ve uzaysal bağımlı olmak üzere iki farklı perdeleme altında irdelenmiştir. Bu çalışmalar tek ve birden fazla kuantum kuyusunun bir araya gelmesi ile oluşan yapılarla, simetrik ve asimetrik kuantum kuyularına çeşitlendirilmiştir. Dördüncü mertebeden Runge-Kutta ve Hasse varyasyonel hesaplama yöntemleri kullanılan nümerik yöntemlerdir. Hesaplamalar sonucunda yabancı atom bağlanma enerjisinin kuyu ve engel genişliğine, uygulanan elektrik ve manyetik alana bağlılıkları teorik olarak gösterilmiştir. Sonuçlar limit durumlarda benzeri çalışmalarla uyum içerisindedir. Uzaya bağımlı dielektrik fonksiyonun bir dielektrik sabit kullanımına kıyasla akseptör bağlanma enerjisini arttırırken donor ve eksitonlar üzerinde etkin olmadığı görülmüştür. Akseptör geçiş enerjilerinde dielektrik fonksiyonun sabit olarak alınmasının deneyle daha iyi uyum sağladığı bulunmuştur.
Özet (Çeviri)
SUMMARY The physical properties of quantum wells, which has a big importance in technological applications, are investigated. The quantum wells studied are GaAs/AlxGai-xAs type wells. We investigate how their physical properties affected when an impurity atom, namely a shallow donor or an acceptor, placed in the well. The dependence of the impurity binding energy on the well and barrier thickness, and the effects of an applied electric and magnetic field are studied, theoretically. The Coulomb interaction between the impurity and an electron is found by using two different kinds of screening, a spatially dependent function and a constant. Then the work is expanded to the multiple and asymmetric quantum wells. The fourth-order Runge Kutta and Hasse variational methods are employed in the calculations. The results are in agreement at the limit cases with the works previously carried out on the subject. It is seen that the use of a spatially dependent screening in comparison with the use of a constant increases the binding energy of acceptors but the effect on shallow donors and excitons is quite small. The use of a constant screening instead of spatially dependent screening is shown to yield better agreement with experimental results.
Benzer Tezler
- Düşük boyutlu yarıiletken sistemlerde elektronik transport olaylarının incelenmesi
An investigation of electronic transport processes in low dimensional semiconductor systems
FERHAT NUTKU
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. M. ÇETİN ARIKAN
- Düşük boyutlu sistemlerin elektronik özellik-leri: dış manyetik alan etkisinde Ga1-xAlxAs/GaAs silindirik kuantum telinde hidrojenik safsızlık-lar ve eksitonların bağlanma enerjileri
Electronic properties of low dimensional systems: the hydrogenic impurities and excitonic binding energies in cylindrical Ga1-xAlxAs/GaAs quantum wires under an externally applied magnetic field
PINAR BAŞER
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. SEZAİ ELAGÖZ
PROF.DR. UĞUR YAHŞİ
- Düşük boyutlu yapılarda yabancı atom problemi ve eksitonları
The impurity problem in low dimensional structures and excitons
FİGEN KARACA BOZ
Doktora
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. ŞABAN AKTAŞ
- Kuantum kuyu ve küresel kuantum noktasında uyarılmış durum bağlanma enerjilerinin dönüm noktaları
Excited state binding energy turning points in quantum well and spherical quantum dot
PINAR BULUT
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İLHAN ERDOĞAN
PROF. DR. HASAN AKBAŞ
- Kuantum noktalarının sonlu farklar yöntemi ile çözümü
Finite difference method aplication for quantum dots
YAŞAM SAFTEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. ŞABAN AKTAŞ