Yarıyalıtkan ve n-tipi GaAs kristallerinin yakın bant kenarı bölgesinde optik soğurma olaylarının incelenmesi
Near bandedge optical absorption processes in semi-insulating and n-type GaAs
- Tez No: 83673
- Danışmanlar: PROF.DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1999
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 71
Özet
Katkılanmamış ve yanyalıtkan özelliğe sahip GaAs kristali ile Te katkılanmış n-tipi GaAs kristali üzerinde bant kenarına yakın bölgedeki soğurma spektrumları 10-300 K sıcaklık bölgesinde incelendi. Bant kenarına yakın bölgede maksimum değerleri sıcaklığa bağlı olarak 1.499 eV'dan 1.485 eV'a değişen soğurma pikleri gözlendi. Bu enerji değerleri bilinen Reverse-Contrast soğurmasıyla iyi uyuşmaktadır. Bu pikler, yarıyalıtkan GaAs ve n-tipi GaAs'da 100 K'nın üzerinde kaybolmaktadır. Sıcaklığa göre (Eg- Emax ) değerlerinin ekstrapolasyonundan; yakın bant kenarı soğurma piklerinin yanyalıtkan ve n-tipi numunede 200 K civarında iletkenlik bandı ile birleştiği görüldü. Bununla birlikte, EL2 merkezlerinin ileri bir ışınlama ile foto-quench edilmesinden sonra yakın bant kenarı bölgesindeki soğurmanın da foto-quench edilebileceği gösterildi Soğurma ölçüleri ve spektral foto-akım ölçülerinin karşılaştırılması ile bu yakın bant kenarı soğurmasının herhangi bir merkez-içi soğurmaya sahip olmadığı kanaatine varıldı.
Özet (Çeviri)
Near bandedge optical absorption processes in semi-insulating (SI) GaAs and in Te doped n-type GaAs crystals was investigated in the range of 10-300 K. We observed absorption peaks whose maximum energies (En,) ranging from 1.499 to 1.485 eV as the temperature increases from 10 K to 100 K. Such energy values are in agreement with known RC absorptions. The peaks for both SI and n-type GaAs were disappeared above 100 K. Extrapolating the graphs of Eg-Em versus temperature, we observed that near bandedge absorption is overlapped by conduction band at about 200 K for both SI and n- type samples. Furthermore, we demonstrated that the absorption in the region of near bandedge can be photo-quenched using further irradiation after EL2 photo-quenching at higher temperatures. Comparison of the absorption measurements with the spectral photo-current measurements, we conclude that Reverse Contrast (RC) centres that cause such absorption at energies close to the bandedge have no intra-centre transition.
Benzer Tezler
- Sıcak elektron tabanlı optik sensörler
Hot electron based optical sensors
FEYZA SÖNMEZ
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENGİN TIRAŞ
- High speed and high efficiency infrared photodetectors
Yüksek hızlı ve yüksek verimli kızılötesi fotodedektörler
İBRAHİM KİMUKİN
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. EKMEL ÖZBAY
- Yüksek dielektrik sabitli yalıtkan filmlerin üretilmesi ve mos yapıda incelenmesi
Fabrication and characterization of high-k dielectric films in mos structure
AYŞE EVRİM SAATCİ
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU
- The effect of atmospheric gases on the electrical stability of graphene
Atmosferik gazların grafenin elektriksel kararlılığı üzerindeki etkisi
SIRRI BATUHAN KALKAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CEM ÇELEBİ
- InGaAs epitaksiyel tabakaların optik ve elektriksel karakterizasyonu
Optical and electrical characterization of InGaAs epitaxial layers
SALEH MOHAMMAD AMINI
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞE EROL