Geniş bir sıcaklık çalışma aralığı için entegre silikon basınç algılayıcısı
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 84069
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. VASİLE BEŞLİU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Basınç, Silisyum, Sıcaklık, Tasarım, Pressure, Silicon, Temperature, Design
- Yıl: 1999
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
IV ÖZET İnce bir tek kristalli zar ve daha kalın bir silikon kenardan oluşan minyatür bir katı- hal piezoresistif basınç algılayıcısı tasarlandı ve çalışma ilkeleri ve imalat teknolojisi geniş bir şekilde anlatıldı. Silikon basınç algılayıcısının sıcaklık bağımlılığının ısıl kompanzasyonu için bazı elektronik devreler tasarlandı. Entegre devrelerin planar teknolojisi silikon zarlı basınç algılayıcısının imalatı için temel teknoloji olarak analiz edildi. Özel kompanze entegre devreli tek kristalli bir silikon basınç algılayıcısının mikroelektronik teknolojisi araştırıldı. -60°C-+125°C çalışma sıcaklık aralığında basınç algılayıcısının esas karakteristikleri çıkarıldı.
Özet (Çeviri)
V SUMMARY A miniature solid-state piezoresistive pressure sensor, which consists of a thin monocrystalline silicon membrane supported by a thicker silicon rim, is designed and principles of its work and fabrication -technology are widely described. Some electronic circuits for thermocompensation of the temperature dependence of the silicon pressure sensor are investigated. Planar technology of integrated circuits as the basic technology for fabricating silicon membrane pressure sensor is widely considered. The microelectronic technology of a monolithic silicon pressure sensor.with p-n junction compensation integrated circuits is elaborated and proposed. The main dependence characteristics of pressure sensor in the temperature working range from -60 °C to +125 °C are presented.
Benzer Tezler
- A cryogenic cmos low dropout regulator design for space applications
Uzay uygulamaları için kriyojenik cmos alçak gerilim düşümlü regülatör tasarımı
HALİL İBRAHİM KAYIHAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ MUSTAFA BERKE YELTEN
- A 16-b 32 MSPS CMOS voltage output DAC in 0.18 um with 80+ dB simulated SFDR at 1 MHz output frequency
1 MHz çıkış frekansında 80+ dB SFDR başarımı elde eden 0.18 um 16-b 32 MSPS CMOS gerilim çıkışlı sayısal-analog çevirici tasarımı
ÇAĞLAR ÖZDAĞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. TÜRKER KÜYEL
- A high linearity s-band cryogenic low noise amplifier using 180 nm CMOS technology for space applications
Uzay uygulamaları için 180 nm CMOS teknolojisiyle gerçeklenmiş yüksek doğrusallı kriyojenik s-bant düşük gürültülü kuvvetlendirici
ALİCAN ÇAĞLAR
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ MUSTAFA BERKE YELTEN
- GF 22nm FDSOI power management unit with integrated SRAM design
Entegre SRAM tasarımlı GF 22nm FDSOI güç yönetim birimi
MAHMUT ÇOBAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ AHMET TEKİN
- Alüminyum konsantrasyonunun aı: nio/psi fotodedektörlerin yapısal,optiksel ve elektriksel özellikleri üzerine etkisinin incelenmesi
Investigation of the effect of aluminum concentration on structural, optical and electrical properties of ai: nio/psi photodetectors
MOHAMMED SULAIMAN MUSTAFA MUSTAFA
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Fizik ve Fizik MühendisliğiEge ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALPER ÇETİNEL