Geri Dön

Amorf germanyumun büyütülmesinin Monte Carlo simülasyonu

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 85320
  2. Yazar: GÖRKEM OYLUMOĞLU
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ŞİNASİ ELLİALTIOĞLU, PROF.DR. ŞENER OKTİK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1999
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Muğla Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 81

Özet

n ÖZET AMORF GERMANYUM BÜYÜTÜLMESİNİN MONTE CARLO SİMÜLASYONU OYLUMLUOĞLU GÖRKEM Yüksek Lisans Tezi, Fizik Haziran, 1999 Bu çalışmada öncelikle ince filmin büyüdüğü taban kristalinin yüzey tipi, taban kristalinin yüzey sıcaklığı ve büyüme hızı gibi parametreler, büyümeyi etkileyen değişkenler olarak ele alınıp, amorf germanyum büyütülmesi modellendi. 'Monte Carlo' yöntemi kullanılarak ilk atomların yüzeye yaklaşarak taban atomlanyla bağ yapmalarından başlanarak ince bir filmin oluşumunun bilgisayar simülasyonu yapıldı. İnce filmi oluşturan atomların büyüme yüzeyi ve birbirleri ile yaptıkları bağlar yapıya uygun seçilen potansiyeller altında ele alınıp yeni bir atomun bağ yapma koşullan ile birlikte büyütülmüş bir ince filmin amorf karakteri ve özellikleri değerlendirildi. Bu bağlamda Radyal Dağılım hesaplanarak, değişik sıcaklıklar, kristai yönlenmeleri, ve büyüme hızlan için çizildi. Bulgular literatürde belirli koşullar için sunulan deneysel verilerle karşılaştınldı.

Özet (Çeviri)

in ABSTRACT MODELLING OF GROWTH OF AMORPHOUS GERMANIUM USING MONTE CARLO SIMULATION OYLUMLUO?LU GÖRKEM M.Sc. in Physics June, 1999 In this study, we are particularly interested in parameters effecting thin film growth such as orientation of substrate and substrate temperature. Computer simulation of growth, starting from the initial bonding between substrate atoms and the atoms of the growing film, is carried out by using a Monte Carlo technique. Furthermore, the conditions of forming new bonds between substrate atoms and atoms of the film, and among atoms of growing films are investigated by using phenomenological potentials that are appropriately selected for the tetrahedral structure. The radial distribution function is plotted for different substrate temperatures and various orientations of the substrate crystal. The results are compared with the experimental data found in the literature for certain conditions.

Benzer Tezler

  1. Investigation of InP and SiGe nanomaterials via molecular dynamics simulations

    InP ve SiGe nanomalzemelerinin moleküler dinamiği benzetişimleri metodu ile araştırılması

    NADİRE NAYİR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞAKİR ERKOÇ

    DR. ÖĞR. ÜYESİ EMRE TAŞCI

  2. Design and fabrication of strained light emitting germanium microstructures by liquid phase epitaxy

    Sıvı faz epitaksi yöntemiyle geliştirilmiş çekme gerinimli ışık saçan germanyum microyapılarının tasarımı ve üretimi

    BUSE ÜNLÜ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SELÇUK YERCİ

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ÇİÇEK HATİCE BOZTUĞ YERCİ

  3. Preparation and characterization of nanofibers for energy applications

    Enerji uygulamaları için nanofiberlerin hazırlanması ve karakterizasyonu

    GÖKTUĞ CİHANBEYOĞLU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MELTEM YANILMAZ

  4. Amorf germanyum filimlerin elektriksel iletim özellikleri

    Başlık çevirisi yok

    AYNUR ERAY

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1988

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÖZCAN ÖKTÜ

  5. SCL akımları yöntemi ile hidrojenlendirilmiş amorf silisyum-germanyum alaşımı n-i-n sandviç yapılarda elektronik kusur dağılımlarının incelenmesi

    Investigation of electronic defect distribution on amorphous silicon-germanium alloy n-i-n sandwich structure by using SCL current

    ZEYNEP RUKİYE ÖZGE CAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET GÜNEŞ