Internal photoemission spectroscopy for PtSi/si and Pt/SiGe schottky type infrared detectors
PtSi/Si ve Pt/SiGe schottky tipi kızılötesi algılayıcılar için dahili fotoemisyon spektroskopisi
- Tez No: 82498
- Danışmanlar: DOÇ. DR. RAŞİT TURAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: PtSi, metal-SiGe eklemleri, dahili fotoemisyon, kızılötesi algılayıcılar, Schottky eklemi. IV, PtSi, metal-SiGe junctions, internal photoemission, infrared detectors, Schottky junction. in
- Yıl: 1999
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 106
Özet
oz PtSi/Si VE Pt/SiGe SCHOTTKY TİPİ KIZILÖTESİ ALGILAYICILAR İÇİN DAHİLİ FOTOEMİSYON SPEKTROSKOPİSİ Aslan, Bülent Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Töneticisi: Doç. Dr. Raşit Turan Eylül 1999, 106 sayfa 3-5 um atmosfer penceresinde kızılötesi algılayıcı olarak kullanılan yada önerilen PtSi/Si ve Pt/SiGe eklemlerinin dahili fotoemisyon mekanizmaları çalışıldı. Taşıyıcıların silisit filmin yüzeylerinden çoklu yansımasını ve fononlarla ve kusurlarla çarpışmasını içeren dahili fotoemisyon yöntemi, gözlemlerin bilgisayarda modellenmesiyle ayrıntılı olarak ele alındı. Dahili fotoemisyon tayflarından, eklemlerin engel yükseklikleri bulundu. Sıcaklık değişimi. ışık yoğunluğu değişimi, önden ve arkadan aydınlatma gibi çeşitli deneysel koşulların dahili fotoemisyon üzerindeki etkisini anlamak için deneyler düzenlendi. Dahili fotoemisyon vasıtasıyla Siı_xGex katmainındaki gerilmenin, ve dolayısıyla gevşemenin ^ etkileri.«araşünldı. Eklemlerin akım-gerilim (I-V) özellikleri de ölçüldü ve dâhili fotoemisyon spektroskopisi ölçümleriyle karşılaştırıldı, r. r?1*.-? % ^ v w
Özet (Çeviri)
ABSTRACT INTERNAL PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY FOR PtSi/Si AND Pt/SiGe SCHOTTKY TYPE INFRARED DETECTORS Aslan, Bülent M.S., Department of Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Raşit Turan September 1999, 106 pages Internal photoemission mechanism of PtSi/Si and Pt/SiGe junctions used or proposed as infrared detectors in 3-5 um atmospheric window has been studied. The internal photoemission process including multiple reflection of carriers from the surfaces of the silicide film and the collisions with phonons and imperfections has been discussed in details by computer modelling of the observations. Barrier heights of the junctions have been found from their internal photoemission spectrums. Series of experiments have been arranged to understand the effects of various experimental conditions such as temperature variation, light intensity variation, back and front illuminations on the internal photoemission. The effects of the strain and consequently the relaxation in the Sii.xGex layers have been investigated by means of the internal photoemission. The current- voltage (I-V) characteristics of the junctions have also been measured and compared with the internal photoemission spectroscopy measurements.
Benzer Tezler
- Internal photoemission and electrical transport in a silicide/silicon junction
Bir silisid/silisyum eklemde dahili fotoemisyon ve elektrik transport
ÖNDER S. ANILTÜRK
Yüksek Lisans
İngilizce
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. RAŞİT TURAN
- YbB2 ve Lix BC(x<1) tabakalı bor-karbon bileşikleri: Alışılmamış yapısal ve fiziksel özellikler
YbB2 AND Lix BC(x<1) layered boron-carbon compounds: Novel structural and physical properties
BORA KALKAN
Doktora
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENGİN ÖZDAŞ
- Long wavelength GaAs based hot electron photoemission detectors
GaAs temelli uzun dalgaboylarında çalışan sıcak elektron fotoemisyon detektörü
İBRAHİM KİMUKİN
Yüksek Lisans
İngilizce
1999
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EKMEL ÖZBAY
- Physics and technology of the infrared detection systems based on heterojunctions
Çoklu eklem tabanlı kızılötesi algılama sistemlerinin fiziği ve teknolojisi
BÜLENT ASLAN
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAŞİT TURAN
- Ultra-low-cost broad-band near-infrared silicon photodetectors based on hot electrons
Sıcak elektron temelli düşük maliyetli geniş bant yakın kızılötesi silisyum fotodedektörler
MOHAMMAD AMİN NAZİRZADEH
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY