Internal photoemission and electrical transport in a silicide/silicon junction
Bir silisid/silisyum eklemde dahili fotoemisyon ve elektrik transport
- Tez No: 68754
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. RAŞİT TURAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Silisitler, akım transportu, dahili fotoemisyon, Schottky engeli, kızılötesi dedektörler, bilgisayar arayüzü. iv
- Yıl: 1997
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 148
Özet
ÖZ BİRSİLİSİD/SİLİSYUM EKLEMDE DAHİLİ FOTOEMİSYON VE ELEKTRİK TRANSPORT Anıltürk, Önder S. Tez Yöneticisi: Doç. Dr. RAŞİT TURAN Haziran 1997, 130 sayfa Geniş sıcaklık ve uygulanan voltaj aralığında, n-tipi ve p-tipi CrSİ2/Si Schottky eklemlerinde dahili fotoemisyon ve elektrik transport araştırıldı. Isısal emisyon, tünelleme, rekombinasyon ve sızıntı gibi akım mekanizmalarını gerektiren elektrik transport, çoğunlukla kullanılan deneysel tekniklerin yanında, gözlemlerin bilgisayarda modellenmesiyle, detaylı bir şekilde çalışıldı. Diodların optiksel analizi için, dahili fotoemisyon spektroskopisi kullanıldı. Arayüzün elektronik yapısının daha derin kavranması için, optik ve elektrik ölçümlerin karşılaştırılması böylece mümkün olmuştur. Ölçümlerin ve data analizinin doğruluğu için; her iki optik ve elektrik ölçüm teknikleri, bilgisayar arayüzü ve çeşitli programlarla geliştirildi.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT INTERNAL PHOTOEMISSION AND ELECTRICAL TRANSPORT İN A SIIICIDE/SIIICON JUNCTION Anıltürk, Önder S. M.S., Department of Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Raşit Turan June 1997,130 pages Internal photoemission and electrical transport have been investigated in both n-type and p-type CrSİ2/Si Schottky junctions in a wide temperature and bias range. The electrical transport involving several current mechanisms such as thermionic emission, tunneling, recombination and leakage, were studied in details by most commonly used electrical techniques as well as computer modeling of the observations. Internal photoemission spectroscopy has been used for optical analysis of the diodes. Comparison of optical and electrical results has made it possible to obtain a more clear picture of the electronic structure of the interface. Electrical and optical phenomena occurring at the interface have been discussed. For both electrical and optical measurements, the measurement techniques have been improved by both computer interfacing and various software in order to increase the accuracy of the measurements and data analysis. Keyvvords: Silicides, current transport, internal photoemission, Schottky barrier, infrared detectors, computer interfacing.
Benzer Tezler
- Güç LED'lerinde yapı parametrelerinin ışık emisyonuna etkilerinin belirlenmesi
Determining the effects of solid state formation parameters on light emissions in power LEDs
TESLİME KARAYILAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKilis 7 Aralık ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖMER FARUK FARSAKOĞLU
- Physics and technology of the infrared detection systems based on heterojunctions
Çoklu eklem tabanlı kızılötesi algılama sistemlerinin fiziği ve teknolojisi
BÜLENT ASLAN
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAŞİT TURAN
- Ultra-low-cost broad-band near-infrared silicon photodetectors based on hot electrons
Sıcak elektron temelli düşük maliyetli geniş bant yakın kızılötesi silisyum fotodedektörler
MOHAMMAD AMİN NAZİRZADEH
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY
- Plasmonically enhanced hot electron based optoelectronic devices
Plazmon destekli sıcak elektron tabanlı optoelektronik aygıtlar
FATİH BİLGE ATAR
Doktora
İngilizce
2015
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ KEMAL OKYAY
- Internal photoemission spectroscopy for PtSi/si and Pt/SiGe schottky type infrared detectors
PtSi/Si ve Pt/SiGe schottky tipi kızılötesi algılayıcılar için dahili fotoemisyon spektroskopisi
BÜLENT ASLAN
Yüksek Lisans
İngilizce
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. RAŞİT TURAN