Crystal growth of GaSe using bridgmann-stockbarger method
Bridgman sistemi ile GaSe kristali büyütülmesi
- Tez No: 82693
- Danışmanlar: DOÇ. DR. BÜLENT AKINOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Kristal büyütme, GaSe, Bridgman sistem, İletkenlik ölçümü, x-ışını-toz-difraksiyonu, Treor90. iv, Crystal growth, GaSe, Bridgmann system, conductivity measurements x-ray powder diffraction, Treor90 iii
- Yıl: 1999
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 68
Özet
oz BRTOGMANN-STOCKBARGER YÖNTEMİYLE GaSe KRİSTALLERİN BÜYÜTÜLMESİ Mansour, Imtawi Sudqi Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Bülent G. Akınoğlu Haziranl 999, 68 sayfa Bu çalışmada, Bridgmann-Stockbarger yöntemiyle GaSe kristalleri büyütülmüş, toz ve tek kristal x-ışını analizleri ve iletkenlik ölçümleri yapılmıştır. Aynı şartlarda iki tüp GaSe hazırlanmış ve iki değişik sıcaklık profili kullanılarak birer haftalık sürelerde büyütme işlemi yapılmıştır. Büyütmeler başarılı olmuş ve elde edilen iki ingotdan analiz için örnekler hazırlanmıştır. Yapısal çözümleme için x-ışını difraktometresi ile ölçümler yapılıp analiz edilmiştir. Analizlerde TREOR90 bilgisayar programı kullanılmıştır. İlk analizlerin sonucunda yapının ortorombik olduğu sonucu alınmıştır, ancak yapı oldukça düzensiz olduğundan, sonuçtan emin olabilmek için daha detaylı ölçüm ve analizler gerekmektedir. Elektriksel ölçümler için iki örnek hazırlanmıştır. Ölçümler 240- 300K sıcaklıkları arasında yapılmıştır. Sonuçlar, ilk örnek için 0.20 eV ve ikinci örnek için 0.26 eV değerlerinde akseptör seviyeleri olduğunu göstermiştir
Özet (Çeviri)
ABSTRACT CRYSTAL GROWTH OF GaSe USING BRIDGMANN- STOCKB ARGER METHOD. Mansour, Imtawi Sudqi M. Sc, Department of Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Bülent G. Akınoğlu Junel999, 68 pages In this work, using vertical Bridgmann Stockbarger system, we have grown GaSe crystals and carried out x-ray, and conductivity measurements. Two identical GaSe crucibles are prepared and two runs of around one week for each, are performed using different temperature profiles. The growths were successful and samples from two ingots are prepared, for the analysis. X-ray powder diffraction and polycrystal measurements are carried out for the structural analysis of the material. In the analysis, TREOR90 computer program is used. The result of preliminary analysis gives that the structure is orthorhombic but further analysis are needed to become sure since the crystal seems to be highly disordered. Two samples are prepared for the electrical conductivity measurements. The electrical resistivities are measured in the temperature range of 240 to 300 K. The results indicate the presence of an acceptor level at 0.20 eV for the first sample and 0.26 eV for the second sample.
Benzer Tezler
- GaSe ve GaSe:Cd yarı iletkeninin büyütülmesi,yapısal, optik ve elektriksel özeliklerinin incelenmesi
Investigation of growth, structural, optical and electrical properties of GaSe and GaSe:Cd semiconductors
AFSOUN ASHKHASI
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK
- Structural, electrical and optical characterization of N-and Si-implanted GaSe single crystal grown by Bridgman method
Bridgman yöntemi ile büyütülen N-ve Si-ekilmiş GaSe tek kristallerinin yapısal, elektriksel ve optik karakterizasyonu
ORHAN KARABULUT
Doktora
İngilizce
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BÜLENT AKINOĞLU
DOÇ. DR. MEHMET PARLAK
- GaSe:In ikili bileşiğinin Bridgman/Stockbarger tekniğiyle büyütülmesi ve yüzey morfolojisi
Surface morphology and GaSe:In binary semiconductor grown by Bridgman/Stockbarger technique
YASİN ÖZTIRPAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK
- Structural, electrical and optical characterization of Ge-implanted GaSe single crystal grown by Bridgman method
Bridgman yöntemi ile büyütülen Ge-ekilmiş GaSe tek kristallerin yapısal, elektriksel ve optik karakterizasyonu
HAZBULLAH KARAAĞAÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BÜLENT AKINOĞLU
PROF. DR. MEHMET PARLAK
- Steady state and transient simulations in 2D and 3d for crystal growth by vertical Bridgman systems
Dikey Bridgman sisteminin iki ve üç buyutta zaman bağımlı ve bağımsız simulasyonu
ERGÜN TAŞARKUYU
Doktora
İngilizce
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BÜLENT AKINOĞLU
PROF. DR. ŞİNASİ ELLİALTIOĞLU