y-ışınlarının Cu-GaAs eklemlerin elektriksel karakteristiklerine etkisi
Effect of y-irradiation on the electrical characteristics of Cu-GaAs junctions
- Tez No: 85125
- Danışmanlar: PROF. DR. TAYYAR CAFEROV
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1999
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 78
Özet
ÖZET y-ışınları ile ışınlanmış monokristalik n-tipi GaAs'in ve Cu-GaAs yapıların elektrik, optik, fotovoltaik ve kapasitans karakteristikleri incelendi. Cu-GaAs Schottky diyotları, Cu ince filminin n-tipi GaAs altlık üzerine vakum ortamında buharlaştırılması ile hazırlandı. Cu-GaAs diyotlar ve GaAs altlıklar Co kaynağından yayımlanan y-ışınlarına ( E=l,17 ve 1,33 MeV, D=l,6 xl06 Rad) maruz bırakıldılar, y-ışınlamadan önce ve sonra GaAs'in ve Cu-GaAs diyotların elektrik, optik, fotovoltaik ve kapasitans özellikleri incelendi. 50-300 °C aralığındaki tavlamanın GaAs'in özelliklerine etkisi araştırıldı. Cu-GaAs diyotların doğrultucu ve fotovoltaik parametrelerine y-ışınlamanın belirgin etkisi gösterildi. Doğrultucu katsayısı (k) ve açık devre geriliminin (Voc) ( önce = 6,03 xl04, VOC=230 mV) y-ışmlamadan sonra (k = 1,4 xl05, Voc=386 mV) iyileştiği görüldü. GaAs ve Cu-GaAs diyot yapıların elektrik, optik ve fotovoltaik karakteristiklerindeki y- uyanlmış değişimlerin deneysel sonuçları, rekombinasyon merkezleri gibi davranan noktasal kusurların oluşumu ile ilgili model temelinde tartışıldı. Ayrıca dış de elektrik alanın GaAs p-n eklemlerin elektrik, kapasitans ve fotovoltaik özelliklerine etkisi araştırıldı. Ters yönlü elektrik alan uygulamasının, p-n eklemlerin fotovoltaik parametrelerini doğru yönlü elektrik alana göre iyileştirdiği gösterildi. Bu sonuçlar yüklü bakır iyonlarının GaAs'da elektrouyarılmış difüzyonuna bağlıdır. ıx
Özet (Çeviri)
ABSTRACT Electrical, optical, photovoltaic and capacitance characteristics of n-type monocrystalline GaAs and Cu-GaAs structures exposed to y-irradiation are investigated. Cu-GaAs Schottky diodes are prepared by vacuum evaporation of Cu thin film on the n- type GaAs substrates. Cu-GaAs diodes and GaAs substrates are exposed to y-rays emitted from W)Co source (E=1.17 and 1.33 MeV). Electrical, optical, photovoltaic and capacitance properties of GaAs and Cu-GaAs diodes are examined before and after y-irradiation. Effect of annealing, in the range of 50-300 °C, on the properties of GaAs is investigated. Effect of y-irradiation on the rectifying and photovoltaic parameters of Cu-GaAs junctions is shown clearly. Improvements of rectifying coefficient (k) and open circuit voltage (Voc) (before k = 6,03 xlO4, VOC=230 mV) after (k = 1,4 xlO5, Voc=386 mV) y-irradiation are discovered. Experimental results on y-stimulated changes of electrical, optical and photovoltaic characteristics of GaAs and Cu-GaAs diode structures are discussed on the basis of model related with formation of the point defects presenting the recombination centers. Effect of external dc electric field on electrical, capacitance and photovoltaic characteristics of GaAs p-n junctions are also investigated. It is shown that application of reverse electric field results in improvement of the photovoltaic parameters of p-n junctions in compared with action of the forward electric field. These data are interprated by electrostimulated diffusion of charged copper ions in GaAs.
Benzer Tezler
- Termolüminesans-optik uyarımlı lüminesans sisteminin kurulması ve UV radyasyonunun ölçümünde kullanılması
Thermoluminescence-optically stimulated luminescence system setup and its UV radiation measurement
COŞKUN HARMANŞAH
Doktora
Türkçe
2006
Nükleer MühendislikEge ÜniversitesiNükleer Bilimler Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. TURGAY KARALI
- Atom numarası 22≤z≤40 arasındaki bazı elementler için X-ışını fluoresans tesir kesitleri ve fluoresans verimlerinin ölçülmesi
Measurements of K-shell X-ray production cross-sections and fluorescence yields for some elements in the atomic number range 28≤z≤40
HAMZA TUNÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiVan Yüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. RAFET YILMAZ
- Fuel-oil ve toz kömür yakılan kazanlarda ağır metal emisyonlarının incelenmesi
Başlık çevirisi yok
BERNA CAN
- İyonomerlerin elektron spin rezonans yöntemi ile incelenmesi
Investigation of ionomers by electron spin resonance
NEVİN SÜLEYMANOĞLU
Doktora
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. TURAN ÖZBEY
- Cu++, Mn++ katkılı Na22n (SO4)2, 4H2O kristalinin bir ve iki dönülü açı ölçer kullanarak EPR yöntemiyle incelenmesi
Başlık çevirisi yok
İ.CÜNEYT KAPTANOĞLU
Doktora
Türkçe
1987
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Bilim Dalı
PROF. DR. FEVZİ APAYDIN