Geri Dön

Farklı sabit akım uygulayarak elde edilen p-Si/anodik oksit/Al yapılarında arayüzey durum yoğunluklarının araştırılması

Investigation of interface state density of p-Si/anodik oxide/Al structures obtained by applying different constant current

  1. Tez No: 85300
  2. Yazar: MEHMET ENVER AYDIN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1999
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Dicle Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 46

Özet

II ÖZET Bu çalışmada, (100) yönlü p-tipi ve özdirenci 14-26 Q.cm olan silisyum tek kristali kullanıldı. Bu kristalden dört örnek (a,b,c,d) hazırlandı. Kristallerin parlatılmış yüzü sabit akım koşulları altında anodik oksidasyon yöntemi ile oksitlendi. Anodik oksidasyon işleminde 1:1 hacimde sulandırılmış sodyum dihidrojen ortofosfat (NaH2P04.2H20) ile dietilen glikol (C4H10O3) karışımından elde edilen çözelti kullanıldı. Anodik oksidasyon işlemi sırasında 15 saniyede bir yarıiletken üzerinden geçen gerilim değeri okundu. Gerilim-zaman grafikleri çizildi. Oksitlemiş örnekler vakum sistemi kullanılarak yaklaşık 10"5 Torr'luk basınç koşulu altında alüminyum kaplandı. imal edilen Al/anodik oksit/p-Si yapılarının oda sıcaklığında kapasite- gerilim değerleri ölçüldü ve ilgili grafikler çizildi. İdeal kapasite-gerilim eğrileri herbir örnek için çizildi ve deneysel eğri ile karşılaştırıldı. Bu iki eğri arasındaki sapmadan yararlanarak arayüzey durumları incelendi.

Özet (Çeviri)

Ill SUMMARY In this study, (100) oriented, p-type and resistivity of 14-26 Q.cm of single crystal of silicon was used. Four samples (a,b,c,d) were prepared from this crystal. The polished faces of the crystals were oxidized by anodic oxidation method under constant current conditions. The solution which was prepared with the mixture of 1:1 (v/v) aqueous sodiumdihydrogen orthophosphate (NaH2P04.2H2O) and diethilen gliool (C4H10O3) was used in the anodic oxidation procedure. During the anodic oxidation precedure, the voltage value over the semiconductor was measured for every 15 seconds. The voltage values against time were plotted The oxidized samples were coated with aluminium in the vacuum chamber system under the pressure of 10"5 Torr. Ideal capacity-voltage curves were plotted for each samples and they were compared with the experimantal curves. The surface states of the samples were investigated by comparing the differences between the ideal and experimantal curves. As a result, Al/ anodic oxide /p-Si structures obtained from the sarnies a, c, d showed ionic characteristic hysteresis, and b-sample showed electronic characteristic hysteresis.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    444100

    Sokak aydınlatması için PV beslemeli yüksek verimli led sürücü devresi tasarımı ve gerçekleştirilmesi

    Design and construction high efficiency pv sourced led driver circuit for street illuminance

    ÜNAL YILMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHarran Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ALİ KIRÇAY

  2. Tez No

    202758

    Atımlı elektrik akımı uygulamasının fonksiyonel amaçlı hazırlanan havuç içeceğinin fiziksel, kimyasal ve mikrobiyolojik özellikleri üzerine etkisi

    Effect of pulsed electric fields on physical, chemical and microbiological properties of carrot drink formulated as functional product

    EBRU AKIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Gıda MühendisliğiMustafa Kemal Üniversitesi

    Gıda Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. GÜLSÜN AKDEMİR EVRENDİLEK

  3. Tez No

    46323

    İnverse synthetic aperture radar imaging

    Ters yapay açıklıklı radarda görüntüleme

    İBRAHİM ÖLÇER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1995

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. ERTUĞRUL ÇELEBİ

  4. Tez No

    16930

    Adaptive position control of permanent magnet synchronous motors and torque ripple compensation

    Başlık çevirisi yok

    O.SETA BOĞOSYAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1991

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. TAMER KUTMAN

  5. Tez No

    722479

    4 channel configurable constant-current/voltage mode biphasic implantable neurostimulator ASIC with channel centric active charge balancer

    Kanal merkezli aktif yük dengeleyicili 4 kanal ayarlanabilir sabit-akım/gerilim modlu iki-fazlı vücuda gömülebilir siniruyarıcı tümdevre

    ANIL CAKALI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. TUFAN COŞKUN KARALAR

Geri Dön